Ube транзистора что это

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Главная › Справочник › Параметры биполярных транзисторов

Параметры биполярных транзисторов

Буквенное обозначение		Параметр
Отечественное	Международное	Параметр
I _КБО	I_CBO	Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО	I_EBO	Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO	I_CEO	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR	I_CER	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК	I_CES	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV	I_CEV	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX	I_CEX	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max}	I_{C max}	Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_{Э max}	I_{E max}	Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
I_{Б max}	I_{B max}	Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max}	I_{CM max}	Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max}	I_{EM max}	Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР	—	Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.}	U_{(BR) CBO}	Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.}	U_{(BR) ЕBO}	Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.}	U_{(BR) CEO}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.}	U_{(BR) CER}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.}	U_{(BR) CES}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.}	U_{(BR) CEV}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.}	U_{(BR) CEX}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр}	U_{(L) CEO}	Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк	U_pt	Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас}	U_{CE sat}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас}	U_{BE sat}	Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл}	U_EBfl	Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max}	U_{CB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max}	U_{CE max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max}	U_{EB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max}	U_{CEM max}	Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max}	U_{CBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max}	U_{EBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P	P_tot	Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср	P_AV	Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и	P_M	Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K	P_C	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max}	—	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых	P_out	Выходная мощность транзистора.
P_{и max}	P_{M max}	Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_{K max}	P_{C max}	Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max}	—	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b	r_bb , r_b	Сопротивление базы.
r_{КЭ нас}	r_{CE sat}	Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б	c_11e, c_11b	Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б	c_22e, c_22b	Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c _к	c_c	Емкость коллекторного перехода.
c_э	c_e	Емкость эмиттерного перехода.
f_гр	f_T	Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max	f_max	Максимальная частота генерации.
f_h21э , f_h21б	f_h21e, f_hfe ;f_h21b, f_hfb	Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл	t_on	Время включения.
t_выкл	t_off	Время выключения.
t_зд	t_d	Время задержки.
t_нр	t_r	Время нарастания.
t_рас	t_s	Время рассасывания.
t_сп	t_f	Время спада.
h_11э, h_11б	h_11e, h_11b;h_ie, h_ib	Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б	h_21e, h_21b;h_fe, h_fb	Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б	h_12e, h_12b;h_re, h_rb	Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б	h_22e, h_22b;h_oe, h_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
\|h_21э\|	\|h_21e\|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э	h_11E, h_IE	Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
h_21Э	H_11E, H_FE	Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э	Y_21E	Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Y_11э, Y_11б	Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib	Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б	Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb	Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б	Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb	Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б	Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к	S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic	Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к	S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc	Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к	S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc	Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к	S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc	Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
—	f_se, f_sb, f_sc	Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1, S_21b = 1, S_21c = 1.
К_{у, р}	G_p	Коэффициент усиления мощности.
—	G _A, G_a	Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш	F	Коэффициент шума транзистора.
τ_к (r’_б С_к)	τc (r’_bb С_c)	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр	T_A, T_amb	Температура окружающей среды.
T_к	T_c , T_case	Температура корпуса.
T_п	T_j	Температура перехода.
R_{т, п-с}	R_thja	Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к}	R_thjс	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с}	R_thса	Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с}	τ_thja	Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к}	τ_thjс	Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с}	τ_thса	Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Ремонт

Параметры переменного напряжения Как вы помните из предыдущей статьи, переменное напряжение — это напряжение, которое меняется со временем. Оно может меняться с каким-то периодом, а… Подробнее » True rms что это

Video out на магнитоле что

автор: admin
28.07.2023

Установка магнитолы, камеры заднего вида, парктроники в зеркало — Часть 2 Нашел время для подключения магнитолы и заодно камеры заднего вида. Магнитола — это подарок… Подробнее » Video out на магнитоле что

Truerta как измерить ачх

автор: admin
28.07.2023

Лучшее программное обеспечение для тестирования и измерения громкоговорителей Мы все можем согласиться с тем, что совершить покупку новой пары динамиков (особенно если их характеристики потрясающие)… Подробнее » Truerta как измерить ачх

U9go 2 micron что это

автор: admin
28.07.2023

Micron представляет 24 ГБ памяти HBM3 Gen2 1,2 ТБ/с. Анонс следующего поколения HBM с пропускной способностью 2+ТБ/с БОЙС, Айдахо, 26 июля 2023 г. (GLOBE NEWSWIRE)… Подробнее » U9go 2 micron что это

Universal serial bus controllers что это

автор: admin
28.07.2023

Universal Serial Bus (USB) Controller Driver Windows 7 64 bit Universal Serial Bus (USB) Controller Driver is a software driver that enables the communication between… Подробнее » Universal serial bus controllers что это

Поймем вместе принципы работы транзистора

Транзисторы являются активными компонентами и используются повсеместно в электронных цепях в качестве усилителей и коммутационных устройств (транзисторных ключей). Как усилительные приборы они применяются в приборах высокой и низкой частоты, генераторах сигналов, модуляторах, детекторах и многих других цепях. В цифровых схемах, в импульсных блоках питания и управляемых электроприводах они служат в качестве ключей.

Биполярные транзисторы

Так называется наиболее распространенный тип транзистора. Они делятся на npn и pnp типы. Материалом для них наиболее часто является кремний или германий. Поначалу транзисторы делались из германия, но они были очень чувствительны к температуре. Кремниевые приборы гораздо более стойки к ее колебаниям и дешевле в производстве.

Различные биполярные транзисторы показаны на фото ниже.

принципы работы транзистора

Маломощные приборы расположены в небольших пластиковых прямоугольных или металлический цилиндрических корпусах. Они имеют три вывода: для базы (Б), эмиттер (Э) и коллектор (К). Каждый из них подключен к одному из трех слоев кремния с проводимостью либо n- (ток образуют свободные электроны), либо p-типа (ток образуют так называемые положительно заряженные «дырки»), из которых и состоит структура транзистора.

Как устроен биполярный транзистор?

Принципы работы транзистора нужно изучать, начиная с его устройства. Рассмотрим структуру npn-транзистора, которая изображена на рис.ниже.

принцип работы транзистора

Как видим, он содержит три слоя: два с проводимостью n-типа и один – p-типа. Тип проводимости слоев определяется степенью легирования специальными примесями различных частей кремниевого кристалла. Эмиттер n-типа очень сильно легирован, чтобы получить множество свободных электронов как основных носителей тока. Очень тонкая база p-типа слегка легирована примесями и имеет высокое сопротивление, а коллектор n- типа очень сильно легирован, чтобы придать ему низкое сопротивление.

Принципы работы транзистора

Лучшим способом познакомиться с ними является экспериментальный путь. Ниже приведена схема простой цепи.

принцип работы транзистора

Она использует силовой транзистор для управления свечением лампочки. Вам также понадобится батарейка, небольшаю лампочка от фонарика примерно 4,5 В/0,3 А, потенциометр в виде переменного резистора (5К) и резистор 470 Ом. Эти компоненты должны быть соединены, как показано на рисунке справа от схемы.

Поверните движок потенциометра в крайнее нижнее положение. Это понизит напряжение на базе (между базой и землёй) до нуля вольт (U_BE = 0). Лампа не светится, что означает отсутствие тока через транзистор.

Если теперь поворачивать рукоятку от ее нижней позиции, то U_BE постепенно увеличивается. Когда оно достигает 0,6 В, ток начинает втекать в базу транзистора, и лампа начинает светиться. Когда рукоятка сдвигается дальше, напряжение U_BE остается на уровне 0,6 В, но ток базы увеличивается и это увеличивает ток через цепь коллектор-эмиттер. Если рукоятка сдвинута в верхнее положение, напряжение на базе будет немного увеличено до 0,75 В, но ток значительно возрастет и лампа будет светиться ярко.

А если измерить токи транзистора?

Если мы включим амперметр между коллектором (C) и лампой (для измерения I_C), другой амперметр между базой (B) и потенциометром (для измерения I_B), а также вольтметр между общим проводом и базой и повторим весь эксперимент, мы сможем получить некоторые интересные данные. Когда рукоятка потенциометра находится в его низшей позиции, U_BE равно 0 В, также как и токи I_C и I_B. Когда рукоятку сдвигают, эти значения растут до тех пор, пока лампочка не начинает светиться, когда они равны: U_BE = 0.6 В, I_B = 0,8 мА и I_C = 36 мА.

В итоге мы получаем от этого эксперимента следующие принципы работы транзистора: при отсутствии положительного (для npn-типа) напряжения смещения на базе токи через его выводы равны нулю, а при наличии напряжения и тока базы их изменения влияют на ток в цепи коллектор — эмиттер.

Что происходит при включении питания транзистора

Во время нормальной работы, напряжение, приложенное к переходу база-эмиттер, распределяется так, что потенциал базы (p-типа) приблизительно на 0,6 В выше, чем у эмиттера (n-типа). При этом к данному переходу приложено прямое напряжение, он смещен в прямом направлении и открыт для протекания тока из базы в эмиттер.

Гораздо более высокое напряжение приложено к переходу база-коллектор, причем потенциал коллектора (n-типа) оказывается более высоким, чем у базы (p-типа). Так что к переходу приложено обратное напряжение и он смещен в обратном направлении. Это приводит к образованию довольно толстого обедненного электронами слоя в коллекторе вблизи базы, когда к транзистору прикладывается напряжение питания. В результате ток через цепь коллектор-эмиттер не проходит. Распределение зарядов в зонах переходов npn-транзистора показан на рисунке ниже.

принцип работы транзистора

Какова роль тока базы?

Как же заставить работать наш электронный прибор? Принцип действия транзистора заключается во влиянии тока базы на состояние закрытого перехода база-коллектор. Когда переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, небольшой ток будет поступать в базу. Здесь его носителями являются положительно заряженные дырки. Они комбинируются с электронами, поступающими из эмиттера, обеспечивая ток I_BE. Однако вследствие того, что эмиттер очень сильно легирован, гораздо больше электронов поступает из него в базу, чем способно соединиться с дырками. Это означает, что возникает большая концентрация электронов в базе, и большинство из них пересекает ее и попадает в обедненный электронами слой коллектора. Здесь они попадают под влияние сильного электрического поля, приложенного к переходу база-коллектор, проходят через обедненный электронами слой и основной объем коллектора к его выводу.

Изменения тока, втекающего в базу, влияют на количество привлеченных от эмиттера электронов. Таким образом, принципы работы транзистора могут быть дополнены следующим утверждением: очень небольшие изменения в базовом токе вызывают очень большие изменения в токе, протекающем от эмиттера к коллектору, т.е. происходит усиление тока.

Типы полевых транзисторов

По английски они обозначаются FETs — Field Effect Transistors, что можно перевести как «транзисторы с полевым эффектом». Хотя есть много путаницы в названиях для них, но встречаются в основном два основных их типа:

1. С управляющим pn-переходом. В англоязычной литературе они обозначаются JFET или Junction FET, что можно перевести как «переходный полевой транзистор». Иначе они именуются JUGFET или Junction Unipolar Gate FET.

2. С изолированным затвором (иначе МОП- или МДП-транзисторы). По английски они обозначаются IGFET или Insulated Gate FET.

Внешне они очень похожи на биполярные, что подтверждает фото ниже.

принцип действия транзистора

Устройство полевого транзистора

Все полевые транзисторы могут быть названы УНИПОЛЯРНЫМИ приборами, потому что носители заряда, которые образуют ток через них, относятся к единственному для данного транзистора типу – либо электроны, либо «дырки», но не оба одновременно. Это отличает принцип работы транзистора полевого от биполярного, в котором ток образуется одновременно обоими этими типами носителей.

Носители тока протекают в полевых транзисторах с управляющим pn-переходом по слою кремния без pn-переходов, называемому каналом, с проводимостью либо n-, либо p-типа между двумя выводами, именуемыми «истоком» и «стоком» – аналогами эмиттера и коллектора или, точнее ,катода и анода вакуумного триода. Третий вывод – затвор (аналог сетки триода) – присоединен к слою кремния с другим типом проводимости, чем у канала исток-сток. Структура такого прибора показана на рисунке ниже.

полевой транзистор принцип работы

Как же работает полевой транзистор? Принцип работы его заключается в управлении поперечным сечением канала путем приложения напряжения к переходу затвор-канал. Его всегда смещают в обратном направлении, поэтому транзистор практически не потребляет тока по цепи затвора, тогда как биполярному прибору для работы нужен определенный ток базы. При изменении входного напряжения область затвора может расширяться, перекрывая канал исток-сток вплоть до полного его закрытия, управляя таким образом током стока.