Tip3055 транзистор какая у него емкость

TIP3055, Транзистор NPN 60В 15А [TO-247]

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Технические параметры

Структура	npn	​
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60	​
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	15	​
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	20	​
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	2.5	​
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	90	​
Корпус	to-247	​
Вес, г	7.5

Транзистор TIP3055: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Габаритные и установочные размеры транзистора TIP3055

Аналог транзистора TIP3055

Вы можете заменить TIP3055 на: BD745A, BD745B, BD745C, NTE392, TIP3055G, TIP35A, TIP35AG, TIP35B, TIP35BG, TIP35C, TIP35CA, TIP35CG.

Комплементарной парой TIP3055 является транзистор TIP2955.

Бессвинцовой версией TIP3055 является транзистор TIP3055G.

Транзистор 2N3055. Аналог, характеристики, datasheet

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Транзистор 2N3055

Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.

Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.

Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.

Распиновка транзистора 2N3055

Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.

Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.

Характеристики транзистора 2N3055

• Напряжение коллектор-эмиттер Vкэ : 60В
• Ток коллектора в непрерывном режиме : 15А
• Коэффициент усиления по току: 20-70 (при Iк = 4А)
• Напряжение насыщения Uкэ: 1,1В при Iк макс = 4А, Iб = 400мА
• Напряжение насыщения Uкэ: 3,0В Iк макс = 10А, Iб = 3,3А
• Напряжение база-эмиттер Uбэ (Iк = 4A, Vкэ = 4В): 1,5В
• Обратное напряжение база-эмиттер: 7В
• Рассеиваемая мощность при Uкэ = 30В: 115 Вт
• Рабочая температура: от -50 ° С до + 200 ° C
• Полоса пропускания (частота перехода): 2,5 МГц

Аналог 2N3055

Вы можете заменить 2N3055 на: 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, NTE130.

Отечественным аналогом 2N3055 может послужить транзистор 2Т808А

Комплементарной парой 2N3055 является транзистор MJ2955.

Бессвинцовой версией 2N3055 является транзистор 2N3055G.

Применение транзистора 2N3055 (MJ2955)

• Транзистор 2N3055 в стабилизированных линейных источниках питания (0-30В до 5A)
• В паре 2N3055 и MJ2955 в аудио усилителях с питанием +/- 30 вольт

Скачать datasheet 2N3055 (42,6 KiB, скачано: 4 132)

Tip3055 транзистор какая у него емкость

Биполярный транзистор TIP3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP3055

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

TIP3055 Datasheet (PDF)

..1. Size:87K st
tip2955 tip3055.pdf

TIP2955TIP3055Complementary power transistorsFeatures Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose Audio Amplifier321DescriptionTO-247The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications.Figure 1. Internal sche

..2. Size:237K onsemi
tip3055 tip2955.pdf

TIP3055 (NPN),TIP2955 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsDesigned for general-purpose switching and amplifier applications.http://onsemi.comFeatures DC Current Gain — 15 AMPEREhFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS= 4.0 AdcCOMPLEMENTARY SILICON Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTSVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc Excell

..3. Size:82K bourns
tip3055.pdf

TIP3055NPN SILICON POWER TRANSISTOR Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGETIP2955 Series (TOP VIEW) 90 W at 25C Case TemperatureB1 15 A Continuous Collector CurrentC 2 Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maximum ratings at 25C case temperature (unless otherwis

..4. Size:107K mospec
tip2955 tip3055.pdf

..5. Size:1156K jsmsemi
tip3055.pdf

TIP3055Silicon NPN Power TransistorsDESCRIPTION With TO-247 package Complement to type TIP2955 90 W at 25C case temperature 15 A continuous collector current APPLICATIONS Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol

..6. Size:192K inchange semiconductor
tip3055.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor TIP3055DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.1 V(Max)@ I = 4ACE(sat CComplement to Type TIP2955Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose

0.1. Size:104K motorola
tip3055r.pdf

Order this documentMOTOROLAby TIP3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP3055Complementary Silicon PowerPNPTIP2955Transistors. . . designed for general purpose switching and ampli

0.2. Size:290K cdil
tip2955f tip3055f.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPOWER TRANSISTORS TIP2955F PNPTIP3055F NPNTO- 3P Fully IsolatedPlastic PackageBCEDesigned for General Purpose Switching and Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector-Emitter Voltage VCEO 60 VCollector-Emitter Voltage VCER 70 VCollector-

0.3. Size:214K inchange semiconductor
tip3055t.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor TIP3055TDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.8V(Max)@ I = 4ACE(sat CComplement to Type TIP2955TMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifier