Ее вводят для увеличения электропроводности что это
Перейти к содержимому

Ее вводят для увеличения электропроводности что это

  • автор:

У вас большие запросы!

Точнее, от вашего браузера их поступает слишком много, и сервер VK забил тревогу.

Эта страница была загружена по HTTP, вместо безопасного HTTPS, а значит телепортации обратно не будет.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы отключили сохранение Cookies, а они нужны, чтобы решить проблему.

Почему-то страница не получила всех данных, а без них она не работает.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы вернётесь на предыдущую страницу через 5 секунд.
Вернуться назад

Собственные и примесные полупроводники — ответы на популярные вопросы

Собственные полупроводники — это материалы, состоящие из одного типа атомов, например, кремния или германия. В этих материалах электроны могут переходить из валентной зоны в зону проводимости при достаточно высокой температуре или при попадании света. Это приводит к образованию свободных носителей заряда — электронов и дырок, которые могут перемещаться по кристаллу под действием электрического поля.

Примесные полупроводники — это материалы, в которые добавляют небольшое количество атомов других элементов, называемых примесями.

Примеси могут быть двух типов: донорными и акцепторными. Донорные примеси имеют больше валентных электронов, чем атомы основного материала, и могут отдавать их в зону проводимости. Акцепторные примеси имеют меньше валентных электронов, чем атомы основного материала, и могут принимать их из валентной зоны.

Таким образом, донорные примеси увеличивают концентрацию электронов в полупроводнике, а акцепторные — концентрацию дырок. Полупроводники с донорными примесями называются n-типа, а с акцепторными — p-типа.

Примесные полупроводники имеют большую проводимость, чем собственные, так как у них больше свободных носителей заряда. Кроме того, они позволяют создавать различные устройства на основе p-n-переходов, такие как диоды, транзисторы, светодиоды, лазеры и солнечные батареи.

P-n-переход образуется при соединении полупроводников p-типа и n-типа. В этом случае происходит диффузия носителей заряда из области с большей концентрацией в область с меньшей концентрацией, что приводит к образованию обедненной зоны — слоя без свободных носителей заряда.

В этом слое возникает электрическое поле, которое препятствует дальнейшей диффузии носителей заряда. P-n-переход имеет одностороннюю проводимость: он пропускает ток при определенном направлении поляризации и блокирует его при обратном.

Собственные и примесные полупроводники

Что является основной причиной образования энергетических зон в твердом теле? Почему энергетические зоны, соответствующие внутренним электронным оболочкам атомов, перекрывают меньший интервал энергии, чем зона валентных электронов?

Все мы знаем, что атомы состоят из ядра и электронов, которые вращаются вокруг него на определенных расстояниях. Эти расстояния называются электронными оболочками, и каждая оболочка может вмещать определенное число электронов.

Электроны на разных оболочках имеют разную энергию, и эта энергия может принимать только дискретные значения, то есть не может быть любой, а только определенной величины. Это связано с квантовой природой электронов, которые ведут себя как волны и частицы одновременно.

Когда атомы объединяются в молекулы или кристаллы, они начинают взаимодействовать друг с другом своими электронами и электромагнитными полями. Это взаимодействие приводит к тому, что энергия электронов изменяется и расщепляется на множество близких значений, образуя так называемые энергетические зоны.

Энергетические зоны — это участки на графике зависимости энергии электрона от его положения в кристалле, где энергия может принимать любое значение внутри зоны, но не может быть между зонами. Между зонами есть запрещенные промежутки, где энергия электрона не может быть в принципе.

Энергетические зоны в твердом теле зависят от типа атомов, из которых состоит кристалл, и от их расположения в пространстве. В разных веществах зоны могут быть шире или уже, а запрещенные промежутки могут быть больше или меньше. По этим параметрам вещества делят на проводники, полупроводники и диэлектрики.

В проводниках наивысшая энергетическая зона, называемая зоной проводимости, частично заполнена электронами, которые могут свободно перемещаться по кристаллу под действием электрического поля.

В диэлектриках зона проводимости пуста, а запрещенный промежуток между ней и предыдущей зоной, называемой валентной зоной, очень велик. Это означает, что электроны не могут переходить из валентной зоны в зону проводимости и участвовать в электропроводности.

В полупроводниках зона проводимости также пуста, но запрещенный промежуток между ней и валентной зоной меньше, чем в диэлектриках. Это означает, что при повышении температуры или освещении часть электронов может получить достаточно энергии, чтобы перейти из валентной зоны в зону проводимости и обеспечить электропроводность.

Теперь мы можем ответить на вопрос, почему энергетические зоны, соответствующие внутренним электронным оболочкам атомов, перекрывают меньший интервал энергии, чем зона валентных электронов.

Дело в том, что внутренние электроны сильнее связаны с ядрами атомов и меньше подвержены влиянию соседних атомов. Поэтому их энергия меняется не так сильно, когда атомы объединяются в кристалл. Валентные электроны, наоборот, слабо связаны с ядрами и сильнее взаимодействуют с другими электронами и атомами, что приводит к большему расщеплению их энергетических уровней. Таким образом, валентная зона оказывается шире, чем зоны внутренних электронов.

Как влияет симметрия кристаллической решетки на расщепление энергетических уровней в зоны?

Как вы уже знаете, кристаллы состоят из атомов, которые упорядоченно расположены в пространстве. Это расположение называется кристаллической решеткой, и оно имеет определенную симметрию. Симметрия означает, что кристалл выглядит одинаково при некоторых преобразованиях, таких как поворот, отражение или сдвиг.

Атомы в кристалле имеют свои энергетические уровни, на которых могут находиться электроны. Эти уровни зависят от расстояния между атомами и их взаимодействия. Когда атомы объединяются в кристалл, их энергетические уровни изменяются и расщепляются на множество близких значений, образуя так называемые энергетические зоны.

Между энергетическими зонами есть запрещенные промежутки, где энергия электрона не может быть в принципе. Расщепление энергетических уровней в зоны зависит от симметрии кристаллической решетки, потому что симметрия определяет, какие волновые функции электронов допустимы в кристалле.

Волновая функция описывает вероятность нахождения электрона в определенном месте и имеет определенную энергию. Волновая функция должна быть согласована с симметрией кристалла, то есть не изменяться при преобразованиях симметрии. Это называется принципом симметрического адаптирования.

Таким образом, симметрия кристалла ограничивает возможные волновые функции электронов и, соответственно, их энергии. Например, если кристалл имеет четырехугольную симметрию, то есть он выглядит одинаково при повороте на 90 градусов вокруг некоторой оси, то волновая функция электрона должна иметь ту же симметрию. Это означает, что волновая функция может быть либо симметричной, либо антисимметричной относительно поворота на 90 градусов.

Симметричная волновая функция не меняется при повороте, а антисимметричная меняет знак. Симметричные и антисимметричные волновые функции имеют разные энергии, и поэтому образуют разные энергетические зоны. Таким образом, симметрия кристалла влияет на расщепление энергетических уровней в зоны.

Существует ли принципиальное различие между электронами проводимости в полупроводниках (и металлах) и свободными электронами?

Свободные электроны — это электроны, которые не принадлежат ни одному атому и могут свободно перемещаться в пространстве. Свободные электроны образуются, например, при ионизации атомов под действием высокоэнергетического излучения или электрического поля. Свободные электроны имеют энергию, равную сумме кинетической и потенциальной энергии во внешнем поле, и массу, равную массе покоя электрона.

Электроны проводимости — это электроны, которые участвуют в переносе электрического заряда в кристалле, то есть в электропроводности. Электроны проводимости могут быть как делокализованными, то есть не связанными с конкретным атомом, так и локализованными, то есть связанными с атомом или примесью.

Делокализованные электроны проводимости образуются в результате перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости под действием тепловой энергии, освещения или электрического поля. Локализованные электроны проводимости образуются в результате ионизации примесных атомов или дефектов кристаллической решетки.

Электроны проводимости имеют энергию, зависящую от их квазиимпульса и потенциала кристалла, и эффективную массу, зависящую от кривизны энергетической зоны.

Существует принципиальное различие между электронами проводимости в полупроводниках (и металлах) и свободными электронами.

Свободные электроны не взаимодействуют с кристаллической решеткой и другими электронами, а электроны проводимости взаимодействуют с ними посредством квантовых эффектов. Это влияет на их энергию, массу, скорость и рассеяние. Кроме того, свободные электроны могут существовать в любом веществе или в вакууме, а электроны проводимости существуют только в проводниках и полупроводниках, где есть энергетические зоны и запрещенные промежутки.

При комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Каким образом электроны из валентной зоны могут переходить в зону проводимости в собственном полупроводнике?

Полупроводники имеют особую структуру энергетических уровней, на которых могут находиться электроны. Эти уровни образуют так называемые энергетические зоны — участки, где энергия электрона может принимать любое значение внутри зоны, но не может быть между зонами.

Между зонами есть запрещенные промежутки, где энергия электрона не может быть в принципе. Ширина запрещенного промежутка между валентной зоной и зоной проводимости определяет тип и свойства полупроводника.

Чтобы полупроводник мог проводить ток, нужно, чтобы в зоне проводимости были электроны, а в валентной зоне — дырки, то есть свободные места, оставшиеся после перехода электронов. Дырки ведут себя как положительные заряды и также могут перемещаться по кристаллу под действием электрического поля. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости называется ионизацией.

При комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Это означает, что большинство электронов не могут получить достаточно энергии, чтобы перейти из валентной зоны в зону проводимости.

Однако, существует ненулевая вероятность, что некоторые электроны могут получить энергию, превышающую ширину запрещенной зоны, за счет столкновений с другими частицами или внешними воздействиями. Такие электроны могут переходить в зону проводимости, оставляя за собой дырки в валентной зоне. Этот процесс называется термической ионизацией и он является основным механизмом образования электронов и дырок в собственном полупроводнике.

Количество электронов и дырок, образующихся в результате термической ионизации, зависит от температуры и ширины запрещенной зоны. Чем выше температура, тем больше энергии имеют тепловые колебания атомов и тем больше вероятность перехода электронов в зону проводимости.

Чем меньше ширина запрещенной зоны, тем меньше энергии нужно электронам для перехода в зону проводимости. Поэтому, при повышении температуры или уменьшении ширины запрещенной зоны, концентрация электронов и дырок в полупроводнике увеличивается, а его электрическое сопротивление уменьшается.

Объясните, какая из дырок обладает большей энергией: в центре валентной зоны или у ее потолка

Дырка — это квазичастица, которая представляет собой отсутствие электрона в почти полностью заполненной валентной зоне полупроводника.

Валентная зона — это наивысшая энергетическая зона, которая целиком заполнена электронами в основном состоянии (при Т = 0 К). Энергия дырки определяется как разность между энергией потолка валентной зоны и энергией электрона, который покинул свое место в валентной зоне. Чем больше энергия электрона, тем меньше энергия дырки.

Энергия электрона в валентной зоне зависит от его квазиимпульса, который характеризует его волновые свойства. Квазиимпульс электрона может принимать различные значения в пределах валентной зоны, но не может быть между зонами.

Энергия электрона в валентной зоне имеет минимальное значение в центре зоны и максимальное значение у ее краев. Это означает, что электрон в центре валентной зоны имеет наименьшую энергию, а электрон у потолка валентной зоны имеет наибольшую энергию.

Следовательно, дырка в центре валентной зоны обладает большей энергией, чем дырка у потолка валентной зоны, потому что электрон, который ее оставил, имеет меньшую энергию, чем электрон, который оставил дырку у потолка. Другими словами, чем выше электрон в валентной зоне, тем ниже дырка, которую он оставляет..

При каких условиях энергетические уровни примесей можно считать дискретными?

Энергетические уровни примесей можно считать дискретными, если они не перекрываются друг с другом и с основными зонами. Это означает, что энергия электрона на примесном уровне может принимать только одно определенное значение, а не любое в некотором интервале. Дискретность энергетических уровней примесей зависит от концентрации примесей в кристалле и от ширины запрещенной зоны полупроводника.

При небольшой концентрации примесей, когда расстояние между примесными атомами велико, их взаимодействие друг с другом слабое, и поэтому их энергетические уровни не смещаются и не расширяются. Такие уровни называются мелкими примесными уровнями, потому что они лежат близко к основным зонам и отстоят от них на сотые или тысячные доли электрон-вольта.

Мелкие примесные уровни можно считать дискретными, так как они не перекрываются друг с другом и с основными зонами.

При большой концентрации примесей, когда расстояние между примесными атомами мало, их взаимодействие друг с другом сильное, и поэтому их энергетические уровни смещаются и расширяются. Такие уровни называются глубокими примесными уровнями, потому что они лежат далеко от основных зон и отстоят от них на десятые или сотые доли электрон-вольта.

Глубокие примесные уровни не всегда можно считать дискретными, так как они могут перекрываться друг с другом и образовывать примесные зоны. Примесные зоны — это участки, где энергия электрона может принимать любое значение внутри зоны, но не может быть между зонами.

Ширина запрещенной зоны полупроводника также влияет на дискретность энергетических уровней примесей. Чем больше ширина запрещенной зоны, тем меньше вероятность перекрытия примесных уровней с основными зонами.

Например, в полупроводниках с широкой запрещенной зоной, таких как алмаз или карбид кремния, примесные уровни обычно дискретные, а в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, таких как арсенид галлия или фосфид индия, примесные уровни могут перекрываться с основными зонами и образовывать примесные зоны.

Установите взаимосвязь между доиорным или акцепторным поведением примесей замещения в ковалентных полупроводниках и валентностью примесных атомов.

Ковалентные полупроводники — это вещества, в которых атомы связаны между собой ковалентными связями, то есть общими электронными парами. Примерами ковалентных полупроводников являются кремний, германий, арсенид галлия и др.

В ковалентных полупроводниках энергетические уровни электронов образуют так называемые энергетические зоны — участки, где энергия электрона может принимать любое значение внутри зоны, но не может быть между зонами. Между зонами есть запрещенные промежутки, где энергия электрона не может быть в принципе.

В ковалентных полупроводниках есть две основные зоны: валентная зона и зона проводимости.

Валентная зона — это наивысшая зона, которая заполнена электронами при абсолютном нуле температуры. Эти электроны связаны с атомами и не могут перемещаться по кристаллу.

Зона проводимости — это следующая зона, которая пуста при абсолютном нуле температуры. Эти электроны не связаны с атомами и могут свободно перемещаться по кристаллу под действием электрического поля. Ширина запрещенного промежутка между валентной зоной и зоной проводимости определяет тип и свойства полупроводника.

Чтобы полупроводник мог проводить ток, нужно, чтобы в зоне проводимости были электроны, а в валентной зоне — дырки, то есть свободные места, оставшиеся после перехода электронов. Дырки ведут себя как положительные заряды и также могут перемещаться по кристаллу под действием электрического поля. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости называется ионизацией.

Ионизация в ковалентных полупроводниках может происходить под действием тепловой энергии, освещения или электрического поля. Однако, при комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Это означает, что большинство электронов не могут получить достаточно энергии, чтобы перейти из валентной зоны в зону проводимости. Поэтому, для увеличения электропроводности ковалентных полупроводников в них вводят примеси.

Примеси — это чужеродные атомы, которые попадают в кристалл полупроводника и нарушают его периодическую структуру. Примеси могут быть донорными или акцепторными, в зависимости от того, отдают они электрон в зону проводимости или принимают электрон из валентной зоны. Примеси создают в кристалле дополнительные энергетические уровни, которые лежат в запрещенной зоне между основными зонами полупроводника.

Донорные примеси — это атомы, которые имеют большую валентность, чем атомы основного вещества. Например, если в кристалл кремния, у которого валентность равна четырем, ввести атом фосфора, у которого валентность равна пяти, то один электрон фосфора будет избыточным и не будет участвовать в ковалентных связях.

Этот электрон будет слабо связан с атомом фосфора и легко отдаваться в зону проводимости при небольшом повышении температуры или приложении электрического поля.

Таким образом, донорная примесь увеличивает концентрацию электронов в зоне проводимости и делает полупроводник электронным типом проводимости. Энергетический уровень донорной примеси лежит близко к зоне проводимости и называется донорным уровнем.

Акцепторные примеси — это атомы, которые имеют меньшую валентность, чем атомы основного вещества. Например, если в кристалл кремния ввести атом бора, у которого валентность равна трем, то одна ковалентная связь будет незаполненной и будет представлять собой дырку.

Эта дырка будет слабо связана с атомом бора и легко принимать электрон из валентной зоны при небольшом повышении температуры или приложении электрического поля.

Таким образом, акцепторная примесь увеличивает концентрацию дырок в валентной зоне и делает полупроводник дырочным типом проводимости. Энергетический уровень акцепторной примеси лежит близко к валентной зоне и называется акцепторным уровнем.

Таким образом, можно установить взаимосвязь между донорным или акцепторным поведением примесей замещения в ковалентных полупроводниках и валентностью примесных атомов.

Донорные примеси имеют большую валентность, чем атомы основного вещества, и отдают избыточные электроны в зону проводимости. Акцепторные примеси имеют меньшую валентность, чем атомы основного вещества, и принимают недостающие электроны из валентной зоны. Это влияет на тип и величину электропроводности ковалентных полупроводников.

Почему при вхождении в кристаллическую решетку полупроводника энергия ионизации примесного атома, играющего роль донора, уменьшается в десятки раз.

Полупроводники — это материалы, которые могут проводить электрический ток, но не так хорошо, как металлы. Полупроводники имеют особую структуру энергетических уровней, на которых могут находиться электроны. Эти уровни образуют так называемые энергетические зоны — участки, где энергия электрона может принимать любое значение внутри зоны, но не может быть между зонами. Между зонами есть запрещенные промежутки, где энергия электрона не может быть в принципе.

Чтобы полупроводник мог проводить ток, нужно, чтобы в зоне проводимости были электроны, а в валентной зоне — дырки, то есть свободные места, оставшиеся после перехода электронов. Дырки ведут себя как положительные заряды и также могут перемещаться по кристаллу под действием электрического поля. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости называется ионизацией.

Ионизация в полупроводниках может происходить под действием тепловой энергии, освещения или электрического поля. Однако, при комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Это означает, что большинство электронов не могут получить достаточно энергии, чтобы перейти из валентной зоны в зону проводимости. Поэтому, для увеличения электропроводности полупроводников в них вводят примеси.

При вхождении в кристаллическую решетку полупроводника энергия ионизации примесного атома, играющего роль донора, уменьшается в десятки раз по сравнению с энергией ионизации этого атома в изолированном состоянии. Это объясняется тем, что примесный атом в кристалле находится в потенциальной яме, создаваемой атомами основного вещества, и поэтому его электрон имеет меньшую энергию, чем в свободном пространстве.

Чтобы вырвать этот электрон из ямы, нужно приложить меньшую энергию, чем для ионизации изолированного атома. Величина этой энергии зависит от глубины потенциальной ямы, которая, в свою очередь, зависит от валентности примесного атома, расстояния между атомами в кристалле и электронной структуры полупроводника.

Объясните, в чем различие между вырожденным и невырожденным электронным газом

Вырожденный и невырожденный электронный газ — это два разных состояния газа, состоящего из электронов. Электроны — это частицы, которые подчиняются принципу Паули: это значит, что два электрона не могут находиться в одном и том же квантовом состоянии. Квантовое состояние определяется набором чисел, которые характеризуют энергию, импульс, спин и другие свойства электрона.

В невырожденном электронном газе электроны занимают самые низкие энергетические уровни, которые доступны им, и имеют достаточно свободного места для движения. Температура и давление такого газа определяются степенью его разреженности и скоростью электронов.

В невырожденном газе среднее расстояние между электронами гораздо больше, чем де Бройлевская длина волны, которая характеризует волновые свойства электронов. Примером невырожденного электронного газа может быть обычный металл при комнатной температуре.

В вырожденном электронном газе электроны сильно сжаты и заполняют все доступные энергетические уровни до некоторого максимального значения, называемого энергией Ферми. Температура и давление такого газа определяются только энергией Ферми и не зависят от степени сжатия.

В вырожденном газе среднее расстояние между электронами сравнимо с де Бройлевской длиной волны, и электроны проявляют сильные квантовые эффекты. Примером вырожденного электронного газа может быть внутренность белого карлика — звезды, которая удерживается от коллапса давлением вырожденных электронов.

  • Контактные явления и термоЭДС — ответы на популярные вопросы
  • Как конденсатор переворачивает мир электрических цепей: От секретов хранения энергии до магии электроники
  • Магнетизм в повседневной жизни, роль магнитов и электромагнитов в технике

Надеюсь, что эта статья была для вас полезной. Смотрите также другие статьи в категории Электрическая энергия в быту и на производстве » В помощь начинающим электрикам

Подписывайтесь на наш канал в Telegram: Домашняя электрика

У вас большие запросы!

Точнее, от вашего браузера их поступает слишком много, и сервер VK забил тревогу.

Эта страница была загружена по HTTP, вместо безопасного HTTPS, а значит телепортации обратно не будет.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы отключили сохранение Cookies, а они нужны, чтобы решить проблему.

Почему-то страница не получила всех данных, а без них она не работает.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы вернётесь на предыдущую страницу через 5 секунд.
Вернуться назад

P-n-переход

Электроника базируется в основном на использовании полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных микросхем (ИМС). В полупроводниковых приборах используется свойство односторонней проводимости p-n -переходов. Электронно-дырочным называют такой p-n- переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной (n) и дырочной (p). Получают p-n- переход с помощью диффузии или эпитаксии.

В физике твёрдого тела, ды?рка — это отсутствие электрона в электронной оболочке. Для создания дырок в полупроводниках используется легирование кристаллов акцепторными примесями. Кроме того, дырки могут возникать и в результате внешних воздействий: теплового возбуждения электронов из валентной зоны в зону проводимости, освещения светом или облучения ионизирующим излучением.

p-n-перехо?д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.

Полупроводниковые элементы включают группу элементов с собственной электропроводностью 10 2 -10 -8 См/м. Электри?ческая проводи?мость (электропроводность, проводимость) — способность тела проводить электрический ток, а также физическая величина, характеризующая эту способность и обратная электрическому сопротивлению. В Международной системе единиц (СИ) единицей измерения электрической проводимости является сименс.

Согласно зонной теории к полупроводникам относят элементы, у которых ширина запрещенной энергетической зоны

Рисунок 9 — Полупроводник без примеси У проводников запрещенная зона отсутствует.

Электронно-дырочная проводимость возникает в результате разрыва валентных связей, являясь собственной проводимостью, которая обычно невелика. Под воздействием электрического поля, температуры и других внешних факторов электрические свойства полупроводников изменяются в значительно большей степени, чем свойства проводников и диэлектриков.

Для увеличения электропроводности в полупроводники вводят незначительное количество примесей, при этом оказывается, что в зависимости от рода примеси получают как полупроводники с дырочной проводимостью (при добавках трёхвалентной примеси — акцепторов типа индий (In)), называемых полупроводниками p -типа, так и полупроводники с электронной проводимостью (при добавках пятивалентной примеси — доноров типа мышьяк (As)), называемых полупроводниками n -типа.

При сплавлении полупроводников различных типов создаётся область объёмного заряда по обе стороны от границы раздела, называемая электронно-дырочным или p-n -переходом.

В полупроводнике p-типа концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n-типа концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток — носители заряда, хаотично двигаясь, перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше. При такой диффузии электроны и дырки переносят с собой заряд.

Как следствие, область на границе станет заряженной, и область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе раздела, получит дополнительный отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получит положительный заряд, приносимый дырками. Таким образом, граница раздела будет окружена двумя областями пространственного заряда противоположного знака.

Электрическое поле, возникающее вследствие образования областей пространственного заряда, вызывает дрейфовый ток в направлении, противоположном диффузионному току. В конце концов, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие и перетекание зарядов прекращается.

При этом возникает так называемый запирающий (барьерный) слой в несколько микрометров, лишенный носителей заряда, с напряженностью Eз электрического поля, которая препятствует диффузии носителей заряда (рис. 10, а).

Рисунок 10 – Запирающий слой: а) при отсутствии напряжения; б) при подаче обратного напряжения; в) при подаче прямого напряжения

Если к p-n -переходу приложить обратное напряжение (рис. 10, б), то создаваемая им напряженность Eз электрического поля повышает потенциальный барьер и препятствует переходу электронов из n -области в p -область и дырок из p -области в n -область. При этом поток неосновных носителей (дырок из n -области и электронов из p -области), их экстракция, образует обратный ток Iобр.

Если включить внешний источник энергии Е, как это показано на рис. 10, в, то создаваемая им напряженность электрического поля будет противополож-ной направлению напряженности Eз объёмного заряда, и в область раздела полупроводников будет инжектироваться все большее количество дырок (являющимися неосновными для n -области носителями заряда), которые и образуют прямой ток Iпр. При напряжении 0,3-0,5 В запирающий слой исчезнет, и ток Iпр определяется только сопротивлением полупроводника.

Встречной инжекцией электронов в p -область можно пренебречь, так как число дырок в рассматриваемом примере, а следовательно, и основных носителей заряда больше в p -области, чем свободных электронов в n -области, т. е.

где Na и Nд — концентрации акцепторов и доноров в p — и n -областях.

Область кристалла, имеющая более высокую концентрацию примесей, называют эмиттером, а вторую, с меньшей концентрацией, — базой.

Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *