Как найти аналог транзистора
Перейти к содержимому

Как найти аналог транзистора

  • автор:

Транзисторы.

Т ранзистор — радиоэлектронный компонент изготовленный на основе полупроводникового материала, часто(не всегда) снабженный тремя выводами, позволяющий управлять током в электрической цепи, при помощи входного сигнала. Управляющий сигнал не обязательно должен быть электрическим. Например, фототранзисторы — управляются светом.

Применяется для усиления слабых сигналов переменного и постоянного тока, генерации гармонических колебаний, как ключевой элемент электронных логических элементов.

Транзисторы по принципу работы, можно разделить на два основных вида — биполярные и полевые. При работе биполярных транзисторов используется два вида носителей тока — отрицательные электроны и положительные т. н. — «дырки». В работе отдельного полевого транзистора участствует какой — то один из видов носителей тока, в зависимости от вида проводника(p либо n). Биполярные транзисторы имеют сравнительно небольшое сопротивление и как правило — управляются током. Входное сопротивление полевых транзисторов велико( у транзисторов с изолированным затвором носит фактически — емкостной характер) и они управляются напряжением. Биполярные транзисторы чаще используются в аналоговой технике нежели полевые, а полевые — чаще в цифровой.
Конечно, последнее время использование транзисторов, как дискретных (отдельных) элементов — существенно ограниченно. Интегральные микросхемы, на основе как транзисторов биполярных, так и полевых «правят бал». И все-же, в случаях, когда требуется сопряжение различных устройств, управление сильными токами и высокими напряжениями — без дискретных транзисторов пока еще, не обойтись.

Первый патент на полевый транзистор, был получен в 1934 году германским физиком Оскаром Хайлом. Первый действующий образец биполярного транзистора был создан в 1947 году Уильямом Шокли, Джимом Бардином и Уолтером Браттейном в лабораториях Bell Labs. С середины пятидесятых годов биполярный транзистор начал свое победоносное шествие, постепенно вытесняя собой электронные лампы.

Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств:
малые размеры и небольшой вес, что ведет к миниатюризации электронных устройств;
высокая степень автоматизации производственных процессов и как следствие — снижение удельной стоимости;
низкие рабочие напряжения, позволяют использовать транзисторы в портативных электронных устройствах, с автономным низковольтным питанием;
Значительно большая энергоэффективность, из-за отсутствия необходимости накала катода.
высокая надёжность и большая физическая прочность — стойкость к механическим ударам и вибрации ;
более продолжительный срок службы — более 50 лет;

Несмотря на то, что принцип работы полевого транзистора значительно проще, довольно долгое время, он оставался «на втором плане.» Полевые МОП транзисторы являющиеся основой современных цифровых технологий были изготовлены в 1960 году. Понадобилось более тридцати лет, прежде чем МОП технология одержала верх над биполярной, главным образом, в области конструирования интегральных цифровых микросхем.

Как устроен транзистор.

Вне зависимости от принципа работы, полупроводниковый транзистор содержит в себе монокристалл из основного полупроводникового материала, чаще всего это — кремний, германий, арсенид галлия. В основной материал добавлены, легирующие добавки для формирования p-n перехода(переходов), металлические выводы.

Кристалл помещается в металлический, пластиковый или керамический корпус, для защиты от внешних воздействий. Однако, существуют также и бескорпусные транзисторы.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Зарубежные полевые транзисторы и их аналоги.

Наиболее популярные зарубежные полевые транзисторы и их аналоги.

В таблице, расположенной ниже вы можете найти наиболее распространенные типы зарубежных полевых транзисторов, соответствующие комплиментарные им типы, а так же и их аналоги (эквиваленты), в т. ч. и отечественные.

Тип
прибора.
Отече-
ственый
аналог.
Техно-
логия.
Тип
ка-/
нала.
Экви-
валент.
2SJ50 МДП p 2SJ56
2SJ56 МДП p 2SJ50
2SK135 МДП n 2SK176
2SK176 МДП n 2SK135
2N3819 КП307Б p-n n
2N3820 p-n p
2N4092 КП902А p-n n
2N4118 p-n n
2N4220 КП329Б p-n n
2N4351 КП331А p-n n
2N4391 КП914 p-n n 2N4392
2N4392 КП914 p-n n 2N4391
2N4393 КП333 p-n n 2N4392
2N4416 КП329А p-n n
2N4858 p-n n
2N4861 p-n n
2N5457 КП307Е p-n n
2N5460 p-n p 2N5461
2N5461 p-n p 2N5460
2N5486 p-n n
2N7000 МДП n
2N7007 МДП n
2N7010 МДП n
2N7014 МДП n
2N7054 МДП n
2N7055 МДП n
2N7058 МДП n
BF244A КП307Ж p-n n BF245A
BF245A КП329А p-n n BF244A
BUZ11 МДП n
IRF120 КП922Б МДП n
IRF130 КП912 МДП n
IRF330 МДП n
IRF510 КП510 МДП n IRF511
IRF511 МДП n IRF510
IRF520 КП520 МДП n
IRF530 КП530 МДП n IRF531
IRF531 МДП n IRF530
IRF540 КП540 МДП n
IRF610 КП610 МДП n
IRF620 КП620 МДП n IRF621
IRF621 МДП n IRF620
IRF640 КП640 МДП n
IRF710 КП710 МДП n
IRF720 КП720 МДП n
IRF730 КП730 МДП n IRF720
IRF830 МДП n IRF831
IRF831 МДП n IRF830
IRF840 МДП n
J309 p-n n J310
J310 p-n n J309
VN10LM МДП n VN10KM
VN10KM МДП n VN10LM
VN46AF МДП n
VN66AF МДП n
VN88AF МДП n

Как найти аналог транзистора

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Code
100DA025D
100T2
101NU70
101NU71
102NU70
102NU71
103NU70
103NU71
104NU70
104NU71
104T2
105NU70
106NU70
1074GE
107NU70
108T2
109T2
10AM20
111T2
111T2‑18
1129NTV1
1165905
121‑1003
121‑1019
121‑1029
121‑1029‑01
121‑1033
121‑1037
121‑1039
121‑1040
121‑1058
121‑1061‑01
121‑477
121‑695
121‑713
121‑744
121‑746
121‑755
121‑792
129NT1A‑1
129NT1B‑1
129NT1D‑1
129NT1E‑1
129NT1G‑1
129NT1V‑1
129NT1ZH‑1
12A02CH AD
12A02CH‑TL‑E AD
12A02MH AK
12A02MH‑TL‑E AK
13001 8D
13001‑0
13001‑2
13001‑A
13001S
13002AH
13003
13003A
13003AD
13003ADA
13003B
13003BS
13003C
13003D
13003DE
13003DF
13003DH
13003DW
13003E
13003EDA
13003F
13005
13005A
13005AD
13005ADL
13005D
13005DL
13005EC
13005ED
13005F
13005S
13005SD
13005SDL
13007
13007DL
13007S
13007T
13009
13009A
13009SDL
13009T
1401
1402
142T2
1501
1502
152NU70
153NU70
154NU70
155NU70
159NT1A
159NT1B
159NT1D
159NT1E
159NT1G
159NT1V
15C01C YP
15C01C‑TB‑E YP
15C01M YP
15C01M‑TL‑E YP
15C01SS YP
15C01SS‑TL‑E
15C02CH CD
15C02CH‑TL‑E CD
15C02MH CK
15C02MH‑TL‑E CK
15GN01CA ZX
15GN01CA‑TB‑E ZX
15GN01MA ZA
15GN01MA‑TL‑E ZA
15GN03CA ZU
15GN03CA‑TB‑E ZU
15GN03FA ZC
15GN03FA‑TL‑H ZC
15GN03MA ZC
15GN03MA‑TL‑E ZC
1601
1602
16029
16039
16207
16207B
16298
16299
16300
16305
16306
16315
16316
16317
16318
16334
16335
16343
16503
16562
16563
16585
16586
16606
1664
16656
16668
16810
16811
16924
1701
1702
17322
17323
17375
17389
17390
17391
17484
17520
17521
17560
17561
17597
1801
1802
180T2
180T2A
181T2
181T2A
182T2
182T2A
182T2C
183T2
183T2C
184T2
185T2
193DT2
1D500A‑030
1DI200A‑120
1DI200E‑055
1DI200K‑055
1DI200Z‑100
1DI300D‑100
1DI300Z‑120
1DI30MA‑050
1DI400A‑120
1DI480A‑055
1DI50F‑100
1DI50H‑055
1DI50K‑055
1DI50MA‑050
1DI75E‑055
1DI75E‑100
1DI75F‑055
1DI75F‑100
1SC1383
2222A 1P
25DB070D
26DB080D
27925
28025
29012H 2T1
2A847
2B3440CSM4R
2C111
2C1893
2C2222A
2C2222AKB
2C2857
2C2904A
2C2907A
2C2920KV
2C3019
2C3506
2C3637KV
2C3866A
2C3960
2C4261
2C444
2C4957
2C5109
2C6193
2C746
2C918
2CF2325
2CY17
2CY18
2CY19
2CY20
2CY21
2CY22
2CY30
2CY31
2CY32
2CY33
2CY34
2CY38
2CY39
2DA1201Y 1T2
2DA1213O P25X
2DA1213Y P25Y
2DA1774Q 8A
2DA1774QLP
2DA1774R 8B
2DA1774S 8C
2DA1797 1797
2DA1971 1S2
2DA2018
2DB1119S P12BS
2DB1132P P13P
2DB1132Q P13 P13Q
2DB1132R P13R
2DB1182Q
2DB1184Q
2DB1188P P23P
2DB1188Q P23 P23Q
2DB1188R P23R
2DB1386Q KP3 KP3Q
2DB1386R KP3R
2DB1424R P33R
2DB1689
2DB1694
2DB1697 1697
2DB1713 1713
2DB1714 1714
2DC2412R
2DC4617Q 8D
2DC4617QLP
2DC4617R 8E
2DC4617S 8F
2DC4672 4672
2DD1621T
2DD1664P
2DD1664Q
2DD1664R
2DD1766P N23P
2DD1766Q N23Q
2DD1766R N23R
2DD2098R
2DD2150R
2DD2652
2DD2656
2DD2661
2DD2678
2DD2679
2DI100A‑120
2DI100D‑050
2DI100D‑100
2DI100Z‑100
2DI100Z‑120
2DI150A‑120
2DI150D‑050
2DI150D‑100
2DI150Z‑100
2DI150Z‑120
2DI200A‑050
2DI200D‑100
2DI240A‑055
2DI300A‑050
2DI30A‑120
2DI30D‑050A
2DI30D‑100
2DI50A‑120
2DI50D‑050A
2DI50D‑100
2DI50M‑050
2DI50M‑120
2DI50Z‑100
2DI50Z‑120
2DI75D‑050A
2DI75D‑100
2DI75M‑120
2DI75Z‑120
2G10
2G101
2G102
2G1024
2G1025
2G1026
2G1027
2G103
2G104
2G106
2G108
2G109
2G110
2G138
2G139
2G140
2G141
2G20
2G201
2G202
2G210
2G220
2G221
2G222
2G223
2G224
2G225
2G226
2G227
2G228
2G229
2G230
2G231
2G240
2G271
2G30
2G301
2G302
2G303
2G304
2G306
2G308
2G309
2G319
2G320
2G321
2G322
2G323
2G324
2G339
2G344
2G345
2G371
2G374
2G376
2G377
2G381
2G382
2G383
2G384
2G385
2G386
2G387
2G394
2G395
2G396
2G397
2G398
2G40
2G401
2G402
2G403
2G404
2G413
2G414
2G415
2G416
2G417
2G508
2G509
2G524
2G525
2G526
2G527
2G577
2G601
2G602
2G603
2G604
2G605
2H1254
2H1255
2H1256
2H1257
2H1258
2H1259
2KW8629
2N100
2N1000
2N1003
2N1004
2N1005
2N1006
2N1007
2N1008
2N1008A
2N1008B
2N1009
2N101
2N101‑13
2N1010
2N1011
2N1012
2N1013
2N1014
2N1015
2N1015A
2N1015B
2N1015C
2N1015D
2N1015E
2N1015F
2N1016
2N1016A
2N1016B
2N1016C
2N1016D
2N1016E
2N1016F
2N1017
2N1018
2N1019
2N102
2N102‑13
2N1020
2N1021
2N1021A
2N1022
2N1022A
2N1023
2N1024
2N1025
2N1026
2N1026A
2N1027
2N1027A
2N1028
2N1029
2N1029A
2N1029B
2N1029C
2N103
2N1030
2N1030A
2N1030B
2N1030C
2N1031
2N1031A
2N1031B
2N1031C
2N1032
2N1032A
2N1032B
2N1032C
2N1034
2N1035
2N1036
2N1037
2N1038
2N1038‑1
2N1038‑2
2N1039
2N1039‑1
2N1039‑2
2N104
2N1040
2N1040‑1
2N1040‑2
2N1041
2N1041‑1
2N1041‑2
2N1042
2N1042‑1
2N1042‑2
2N1043
2N1043‑1
2N1043‑2
2N1044
2N1044‑1
2N1044‑2
2N1045
2N1045‑1
2N1045‑2
2N1046
2N1046A
2N1046B
2N1047
2N1047A
2N1047B
2N1047C
2N1048
2N1048A
2N1048B
2N1048C
2N1049
2N1049A
2N1049B
2N1049C
2N105
2N1050
2N1050A
2N1050B
2N1050C
2N1051
2N1052
2N1053
2N1054
2N1055
2N1056
2N1057
2N1058
2N1059
2N106
2N1060
2N1065
2N1066
2N1067
2N1068
2N1069
2N107
2N1070
2N1072
2N1072A
2N1072B
2N1073
2N1073A
2N1073B
2N1074
2N1075
2N1076
2N1077
2N1078
2N1079
2N108
2N1080
2N1081
2N1082
2N1084
2N1085
2N1086
2N1086A
2N1087
2N109
2N109‑5
2N1090
2N1091
2N1092
2N1093
2N1094
2N1095
2N1096
2N1097
2N1098
2N1099
2N110
2N1100
2N1101
2N1102
2N1103
2N1104
2N1105
2N1106
2N1107
2N1108
2N1109
2N111
2N1110
2N1111
2N1111A
2N1111B
2N1114
2N1115
2N1115A
2N1116
2N1117
2N1118
2N1118A
2N1119
2N111A
2N112
2N1120
2N1121
2N1122
2N1122A
2N1123
2N1124
2N1125
2N1126
2N1127
2N1128
2N1129
2N112A
2N113
2N1130
2N1131
2N1131‑46
2N1131‑51
2N1131A
2N1131AS
2N1131L
2N1132
2N1132‑46
2N1132‑51
2N1132A
2N1132B
2N1132CSM
2N1132DCSM
2N1132L
2N1135
2N1135A
2N1136
2N1136A
2N1136B
2N1137
2N1137A
2N1137B
2N1138
2N1138A
2N1138B
2N1139
2N114
2N1140
2N1141
2N1141A
2N1142
2N1142A
2N1143
2N1143A
2N1144
2N1145
2N1146
2N1146A
2N1146B
2N1146C
2N1147
2N1147A
2N1147B
2N1147C
2N1149
2N115
2N1150
2N1151
2N1152
2N1153
2N1154
2N1155
2N1156
2N1157
2N1157A
2N1158
2N1158A
2N1159
2N116
2N1160
2N1162
2N1162A
2N1163
2N1163A
2N1164
2N1164A
2N1165
2N1165A
2N1166
2N1166A
2N1167
2N1167A
2N1168
2N1169
2N117
2N1170
2N1171
2N1172
2N1173
2N1174
2N1175
2N1175A
2N1175B
2N1176
2N1176A
2N1176B
2N1177
2N1178
2N1179
2N118
2N1180
2N1182
2N1183
2N1183A
2N1183B
2N1184
2N1184A
2N1184B
2N1185
2N1186
2N1187
2N1188
2N1189
2N118A
2N119
2N1190
2N1191
2N1192
2N1193
2N1194
2N1195
2N1196
2N1197
2N1198
2N1199
2N1199A
2N120
2N1200
2N1201
2N1202
2N1203
2N1204
2N1204A
2N1205
2N1206
2N1207
2N1208
2N1208‑1
2N1209
2N1209‑1
2N1210
2N1210‑1
2N1211
2N1211‑1
2N1212
2N1212‑1
2N1213
2N1214
2N1215
2N1216
2N1217
2N1218
2N1219
2N122
2N1220
2N1221
2N1222
2N1223
2N1224
2N1225
2N1226
2N1227
2N1228
2N1229
2N123
2N123‑5
2N1230
2N1231
2N1232
2N1232A
2N1233
2N1234
2N1235
2N1238
2N1239
2N123A
2N124
2N1240
2N1241
2N1242
2N1242A
2N1243
2N1244
2N1245
2N1246
2N1247
2N1248
2N1249
2N125
2N1250
2N1250‑1
2N1251
2N1252
2N1252A
2N1253
2N1253A
2N1254
2N1255
2N1256
2N1257
2N1258
2N1259
2N126
2N1260
2N1261
2N1261A
2N1262
2N1262A
2N1263
2N1263A
2N1264
2N1264‑13
2N1265
2N1265‑5
2N1266
2N1267
2N1268
2N1269
2N127
2N1270
2N1271
2N1272
2N1273
2N1273BL
2N1273BN
2N1273GN
2N1273O
2N1273R
2N1273V
2N1273Y
2N1274
2N1274BL
2N1274BN
2N1274GN
2N1274O
2N1274R
2N1274V
2N1274Y
2N1275
2N1276
2N1277
2N1278
2N1279
2N128
2N1280
2N1281
2N1282
2N1284
2N1285
2N1287
2N1287A
2N1288
2N1289
2N129
2N1291
2N1292
2N1293
2N1294
2N1295
2N1296
2N1297
2N1298
2N1299
2N130
2N1300
2N1301
2N1302
2N1303
2N1304
2N1305
2N1306
2N1307
2N1308
2N1309
2N1309A
2N130A
2N131
2N1310
2N1311
2N1312
2N1313
2N1314
2N1315
2N1316
2N1317
2N1318
2N1319
2N131A
2N132
2N1320
2N1321
2N1322
2N1323
2N1324
2N1325
2N1326
2N1327
2N1328
2N1329
2N132A
2N133
2N1330
2N1331
2N1332
2N1333
2N1334
2N1335
2N1336
2N1337
2N1338
2N1339
2N133A
2N1340
2N1341
2N1342
2N1343
2N1344
2N1345
2N1346
2N1347
2N1348
2N1349
2N135
2N1350
2N1351
2N1352
2N1353
2N1354
2N1355
2N1356
2N1357
2N1358
2N1358A
2N1358M
2N1359
2N136
2N1360
2N1361
2N1361A
2N1362
2N1363
2N1364
2N1365
2N1366
2N1367
2N137
2N1370
2N1370BL
2N1370GN
2N1370O
2N1370V
2N1370Y
2N1371
2N1371BL
2N1371GN
2N1371O
2N1371V
2N1371Y
2N1372
2N1373
2N1374
2N1375
2N1376
2N1377
2N1378
2N1379
2N138
2N1380
2N1381
2N1382
2N1382BL
2N1382BN
2N1382GN
2N1382O
2N1382R
2N1382V
2N1382Y
2N1383
2N1383BL
2N1383BN
2N1383GN
2N1383O
2N1383R
2N1383V
2N1383Y
2N1384

Всего результатов: 72101

Как подобрать аналог транзистора

Как подобрать аналог транзистора

В этой статье разберем тему подбора аналогов биполярных и полевых транзисторов. На какие параметры транзистора следует обратить внимание, чтобы по ним подобрать подходящую замену?

Для чего это нужно? Бывает так, что ремонтируя какой-нибудь прибор, скажем, импульсный блок питания, пользователь оказывается вынужден обратиться в ближайший магазин электронных компонентов, но в ассортименте не находится именно такого транзистора, который вышел из строя в схеме прибора. Тогда и приходится выбирать из того, что есть в наличии, то есть подбирать аналог.

А бывает еще и так, что сгоревший транзистор на плате был из тех, которые уже сняты с производства, и тогда как нельзя кстати приходится доступный в сети даташит, где параметры можно посмотреть, и по ним подобрать подходящий аналог из ныне доступных. Так или иначе, нужно знать, по каким параметрам выбирать, об этом и пойдет речь далее.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Для начала поговорим о биполярных транзисторах. Главными характеристиками здесь выступают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер,
  • максимальный ток коллектора,
  • максимальная рассеиваемая корпусом транзистора мощность,
  • граничная частота,
  • коэффициент передачи по току.

Первым делом оценивают схему в целом. На какой частоте работает прибор? Насколько быстрым должен быть транзистор? Лучше всего, если рабочая частота прибора будет в 10 и много более раз ниже граничной частоты транзистора. Например fгр равна 30 МГц, а рабочая частота прибора, где транзистор будет работать, составляет 50 кГц.

Если же заставить транзистор работать на частоте близкой к граничной, то коэффициент передачи по току станет стремиться к единице, и для управления потребуется много энергии. Поэтому пусть граничная частота подбираемого аналога будет больше или равна граничной частоте транзистора, который нужно заменить.

Следующим шагам обращают внимание на мощность, которую сможет транзистор рассеять. Здесь же смотрят на максимальный ток коллектора и на предельное значение напряжения коллектор-эмиттер. Максимальный ток коллектора должен быть выше максимального тока в управляемой транзистором цепи. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер у выбираемого транзистора должно быть выше предельного напряжения в управляемой цепи.

Если параметры подбираются исходя из даташита на заменяемый компонент, то подбираемый аналог по предельному напряжению и предельному току должен соответствовать или превосходить заменяемый транзистор. Например, если сгорел транзистор, предельное напряжение коллектор-эмиттер которого было 80 вольт, а максимальный ток составлял 10 ампер, то в этом случае аналог с максимальными параметрами по току и напряжению 15 ампер и 230 вольт — подойдет в качестве замены.

Транзисторы

Далее оценивают коэффициент передачи по току h21. Данный параметр указывает на то, во сколько раз ток коллектора превосходит ток базы в процессе управления транзистором. Приоритет лучше отдавать транзисторам со значением этого параметра большим или равным h21 исходного компонента, хотя бы приблизительно.

Нельзя ставить вместо транзистора с h21 = 30, транзистор с h21 = 3, управляющая цепь просто не справится или сгорит, а прибор не сможет нормально работать, лучше, если аналог будет иметь h21 на уровне 30 или больше, например 50. Чем выше коэффициент усиления по току, тем проще транзистором управлять, тем выше КПД управления, ток базы меньше, ток коллектора — больше.

Транзистор без лишних затрат входит в насыщение. Если же прибор, куда подбирается транзистор, отличается повышенным требованием к коэффициенту передачи по току, то пользователю следует подобрать аналог с более близким к оригиналу h21, либо придется внести изменения в цепь управления базой.

Наконец, смотрят на напряжение насыщения, напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора. Чем оно меньше, тем меньше мощности будет рассеиваться на корпусе компонента в виде тепла. И важно отметить, сколько реально в схеме придется транзистору рассеивать тепла, максимальное значение рассеиваемой корпусом мощности приводится в документации (в даташите).

Умножьте ток коллекторной цепи на напряжение, которое будет падать на переходе коллектор-эмиттер в процессе работы схемы, и сравните с максимально допустимой для корпуса транзистора тепловой мощностью. Если реально выделяемая мощность окажется больше предела, транзистор быстро сгорит.

Так, биполярный транзистор 2N3055 можно смело заменить на КТ819ГМ и наоборот. Сравнив их документацию, можно прийти к выводу, что это почти полные аналоги, как по структуре (оба NPN), так и по типу корпуса и по основным параметрам, важным для равно эффективной работы в аналогичных режимах.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

Теперь поговорим о полевых транзисторах. Полевые транзисторы широко применяются сегодня, в некоторых устройствах, например в инверторах они почти полностью вытеснили собой биполярные транзисторы. Полевые транзисторы управляются напряжением, электрическим полем заряда затвора, и поэтому управление получается менее затратным, нежели в биполярных транзисторах, где управление осуществляется током базы.

Полевые транзисторы намного быстрее переключаются в сравнении с биполярными, обладают повышенной термоустойчивочтью, и не имеют неосновных носителей заряда. Чтобы обеспечить коммутацию значительных токов, полевые транзисторы можно соединять параллельно в большом количестве без выравнивающих резисторов, достаточно подобрать подходящий драйвер.

Итак, что касается подбора аналогов полевых транзисторов, то здесь алгоритм тот же, что и при подборе биполярных аналогов, с той лишь разницей, что отпадает проблема с коэффициентом передачи по току и дополнительно появляется такой параметр как емкость затвора. Максимальное напряжение сток-исток, максимальный ток стока. Лучше выбрать с запасом, чтобы наверняка не сгорел.

У полевых транзисторов нет такого параметра как напряжение насыщения, зато есть параметр «сопротивление канала в открытом состоянии». Исходя из этого параметра можно определить, какая мощность будет рассеиваться на корпусе компонента. Сопротивление открытого канала может составлять от долей ома до единиц ом.

У высоковольтных полевых транзисторов сопротивление открытого канала, как правило, больше одного ома, и это нужно обязательно брать в расчет. Если удастся выбрать аналог с меньшим сопротивлением открытого канала, то и тепловых потерь будет меньше, и падение напряжения на переходе не будет в открытом состоянии критически высоким.

Крутизна характеристики S у полевых транзисторов – аналог коэффициента передачи по току биполярных транзисторов. Этот параметр показывает зависимость тока стока от напряжения затвора. Чем выше крутизна характеристики S, тем меньшее напряжение нужно подать на затвор для коммутации значительного тока стока.

Не нужно забывать при выборе аналога и про пороговое напряжение затвора, ведь если напряжение на затворе будет ниже порогового, то транзистор полностью не откроется, и коммутируемая цепь не получит достаточного питания, всю мощность придется рассеивать транзистору, и он просто перегреется. Напряжение управления затвором должно быть выше порогового. Аналог должен иметь пороговое напряжение затвора не выше чем оригинал.

Мощность рассеяния полевого транзистора аналогична мощности рассеяния биполярного транзистора, этот параметр указан в даташите, и зависит, как и в случае с биполярными транзисторами, от типа корпуса. Чем больше корпус компонента, тем большую тепловую мощность сможет он безопасно для себя рассеять.

Емкость затвора. Поскольку полевые транзисторы управляются напряжением затвора, а не током базы, как биполярные транзисторы, то здесь вводится такой параметр как емкость затвора и полный заряд затвора. При выборе аналога на замену оригиналу, обратите внимание на то, чтобы затвор у аналога не был тяжелее.

Емкость затвора лучше всего, если окажется чуть меньше, таким полевым транзистором проще управлять, фронты получатся круче. Однако если затворные резисторы в схеме управления вы перепаивать не намерены, то пусть емкость затвора будет максимально близкой к оригиналу.

Так, очень распространенные несколько лет назад, IRFP460 заменяют на 20N50, у которого затвор немного легче. Если обратиться к даташитам, то легко заметить почти полное сходство параметров этих полевых транзисторов.

Надеемся, что эта статья помогла вам разобраться в том, на какие характеристики нужно ориентироваться, чтобы подобрать подходящий аналог транзистора.

  • Советы по ремонту импульсных блоков питания
  • Виды транзисторов и их применение
  • DC-DC преобразователи

Надеюсь, что эта статья была для вас полезной. Смотрите также другие статьи в категории Электрическая энергия в быту и на производстве » Практическая электроника

Подписывайтесь на канал в Telegram про электронику для профессионалов и любителей: Практическая электроника на каждый день

Поделитесь этой статьей с друзьями:

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *