У вас большие запросы!
Точнее, от вашего браузера их поступает слишком много, и сервер VK забил тревогу.
Эта страница была загружена по HTTP, вместо безопасного HTTPS, а значит телепортации обратно не будет.
Обратитесь в поддержку сервиса.
Вы отключили сохранение Cookies, а они нужны, чтобы решить проблему.
Почему-то страница не получила всех данных, а без них она не работает.
Обратитесь в поддержку сервиса.
Вы вернётесь на предыдущую страницу через 5 секунд.
Вернуться назад
Рекомендации по работе с полевыми транзисторами
Полевые транзисторы, особенно транзисторы с изолированным затвором, легко повреждаются от воздействия даже не очень сильных внешних электрических полей. Монтаж, испытания, эксплуатация их должны проводиться при соблюдении определенных мер предосторожности.
Работы с транзисторами, включая подготовительные, следует производить на заземленном металлическом листе. На нем должны располагаться локти оператора, инструмент и другое оборудование, необходимое для выполнения работ. На руке оператора должно быть заземленное кольцо.
Пайку выводов следует производить низковольтным паяльником (6—12 В) мощностью не более 60 Вт. Жало паяльника должно быть заземлено, его температура не должна превышать 250°С, длительность пайки не более 3 с. Во время пайки необходимо осуществлять отвод тепла, например, с помощью пинцета, удерживающего отвод от транзистора и располагаемого между транзистором и паяльником. Нельзя допускать попадания припоя или флюса на корпус транзистора. На время пайки все выводы транзистора необходимо соединить между собой. Первым следует паять вывод затвора, последним — вывод корпуса.
ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ
1. Полевые транзисторы для исследования (КП 101, КП 102, КП 103, КП 301, КП 302, КП 303, КП 304, КП 305 и др.).
Стенд для исследования транзисторов (рис. 24). Выполняется методом печатного монтажа на плате из стеклотекстолита. Для подключения измерительных приборов, осциллографа и источников питания установлены гнезда. Исследуемый транзистор V2, диоды V1, V3, резисторы R1, R2, R3 припаиваются к штырькам стенда. Транзистор крепится к штырькам с обозначениями З (затвор), С (сток), И (исток), К (корпус), П (подложка). Полярность напряжений и способ включения диодов, указанные на схеме, соответствуют включению транзистора с управляющим переходом и каналом n-типа.
4. Источники питания со стабилизацией и плавной регулировкой напряжения.
5. Испытатель полевых транзисторов Л2-32 (Л2-31, Л2-38 или другие).
6. Самодельный испытатель полевых транзисторов.
7. Генератор звуковой частоты.
10. Низковольтный паяльник с принадлежностями.
Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:
Пайка полевых транзисторов.
Такой порядок был.Работал в своё время на военке тоже за браслеты дрючили и пофиг что ты паяешь хоть резики браслет должен быть+каждое утро перед началом смены надо померить его сопротивление и записать в журнал.Как то так
ДОБАВЛЕНО 01/03/2016 03:42
Фанат форума
Сообщения: 15733
Bazaroff писал: |
Спасибо!) А я до сих пор (довольно редко приходится) паяю мосфеты, обмотав предварительно их ноги тоненькой проволочкой. Семь потов сходит вытягивать ее затем иголкой.))) |
Фанат форума
Сообщения: 7937
Старший модератор
Сообщения: 11784
Цитата: |
Браслет только на ногу надевают, что бы не мешал. |
Обыкновенный человек
Сообщения: 17773
ДОБАВЛЕНО 01/03/2016 11:46
Фанат форума
Сообщения: 13900
Фанат форума
Сообщения: 7937
Рифат писал: |
меня терзают смутные сомнения-на снимке мужик не к розетке подключен? |
Девушки там все. Они довольно плоские, что характерно для азиаток. К розетке подключен другой шнурок. Они крокодилом зацеплены за проволоку. Если забудут отцепиться, то крокодил слетит с проволоки.
Хотя вряд ли им придет в голову вставать с рабочего места до положенного перерыва. Разве что диарея случится
Полевой транзистор, КМОП микросхема, операционный усилитель. Монтаж, установка, пайка. Паять, припаять, установить. FET, MOSFET, МОП. Пробой статическим электричеством. Пробить.
Полевые транзисторы — довольно капризные электронные приборы. Это связано с очень высоким входным сопротивлением. Даже небольшие заряды могут накапливаться, формировать высокое напряжение и вызывать пробой. Обычно эти заряды возникают вследствие трения (статическое электричество). Основным фактором, определяющим устойчивость полевого транзистора (FET / MOSFET) к пробою статическим электричеством, является емкость затвор — исток. Именно эту емкость заряжают внешние заряды. Чем она больше, тем меньшее напряжение получится в результате поступления определенного заряда. У мощных полевых транзисторов эта емкость велика, так что они не очень чувствительны к статическому электричеству. Маломощные FET имеют очень маленькую входную емкость. В результате даже небольшой заряд вызывает скачек напряжения в тысячи вольт. С такими транзисторами нужно быть очень осторожным.
Некоторые полевые транзисторы уже в процессе производства оснащаются защитой от статического пробоя. Эта защита замыкает затвор и исток, если напряжение превышает определенную величину.
Нужно понимать, что полевые транзисторы встречаются в радиоэлектронике не только, так сказать, в чистом виде, но и в составе интегральных микросхем. К этим микросхемам относится все, сказанное выше.
Вашему вниманию подборка материалов:
Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам
Промышленный подход к монтажу полевого транзистора, микросхемы
При монтаже полевого транзистора или микросхемы, содержащей на входе полевые транзисторы (операционные усилители с большим входным сопротивлением, КМОП логика и т. д.) применяются всякие приспособления, например, заземленные паяльники, заземленные кольца и браслеты на руки, заземленные пинцеты и т. д. По моему опыту эти приспособления эффективны в промышленности, так как там человек или робот выполняют постоянно одну и ту же операцию. Схему заземления специально проектируют под эту операцию. В условиях пробного монтажа в лабораторных условиях эти приемы нужного эффекта не дают. Вы можете заземлить паяльник и сами заземлиться с ног до головы, паять затвор полевого транзистора, и при этом коснуться рукавом шерстяного свитера другой части платы, связанной с истоком. Пробой произойдет между истоком, который окажется под высоким напряжением и заземленным затвором.
Пайка, установка полевого транзистора, КМОП микросхемы в лаборатории
Главное — высокая влажность воздуха и последовательность припаивания
В лабораторных условиях самым лучшим способом профилактики является поддержание высокой влажности. Высокая влажность исключает появление статического электричества. Особенно это актуально зимой, когда естественная влажность очень низка. Кстати низкая влажность вредна и человеческому организму, особенно в сочетании с дымом канифоли. Для поддержания нужной влажности в помещении можно использовать зеленые растения. Один цветок, конечно, не поможет, но оранжерея сделает свое дело. Еще лучше пользоваться специальными увлажнителями воздуха.
Повышения влажности бывает вполне достаточно для безопасной установки и пайки полевых транзисторов средней и большой мощности, как с изолированным затвором (MOSFET), так и с p-n переходом. Устанавливаем полевые транзисторы в схему самыми последними, когда все уже собрано.
Аккуратно перемкнем выводы
Чтобы безопасно установить и припаять маломощный FET понадобится дополнительная хитрость. Нужно перед монтажом обмотать выводы транзистора оголенной медной проволокой небольшого диаметра. Делаем это очень осторожно. Нельзя касаться выводов полевого транзистора ничем, кроме проволоки. Действительно, пробой происходит не от заряда, а от разницы потенциалов. Если заряд случайно попадет на один вывод полевика, но остальные выводы будут подвешены, то ничего страшного не произойдет. Другое дело, если другие выводы при этом будут заземлены, тогда пробой неизбежен. После обмотки выводов проволокой (замыкания их друг с другом), транзистор можно спокойно устанавливать, паять, перепаивать. Нет необходимости следить за последовательностью установки радиоэлектронных элементов. Когда монтаж полностью завершен, проволоку нужно удалить. Не забудьте сделать это. Я раньше частенько забывал и включал схему с закороченными полевиками.
Сказанное выше верно и для монтажа операционных усилителей и микросхем с КМОП структурами. Только прокладку замыкающей проволоки нужно проводить тщательнее, чтобы уверенно замкнуть все выводы микросхемы.
К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.
Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи.
Мощный полевой транзистор irfp2907. МОП, MOSFET. Свойства, параметры, .
Применение и параметры IRFP2907, мощного полевого транзистора, рассчитанного на .
Проверка дросселя, катушки индуктивности, трансформатора, обмотки, эле.
Как проверить дроссель, обмотки трансформатора, катушки индуктивности, электрома.
Изготовление дросселя, катушки индуктивности своими руками, самому, са.
Расчет и изготовление катушки индуктивности, дросселя. Типовые электронные схемы.
Микроконтроллеры — пример простейшей схемы, образец применения. Фузы (.
Самая первая Ваша схема на микро-контроллере. Простой пример. Что такой фузы.
Микроконтроллеры. Управление силовыми нагрузками с выхода. ШИМ (Широтн.
Как управлять нагрузками с выхода микро-контроллеров? Встроенная ШИМ. Как обраба.
Микроконтроллеры. Основы. Базовые принципы. Освоить, изучить.
С чего начать самостоятельное изучение и освоение микро-контроллеров.