Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять
Перейти к содержимому

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

  • автор:

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

Dors 1100 камера дополнительная как включить СмартПульс — держите руку на пульсе высоких технологий! Новости, статьи, обзоры мобильных устройств, компьютеров, комплектующих, радиолюбительских конструкций Главная —… Подробнее » Dors 1100 камера дополнительная как включить

F площадь сечения карандаша как найти

  • автор: admin
  • 27.07.2023

F площадь сечения карандаша как найти — сборка электрической цепи, в одном из участков которой используется карандаш. Задачи: 1)- изучение различных источников информации о карандашах… Подробнее » F площадь сечения карандаша как найти

Cx20587 11z чем заменить

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Объявления по запросу «cx20587-11z» -> Наличие: Если Есть В Списке, значит В Наличии. -> Гарантия: Гарантии на микросхемы Нет! Можно дать гарантию на б. У.… Подробнее » Cx20587 11z чем заменить

Carel emc lrf что это такое

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Carel emc lrf что это такое Контроллеры EVD evolution CAREL для управления электронными терморегулирующими вентилями (ТРВ) E*V. Принцип работы ТРВ E2(3,4,5,67)V основан на управлении перегревом… Подробнее » Carel emc lrf что это такое

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять Биполярный транзистор BD243C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BD243C Тип материала: Si Максимальная рассеиваемая мощность (Pc):… Подробнее » Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

BD243C Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

BD243CBD244CComplementary power transistors .Features Complementary NPN-PNP devicesApplications Power linear and switching321DescriptionTO-220The device is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance Figure 1. Internal schematic diagramcoupled with very low saturation vo

..3. Size:38K fairchild semi
bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf

BD243C BD243C

BD243/A/B/CMedium Power Linear and Switching Applications Complement to BD244, BD244A, BD244B and BD244C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BD243 45 V: BD243A 60 V: BD243B 80 V: BD243C 100 V VCEO Collector-

..4. Size:233K onsemi
bd243b bd243c bd244b bd244c.pdf

BD243C BD243C

BD243B, BD243C (NPN),BD244B, BD244C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general purpose amplifier andswitching applications. www.onsemi.comFeatures6 AMPERE High Current Gain Bandwidth ProductPOWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COMPLEMENTARY SILICON80-100 VOLTSMAXIMUM RATINGS65 W

..5. Size:212K inchange semiconductor
bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf

BD243C BD243C

isc Silicon NPN Power Transistor BD243/A/B/CDESCRIPTIONDC Current Gain -h =30(Min)@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243ACEO(SUS)80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243CComplement to Type BD244/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gener

0.1. Size:137K onsemi
bd243cg.pdf

BD243C BD243C

BD243B, BD243C (NPN)BD244B, BD244C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general purpose amplifier andswitching applications. http://onsemi.comFeatures6 AMPERE Collector — Emitter Saturation Voltage -POWER TRANSISTORSVCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 AdcCOMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage —

9.1. Size:71K cdil
bd243 a b c bd244.pdf

BD243C BD243C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package BD243, BD243A, BD243B, BD243CBD244, BD244A, BD244B, BD244CBD243, 243A, 243B, 243C NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSBD244, 244A, 244B, 244C PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSGeneral Purpose Amplifier and Switching ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER

9.2. Size:86K power-innovations
bd243.pdf

BD243C BD243C

BD243, BD243A, BD243B, BD243CNPN SILICON POWER TRANSISTORSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 — REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD244 SeriesTO-220 PACKAGE(TOP VIEW) 65 W at 25C Case Temperature 6 A Continuous Collector CurrentB 1C 2 10 A Peak Collector CurrentE 3 Customer-Specified Selections AvailablePin 2 is in el

9.3. Size:202K inchange semiconductor
bd243 a b c.pdf

BD243C BD243C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD243/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A 80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C Complement to Type BD244/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

Биполярный транзистор BD243C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BD243C

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

BD243C Datasheet (PDF)

..1. Size:140K motorola
bd243b bd244b bd243c bd244c.pdf

BD243C BD243C

Order this documentMOTOROLAby BD243B/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD243BComplementary Silicon PlasticBD243C*Power TransistorsPNP. . . designed for use in general purpose amplif

..2. Size:341K st
bd243c bd244c.pdf

BD243C BD243C

BD243CBD244CComplementary power transistors .Features Complementary NPN-PNP devicesApplications Power linear and switching321DescriptionTO-220The device is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance Figure 1. Internal schematic diagramcoupled with very low saturation vo

..3. Size:38K fairchild semi
bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf

BD243C BD243C

BD243/A/B/CMedium Power Linear and Switching Applications Complement to BD244, BD244A, BD244B and BD244C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BD243 45 V: BD243A 60 V: BD243B 80 V: BD243C 100 V VCEO Collector-

..4. Size:233K onsemi
bd243b bd243c bd244b bd244c.pdf

BD243C BD243C

BD243B, BD243C (NPN),BD244B, BD244C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general purpose amplifier andswitching applications. www.onsemi.comFeatures6 AMPERE High Current Gain Bandwidth ProductPOWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COMPLEMENTARY SILICON80-100 VOLTSMAXIMUM RATINGS65 W

..5. Size:212K inchange semiconductor
bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf

BD243C BD243C

isc Silicon NPN Power Transistor BD243/A/B/CDESCRIPTIONDC Current Gain -h =30(Min)@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243ACEO(SUS)80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243CComplement to Type BD244/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gener

0.1. Size:137K onsemi
bd243cg.pdf

BD243C BD243C

BD243B, BD243C (NPN)BD244B, BD244C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general purpose amplifier andswitching applications. http://onsemi.comFeatures6 AMPERE Collector — Emitter Saturation Voltage -POWER TRANSISTORSVCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 AdcCOMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage —

9.1. Size:71K cdil
bd243 a b c bd244.pdf

BD243C BD243C

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package BD243, BD243A, BD243B, BD243CBD244, BD244A, BD244B, BD244CBD243, 243A, 243B, 243C NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSBD244, 244A, 244B, 244C PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSGeneral Purpose Amplifier and Switching ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER

9.2. Size:86K power-innovations
bd243.pdf

BD243C BD243C

BD243, BD243A, BD243B, BD243CNPN SILICON POWER TRANSISTORSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 — REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD244 SeriesTO-220 PACKAGE(TOP VIEW) 65 W at 25C Case Temperature 6 A Continuous Collector CurrentB 1C 2 10 A Peak Collector CurrentE 3 Customer-Specified Selections AvailablePin 2 is in el

9.3. Size:202K inchange semiconductor
bd243 a b c.pdf

BD243C BD243C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD243/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A 80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C Complement to Type BD244/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and

Технология

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять Биполярный транзистор BD243C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BD243C Тип материала: Si Максимальная рассеиваемая мощность (Pc):… Подробнее » Bd243c транзистор характеристики откуда можно выпаять

630 ква сколько квт

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Перевести кВт в кВА и обратно Мощность — это физическая величина, равная скорости изменения энергии системы. Формула для перевода кВт в кВА: Р — активная… Подробнее » 630 ква сколько квт

7mbr25sa120 50 как проверить

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким… Подробнее » 7mbr25sa120 50 как проверить

Abb esb 20 20 что это

  • автор: admin
  • 27.07.2023

Схема подключения контактора abb esb 20-20 через выключатель Контактор, который управляется выключателем, используется для включения и выключения энергоёмого оборудования. Наиболее наглядный пример работы такой связки… Подробнее » Abb esb 20 20 что это

80 грамм сколько кг

  • автор: admin
  • 27.07.2023

80 грамм — это сколько килограмм? В данном случае нам нужно выяснить, сколько килограмм в 80-ти граммах. Первым делом вспомним, что в одном килограмме ровно… Подробнее » 80 грамм сколько кг

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *