S8050 и ss8050 в чем отличие

Транзисторы S8050 и MJE13002(13002) .

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные. Производитель — Китай. Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка S8050.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов класса B — от 85 до 160, класса С — от 120до 200, класса D — от 160 до 300.

Граничная частота передачи тока:
У транзистора S8050 — 150 МГц.
У транзистора SS8050 — 190 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 25 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — У транзистора S8050 — 0,5 А, у SS8050 — 1,5 A.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора— У транзистора S8050 — 0.3 Вт., у SS8050 — 1Вт.

Отечественый аналог SS8050 — КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в — не более 0,1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 0,1 мА.

Транзисторы MJE13002(13002)

Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13002(13002).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 300 В.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 40 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в — не более 1 мА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

S8050 и ss8050 в чем отличие

Сдается, что не о том ключе речь, или не о том транзисторе.

Если уж нужен близкий «наш» аналог именно для 8050, то я бы выбирал из кт3117 или кт645 (они уж во всяком случае хоть что-то будут усиливать при токе 0,2-0,3 А, в отличие от кт502, кт503, и уж тем более от кт602 и кт604), а то и кт815/817, если разный корпус не проблема (полный аналог был заявлен среди каких-то из кт61хх, однако живьем мне так никогда и не попадался), хотя не знаю как у вас, а у нас и сам буржуйский оригинал уже дешевле всех этих аналогов стоит.

Только вот зачем такой транзистор в проводном телефоне, где напряжения в линии от 60 В и выше (при поступлении вызова), а токи всего несколько десятков миллиампер?

Транзистор S8050.Полное обозначение и замена.

Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

• Маркировку
• Тип корпуса
• Логотип производителя
• Используемый узел
• Схему включения

Какая маркировка электронных компонентов ?

Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).

Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.

Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента.
Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения.
Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.

Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

Какие типы корпусов электронных компонентов?

Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента.
На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)

Корпус	Краткое описание
DIP	(Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
SOT-89	Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23	Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOP	(SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
TO-220	Корпус для монтажа (пайки) в отверстия
TSOP	(Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
BGA	(Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

Где скачать справочник ?

Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:

Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25 О С, вот они:

• напряжение между К-Б V_CBO (U_{кб max}) — 40 В;
• напряжение между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) — 25 В;
• напряжение между Э-Б V_EBO (U_{эб max}) — 5 В;
• ток через коллектор I_C (I_{к max})
• в корпусе SOT-23 I_C (I_{к max}) – 500 мА;
• в корпусе ТО-92 I_C (I_{к max}) – 700 мА.
• мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
• в корпусе SOT-23 Р_к 300 мВт;
• в корпусе ТО-92 1 Вт
• допустимая температура кристалла +150 О С;
• рабочая температура от -55 до +150 О С.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25 О С. Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

• L от 120 до 200;
• H от 200 до 350;
• J от 300 до 400.

Аналоги

• Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
• Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
• Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.

Транзисторы S8050 и MJE13002(13002) .

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные. Производитель — Китай. Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка S8050.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов класса B — от 85 до 160, класса С — от 120до 200, класса D — от 160 до 300.

Граничная частота передачи тока:
У транзистора S8050 — 150 МГц.
У транзистора SS8050 — 190 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 25 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — У транзистора S8050 — 0,5 А, у SS8050 — 1,5 A.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора— У транзистора S8050 — 0.3 Вт., у SS8050 — 1Вт.

Отечественый аналог SS8050 — КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в — не более 0,1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 0,1 мА.

Транзисторы MJE13002(13002)

Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13002(13002).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 300 В.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 40 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в — не более 1 мА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Похожие публикации:

1. Cmos системы и часы реального времени что это
2. Что такое определяющая температура и определяющий размер
3. В какую сторону будет двигаться первоначально неподвижный электрон
4. Как изменяется температура воздуха при сжатии

Чем , кроме названия, отличается c8050 от ss8050?

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Поделиться

Последние посетители 0 пользователей онлайн

• Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

Сообщения

Что мешает подключить, например, контакты реле к этому переключателю, а реле управлять с малины? А без этой платы она не хочет работать?

Привет всем. Вообще, при включении программы на мультиварке Redmond RMC M4500, через некоторое время, начинает дымится. При включении в 220вт, тэн не нагревается. Разобрал, проверил мультиметром, ТЭН показывает 50 Ом сопротивления, при мощности 860w. Термо датчики( верхний, нижний) 50 КоМ, в термо предохранителе прозвон есть. Я так понимаю перегрев ТЭНа. Плата чистая, микротрещины не знаю пока как найти))) Плата управления рабочая. Я только начал учиться, не судите строго). Можете подсказать, что ещё влияет ( релле, стабилитрон . )? Как проверить? Не хочу нести в ремонт, уже ради принципа, хочется самому разобраться)))) Помогите пожалуйста.

Отладочный по нажатому + ? Ок. LM833, установка 0 потом отладочный при разомкнутых. LF353, заново установка 0 потом отладочный при разомкнутых.

Рассчитайте эквивалентный источник напряжения между точками 1 и 2. Я не совсем понимаю, что имелось ввиду. Рассчитать методом эквивалентного источника или что-то другое?

очень странное предпоследнее фото — сигнал на выходе (желтый) появляется раньше сигнала на входе (красный).. причем выход ОУ уходит в насыщение по + поменяйте все же ОУ если есть такая возможность.. типовое напряжение смещения таких ОУ находится в диапазоне 2 — 10 мВ.

S8050 Bipolar Transistor: Manufacturer, Specifications, S8050 vs SS8050 and More Details

S8050 is a low-power NPN silicon tube, which is composed of emitter area, base area and collector area. Its main function is to help electric current pass between circuits. Despite its small dimensions, the S8050 boasts the ability to endure high voltages and currents, resulting in exceptional durability and a lengthy operational lifespan. It can handle a maximum collector-base voltage of 40V and a collector current of 0.5A. The S8050 stands as a prevalent choice among semiconductor transistor models in circuit hardware design.

Replacements and equivalents:

Ⅱ. Manufacturer of S8050 transistor

The S8050 is manufactured by Micro Commercial Components Corp. (MCC). MCC is a global supplier and manufacturer founded in 1991, headquartered in California, USA, specializing in the production of commercial and advanced innovative discrete semiconductors. The company’s products include transistors, rectifiers, voltage regulators, MOSFETs, diodes and protection devices available in a variety of axial lead and surface mount packages. In addition, it offers a wide range of semiconductor devices in different sizes and types to meet customer needs.

Ⅲ. Specifications of S8050 transistor

• Junction temperature (TJ): 150°C

• Collector-base voltage (VCB): 30V

• Collector-emitter voltage (VCE): 20V

• Base-emitter voltage (VBE): 5V

• Collector current: 0.5A

• Collector-emitter saturation voltage (VCE): 0.6V

• DC current gain: 40~400hFE

• Collector dissipation: 300 mW

Ⅳ. Symbol, footprint and pin configuration of S8050 transistor

The figure below shows the symbol, footprint and pin configuration of the S8050 transistor.

It contains three layers, in which a P-doped semiconductor layer is encapsulated between two N-doped layers. The base terminal is a P-doped layer, while the emitter and collector are the other two layers. The transistor has three pins, their names and descriptions are as follows.

Pin 1 (Emitter): It’s the pin via which current drains from the transistor.

Pin 2 (Base): The base terminal triggers the transistor.

Pin 3 (Collector): It is the terminal via which collector currents leave the transistor.

Ⅴ. What are the features of S8050 transistor?

• Complementary PNP: The S8550 is a complementary PNP transistor to the S8050, and they are often used together in push-pull amplifier configurations.

• Amplification characteristics: It can be used as an amplifier and has moderate current amplification characteristics. Its amplification factor is usually between 30 and 300.

• High voltage resistance and high power: Despite its small size, the S8050 transistor boasts a VCEO of 25V and a maximum power rating of 2W. This enables it to function effectively in high-voltage conditions and deliver ample power for driving various circuits.

• Low voltage, high current: It usually operates at low voltage and can withstand larger currents.

• High frequency: It is a small semiconductor device with fast switching characteristics which makes it suitable for high frequency applications.

• Small signal transistor: S8050 transistor is usually used to process small signals, such as audio amplification or switching circuits. Its hFE is between 40-400, which allows it to amplify smaller input signals into larger output signals.

Ⅵ. How does the S8050 transistor work?

Its working principle is based on the forward and reverse bias characteristics of the PN junction.

1. Forward bias of PN junction

When the collector of the S8050 is forward biased, that is, the collector voltage is greater than the base voltage, the PN junction will be in a forward biased state. At this time, a forward bias voltage is formed between the base and the emitter, causing the base region to become narrower and the carrier concentration to increase. The forward bias voltage will attract a large number of electrons to be injected from the emitter to the base region, and at the same time drive a large number of holes to flow from the base region to the emitter. In the forward biased state, a conductive channel is formed between the collector and emitter of the S8050, and current can flow from the collector to the emitter.

2. Reverse bias of PN junction

When the collector of the S8050 is reverse biased, that is, the collector voltage is less than the base voltage, the PN junction will be in a reverse biased state. At this time, a reverse bias voltage is formed between the base and the emitter, causing the depletion region to become wider and the carrier concentration to decrease. The reverse bias voltage prevents the injection of electrons from the emitter to the base region and restricts the flow of holes from the base region to the emitter. In the reverse biased state, a cut-off channel is formed between the collector and emitter of the S8050, and current cannot flow from the collector to the emitter.

Ⅶ. What is the difference between S8050 and SS8050?

S8050 and SS8050 are both transistors, but there are some differences between them.

On the one hand, the two transistors differ in their parameters. For instance, the S8050 has a maximum drain voltage of -40V, whereas the SS8050 has a maximum drain voltage of -25V. Additionally, the S8050 can handle a maximum drain current of 700mA, while the SS8050 can handle up to 1.5A of maximum drain current.

On the other hand, there are also differences in polarity between the two. S8050 is a PNP transistor, while SS8050 is an NPN transistor. In circuit design, these two transistors are suitable for different application scenarios due to their opposite polarity.

Ⅷ. Package of S8050 transistor

The S8050 transistor comes in two package options: plug-in and SMD. Typically, TO-92 package is used for plug-in transistors, whereas SOT-23 package is preferred for chip transistors.

Ⅸ. Types of S8050 transistor

• According to power: small power tube, medium power tube and high power tube

• According to the installation method: SMD transistor, plug-in transistor

• According to material: silicon tube and germanium tube

• According to operating frequency: low frequency tube, high frequency tube and overclocking tube

• According to structural technology: flat tube, alloy tube

• According to structure: NPN transistor, PNP transistor

• According to function: power transistor, switching transistor, photosensitive transistor and Darlington transistor, etc.

Ⅹ. What are the applications of S8050 transistor?

1. Power control circuit

By adjusting the current and voltage of the S8050 transistor, the working state and power output of the load can be changed. By controlling the amplitude and frequency of the input signal, precise control of the load power can be achieved.

2. Voltage stabilizing circuit

The S8050 transistor can be employed in voltage stabilizing circuits to maintain a consistent voltage output, achieving stability by regulating the current flow.

3. Amplification circuit

It can amplify a weak input signal into a larger output signal to achieve the signal gain function.

4. Switch circuit

The S8050 transistor is versatile for applications in switching circuits, enabling the control of power supplies or loads by toggling current paths in various operational states.

5. Audio amplifier

With appropriate bias current and voltage control, the S8050 transistor can amplify the incoming audio signal to a sufficient level to drive speakers or headphones to produce audible sound.

Frequently Asked Questions

1. What is the equivalent of S8050?

Its equivalent models could be 2N5830, S9013, S9014, and 2N5551.

2. What is the function of S8050?

The S8050 is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull audio amplifiers and general-purpose applications. A transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power.

3. What is S8050 transistor used for?

This transistor is used for audio amplification as well as a wide range of general-purpose applications in electronic circuits, such as switching. The S8050 transistor works as a low voltage, high current transistor device in applications, and as a result, S8050 transistors are used in more general-purpose circuits.

4. What is the difference between S8050 and BC547 transistor?

The BC547 is categorized as «designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA.» The S8050 is categorized as «a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull audio amplifier and general purpose applications.»

Global Distributor of Electronic Components — Integrated Circuits — Semiconductors — RF transistor- Modules — Capacitors

• InformationAbout UsContact UsNewsLine CardAll Products
• SupportNew ProductsReturn & ReplacementPrivacy PolicyRequest QuoteSite Map
• Connect With Us Address: Room9 building 3,huaqiang Garden, Fuhong Rd,Futian District,Shenzhen,China Email: sales@ventronchip.com Skype: daisy@ventronchip.com Phone: 0086-755-82534191