Усилительные каскады на биполярных транзисторах
Усилительные каскады на биполярных транзисторах могут быть построены по схемам с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Название схемы определяется тем, какой из электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей усилителя на частоте сигнала. Подчеркнутое означает, что общность рассматривает не только гальванические связи (непосредственное соединение с помощью проводников), ни и с использованием схемных емкостных элементов, сопротивление которых с возрастанием частоты стремиться к нулю.
Усилитель на биполярном транзисторе по схеме оэ
Наиболее часто усилители выполняются на биполярном транзисторе по схеме с ОЭ (эмиттер на частоте сигнала является общим для входной и выходной цепей). Такое включение позволяет обеспечить большое усиление сигнала по напряжению, при этом усилитель имеет достаточно большое входное сопротивление.
Принцип действия усилительных каскадов с ОЭ рассмотрим на примере наиболее распространенной схемы (рис. 2.5).
На входе каскада действуют усиливаемые переменные ток iВХ и напряжение uВХ источника входного сигнала, а на выходе (на нагрузке) — усиленные переменные ток iH и напряжение uВЫХ (здесь и далее аргумент t у функций токов и напряжений для упрощения записи опущен).
В этой схеме конденсаторы С1 и С2 — разделительные (разделяют цепи переменных и постоянных токов: постоянные токи источника +ЕК не должны протекать по цепям источника входного сигнала и сопротивлению нагрузки). Конденсатор С1 препятствует протеканию постоянного тока от источника питания Еk в цепь источника входного сигнала. Конденсатор С2 обеспечивает выделение из коллекторного напряжения переменной составляющей, поступающей на резистор нагрузки RH.
Резистор RК является собственно нагрузкой каскада усиления, включенной в коллекторную цепь транзистора, а резистор RH отражает тот факт, что сигнал с данного каскада подается на вход следующего каскада, сопротивление входа которого равно RH. Можно сказать, что каскад усиления имеет сложную нагрузку, состоящую из сопротивлений RК и RH, включенных по переменному току параллельно.
Резисторы базового делителя напряжения R1, R2 задают режим покоя транзистора (обеспечивают выбор рабочей точки усилителя), при котором в отсутствии входного сигнала в транзисторе протекают только постоянные токи покоя базы, коллектора и эмиттера, а на базе, коллекторе и эмиттере соответственно действуют постоянные напряжения покоя.
Резистор RЭ составляет цепь отрицательной обратной связи (ООС), предназначенную для стабилизации режима покоя транзистора при изменении его температуры (для термoстабилизации). Под обратной связью (ОС) понимают процесс передачи части выходного сигнала на вход усилительного каскада.
Действие термостабилизации объясняется следующим образом. При увеличении, например, из-за роста температуры, тока коллектора покоя iКП, возрастают ток эмиттера покоя iЭП и падение напряжения на резисторе RЭ., поскольку UЭП = iЭП ·RЭ.. Так как напряжение между эмиттером и базой UБЭ, определяющее ток покоя транзистора, задается совокупным действием напряжения делителя UR2 и UЭП (UБЭ = UR2 — UЭП), то с увеличением напряжения UЭП уменьшается напряжение UБЭ. Это приводит к призакрыванию транзистора, уменьшению тока базы покоя iБП и, следовательно, снижению тока коллектора покоя iКП. Тем самым производится компенсация первоначального увеличения тока коллектора покоя.
Включение резистора RЭ в цепь эмиттера изменяет работу каскада и при усилении переменного сигнала. Переменный ток эмиттера создает на резисторе RЭ падение напряжения, которое уменьшает усиливаемое напряжение, подводимое к базе транзистора (действует в противофазе), ведь uБЭ = uВХ – uЭ. При этом снижается и коэффициент усиления каскада, поскольку действует ООС по переменному току. Для ее исключения резистор RЭ шунтируют конденсатором СЭ достаточно большой емкости. Поскольку реактивное сопротивление конденсатора мало, то переменный ток протекает по нему и не создает падения напряжения на резисторе RЭ.
Усилитель по схеме с ОЭ инвертирует сигнал. Под действием положительной полуволны входного гармонического сигнала транзистор приоткрывается, что приводит к пропорциональному увеличению переменных токов эмиттера, коллектора и базы. При этом увеличивается падение напряжения на резисторе RК, а напряжение на коллекторе транзистора, наоборот, уменьшается. Поскольку это переменное напряжение через конденсатор С2 действует на RН, то уменьшается напряжение на RН.
Схеме усилителя с ОЭ присущ еще один недостаток — низкая линейность усиления из-за нелинейности входных характеристик активного элемента. Для уменьшения нелинейных искажений источник входного сигнала переводят в режим источника тока: последовательно с ним в цепь базы включают резистор RБ. Сопротивление резистора RБ выбирают намного больше входного сопротивления транзистора ( ). Форма тока базы в этом случае соответствует форме входного напряжения и линейность усиления повышается.
Расчет номиналов элементов усилительного каскада, анализ режима работы каскада часто проводят графоаналитическим методом с использованием статических выходных и входных ВАХ транзистора. Основные аспекты графоаналитического метода можно подробно изучить по литературе ([1], С. 231-232).
В усилителе по схеме с ОЭ входным током является малый ток базы. Так как он в десятки — сотни раз меньше тока эмиттера, входное сопротивление и коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ имеют достаточно большое значение.
Благодаря таким преимуществам, как сравнительно высокое входное сопротивление и значительное усиление, схема усилителя с ОЭ получила на практике наиболее широкое распространение.
2.2. Принцип построения усилительных каскадов.
Многие усилители состоят из нескольких ступеней, осуществляющих последовательное усиление сигнала и называемых каскадами. Число каскадов в многокаскадных усилителях зависит от требуемых значений коэффициентов усиления. В зависимости от выполняемых функций, усилительные каскады подразделяются на каскады предварительного усиления и выходные каскады. Каскады предварительного усиления предназначены для повышения уровня сигнала по напряжению, а выходные каскады – для получения требуемых значений тока или мощности сигнала в нагрузке.
Рассмотрим принцип построения усилительного каскада на примере структурной схемы (рисунок 2.2), состоящей из управляемого элемента УЭ, функции которого выполняет биполярный или полевой транзистор и резистора R. Совместно с напряжением питания Е эти элементы образуют выходную цепь каскада. Усиливаемый сигнал Uвх., принятый для простоты синусоидальным, подаётся на вход УЭ. Выходной сигнал снимается с выхода УЭ или с резистора R. Он создаётся в результате изменения сопротивления УЭ и, следовательно, тока в выходной цепи под воздействием входного напряжения. Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Е в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счёт изменения сопротивления УЭ по закону, задаваемому входным сигналом.
Ввиду использования для питания источника постоянного напряжения Е, ток I в выходной цепи каскада является однонаправленным. При этом переменный ток и переменное напряжение выходной цепи, пропорциональные току и напряжению входного сигнала, следует рассматривать как переменные составляющие тока и напряжения, накрадывающиеся на их постоянные составляющие In и Un, причём обязательно, чтобы In≥Im, а Un≥Um. Если эти условия выполняться не будут, то ток в выходной цепи на отдельных интервалах будет равен нулю, что приведёт к искажению формы выходного сигнала. Таким образом, для обеспечения работы усилительного каскада при переменном входном сигнале в его выходной цепи должны быть созданы постоянные составляющие тока In и напряжения Un. Задачу решают путём подачи во входную цепь каскада помимо усиливаемого сигнала постоянного напряжения Uвхn или создания постоянного входного тока Iвхn.
Постоянные составляющие тока и напряжения определяют режим покоя усилительного каскада. Параметры режима покоя по входной цепи (Iвхn Uвхn,) и по выходной цепи (In, Un) характеризуют электрическое состояние схемы в отсутствии входного сигнала.
Усилительные свойства каскадов усиления основываются на следующем. При подаче на управляемый элемент напряжения входного сигнала в токе выходной цепи создаётся переменная составляющая, вследствие чего на управляемом элементе образуется аналогичная составляющая напряжения, превышающая переменную составляющую напряжения на входе.
Показатели усилительных каскадов зависят от способа включения транзистора, выполняющего роль управляемого элемента: с общим эмиттером, общим коллектором, общей базой.
Как работает усилительный каскад на транзисторе, начинающим
Что такое транзисторный усилительный каскад и как он работает, примеры схем усилительных каскадов на транзисторе. В любой аналоговой электронной технике применяются усилительные каскады на транзисторах, как самостоятельные, так и в составе микросхем. И так, из школьного курса физики, мы знаем что биполярные транзисторы бывают структур P-N-P и N-P-N.
Вдаваться в подробности строения кристалла мы здесь не будем. Лучше разберемся что это нам дает. Так вот, питание биполярного транзистора P-N-P подается плюсом на его эмиттер, а минусом на его коллектор. И некоторое отрицательное, относительно эмиттера, напряжение смещения подается на его базу.
А вот питание биполярного транзистора N-P-N, совсем наоборот, — подается минусом на его эмиттер, а плюсом на его коллектор, и некоторое положительные, относительно эмиттера, напряжение смещение на его базу. Здесь будем рассматривать усилительные каскады на транзисторах структуры N-P-N.
Потому что такие каскады сейчас наиболее распространены, — почти вся современная аппаратура имеет общий минус, а питается положительным напряжением относительно общего минуса. Все что здесь будет сказано в отношении транзистора N-P-N применимо и к транзистору P-N-P, только все напряжения будут в обратной полярности.
Простейшие схемы усилительных каскадов на транзисторах
На рисунках 1 и 2 показаны простейшие схемы резистивных усилительных каскадов на транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Схема с общим эмиттером позволяет усиливать как ток, так и напряжение сигнала.
Рис. 1. Простейшая схема резистивного усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером (ОЭ).
Рис. 2. Еще одна схема резистивного усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером (ОЭ).
Есть два основных способа подачи напряжения смещения на базу транзистора в схеме с ОЭ. В схеме на рисунке 1 напряжение на базу подается через резистор R6, при этом само напряжение на базе зависит от делителя, состоящего из R6 и внутреннего сопротивления база-эмиттер транзистора.
В такой схеме для получения нужного напряжения смещения R6 имеет обычно большое сопротивление. Такой тип смещения называют смещением, фиксированным током базы.
На рисунке 2 напряжение базового смещения создается делителем из резисторов Rб1 и Rб2. В такой схеме сопротивление базовых резисторов может быть значительно меньше.
Это интересно тем, что изменение сопротивления эмиттер-база под действием изменения температуры в меньшей степени влияет на напряжение на базе транзистора. Такой каскад более термостабилен.
Кроме того меньше влияния на рабочую точку транзистора изменений в кристалле транзистора от старения, или при замене неисправного транзистора другим. Такой тип смещения называется фиксированным напряжением база-эмиттер.
Недостаток схемы на рис.2 в том, что входное сопротивление такого каскада значительно ниже, чем в схеме по рис.1. Но это важно, только если нужно большое входное сопротивление.
Разные экземпляры даже однотипных транзисторов могут существенно отличаться своими статическими параметрами, кроме того, есть и зависимость от температуры, поэтому желательно чтобы в усилительном каскаде была стабилизация режима работы транзистора.
Проще всего это сделать введением в каскад отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному току, так, чтобы изменения входного тока или напряжения, к которым приводит работа ООС, противодействовали влиянию дестабилизирующих факторов.
Коллекторная стабилизация режима работы транзистора
На рисунке 3 показана схема коллекторной стабилизации режима работы транзистора. Обратите внимание, — каскад очень похож на схему на рис.1, но базовый резистор R6 подключен не к плюсу источника питания (+Uп), а к коллектору транзистора. Теперь получается, что напряжение смещения на базе транзистора зависит от напряжения на его коллекторе.
Которое, в свою очередь, зависит от напряжения на базе. И если по какой-то причине напряжение на коллекторе изменится, то и напряжение на базе изменится таким образом, что необходимая рабочая точка каскада будет восстановлена.
Рис. 3. Схема коллекторной стабилизации режима работы транзистора.
Эмиттерная стабилизация режима работы транзистора
Более высокой стабильности можно достигнуть применив эмиттерную стабилизацию режима работы транзистора (рис.4). Здесь стабильность повышается при увеличении сопротивления Rэ и уменьшении сопротивлений Rб1 и Rб2.
Однако и слишком большим сопротивление Rэ выбирать не следует, потому что при этом напряжение коллектор-эмиттер может оказаться слишком малым.
Не стоит увлекаться и сильным уменьшением сопротивлений R61 и R62, потому что при очень малых их величинах не только увеличивается ток потребления, но и, что гораздо важнее, очень сильно снижается входное сопротивление.
Рис. 4. Эмиттерная стабилизация режима работы транзистора.
Чтобы снизить влияние ООС на переменный ток вводится конденсатор Сэ. Как известно, конденсатор имеет реактивное сопротивление, и постоянный ток через него не проходит, но проходит переменный. В результате переменный ток «обтекает» резистор Rэ через реактивное сопротивление Сэ.
И результирующее сопротивление в цепи эмиттера по переменному току оказывается значительно ниже, чем по постоянному. Поэтому ООС по переменному току значительно меньше, чем по постоянному.
Каскад с общим коллектором
Схема каскада с общим коллектором (рис.5.) обеспечивает усиление входного сигнала только по току.
Такие каскады называются эмиттерными повторителями, потому что по напряжению они не усиливают сигнал, а только повторяют его (было на входе 0,5V, и на выходе тоже будет 0,5V).
Но сила тока на выходе через нагрузку будет больше.
Они применяются тогда, когда нужно получить большое входное сопротивление. Отличие каскада с ОК (общим коллектором) от каскада ОЭ (общим эмиттером) в том, что в схеме с ОК выходной сигнал снимается с эмиттера. При этом сигнал не усиливается по напряжению и не инвертируется.
Рис. 5. Схема каскада с общим коллектором.
В схеме же с ОЭ сигнал инвертируется. Это демонстрируется на рисунках изображениями синусоид у входа и выхода каскадов. В схеме с ОЭ выходная синусоида противофазна входной. В схеме с ОК — они синфазны.
Назначение элементов усилительного каскада
Усилительный режим транзистора определяется постоянными напряжениями между электродами и токами, протекающими в цепях электродов. Их задают элементы внешних цепей транзистора, которые составляют схему его включения. Усилительный прибор, его обвязка, источник питания и нагрузка образуют усилительный каскад.
Рис.20 Схема усилительного каскада на транзисторе с ОЭ
Обозначения в схеме:
RВХ.V~ и RВЫХ.V~ — входное и выходное сопротивления транзистора V1 переменному току без
учёта элементов внешней цепи (обвязки).
RВХ.~ и RВЫХ.~ — входное и выходное сопротивления усилительного каскада.
RU — сопротивление источника сигнала.
RН~ — эквивалентное сопротивление нагрузки каскада переменному току.
RВХ.СЛ — входное сопротивление следующего каскада.
Um.ВХ — амплитуда входного сигнала.
Um.ВЫХ — амплитуда выходного сигнала.
Примечание: Все сопротивления цепей измерены в направлении стрелки при разрыве схемы вдоль пунктирных линий.
Независимо от схемы включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) или общим коллектором (ОК) назначение элементов усилительного каскада одинаково.
Рассмотрим назначения элементов стандартной обвязки транзистора включённого с общим эмиттером (ОЭ) в типовой схеме усилительного каскада (Рис.20).
Развязывающий фильтр по питанию Rф Сф.
При питании усилителя от выпрямителя фильтр по питанию RфСФ обеспечивает сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения электрической сети ЕК.
Но более важную роль он выполняет в многокаскадном усилителе при развязке (устранение связей) каскадов, которые питаются от общей шины ЕК. Если внутреннее сопротивление источника питания Ri(Рис.21) отличное от нуля и составляет единицы или даже доли Омма, то переменные токи оконечных каскадов усилителя мощности достигающие единиц Ампер образуют на нём падения напряжения ΔU = IВЫХ Ri. Это значит, что напряжение питания предварительных каскадов и особенно чувствительного входного каскада U0 = EK — ΔU не будет постоянным. Оно изменяется пропорционально сигналу за счёт паразитной обратной связи между каскадами.
Развязывающие фильтры по питаниюRф Сф с большой постоянной времени в каждом каскаде устраняют паразитные связи между этими каскадами.
Рис.21 Схема образование паразитных связей между каскадами.
Сопротивление резистора RФ выбирается из расчёта допустимого снижения к.п.д. усилителя и лежит в пределах от долей Ома в оконечных каскадах до единиц кОм в маломощных каскадах, так чтобы ΔU = (0,1…0,2) EK. Тогда ёмкость конденсатора СФ для звуковых частот может достигать десятки и сотни мкФ, а для её расчёта можно пользоваться приближённой формулой
Базовый делитель RБ1 RБ2.
Два резистора RБ1 и RБ2, включённых последовательно по постоянному току между шиной питания EK и общим проводом, являются базовым делителем напряжения питания и образуют начальное базовое смещение U0Б = UБ – UЭ между базой и эмиттером транзистора V1. Это напряжение U0б определяет режим работы транзистора: А, В или АВ.
Чем меньше сопротивления резисторов RБ1 RБ2 тем выше температурная стабильность каскада, но при этом недопустимо снижается входное сопротивление каскада по переменному току RВХ~, для которого RБ1, RБ2 и RВХ.V~ (входное сопротивление транзистора) включены параллельно.
Поэтому типовыми значениями номиналов резисторов базового делителя для каскадов предварительного усиления являются: RБ1 – десятки кОм, RБ2 – единицы — десятки кОм.
Сопротивление коллекторной нагрузки RК.
Резистор RК образует путь протекания коллекторного тока покоя I0К, который определяется выбранным режимом работы транзистора V1 (А, В или АВ).
В сильной степени сопротивление коллекторной нагрузки RК влияет на усилительные свойства транзистора, так как от его номинала зависит угол наклона выходной динамической характеристики. Чем больше сопротивление резистора RК (десятки кОм) тем больше коэффициент усиления каскада по напряжению КU и, наоборот, чем меньше RК (сотни Ом) – тем больше коэффициент усиления по току КI.
Максимальное усиление мощности будет при соизмеримых значениях RК и RВЫХ.V~ (выходного сопротивления транзистора переменному току).
По переменному току сигнала сопротивление коллекторной нагрузки RК включено параллельно RВЫХ.V~ и может привести к недопустимому снижению выходного сопротивления каскада RВЫХ.~.
Резистор автосмещения RЭ.
Эмиттерный ток транзистора IЭ (как постоянный I0Э так и переменный ImЭ), протекая через резистор RЭ образует на нём падение напряжения UЭ. Это напряжение является напряжением обратной связи UОС, так как связано с входными параметрами транзистора выражением: U0Б = UБ – UЭ,
где UБ – напряжение на базе V1, измеренное по отношению общего провода.
Как будет доказано в последующих темах, отрицательная обратная связь (ООС) противодействует изменению параметров усилительного каскада, обеспечивая стабилизацию его режима, в том числе и температурного.
Например, повышение температуры tºС вызывает увеличение эмиттерного тока I0Э и UЭ, но при этом автоматически уменьшается начальное базовое смещение U0Б = UБ – UЭ, которое подзапирает транзистор и, как следствие, уменьшает эмиттерный ток, компенсируя его зависимость от температуры. Отсюда название RЭ – резистор автосмещения. Таким образом ООС по постоянному току благоприятно сказывается на стабильность режима работы усилительного каскада.
Но за счёт протекания тока сигнала ImЭ через RЭ образуется ООС по переменному току, которая уменьшает, к сожалению, коэффициент усиления каскада. Включив параллельно резистору RЭ конденсатор большой ёмкости СЭ, можно уменьшить эквивалентное сопротивление эмиттерной цепи на несколько порядков для самых низких рабочих частот.
Конденсатор СЭ предназначен для устранения отрицательной обратной связи по переменному току, в результате чего можно избежать снижения коэффициента усиления.
Разделительные конденсаторы СР1СР2
Разделительные конденсаторы СР1 СР2– устраняют связь между каскадами по постоянному току. При их отсутствии режимы работы всех транзисторов гальванически (непосредственно) связанных между собой будут взаимозависимы. Причём, незначительное изменение режима первого транзистора за счёт усилительных свойств приведёт к недопустимому изменению режима последнего.
 |
Ёмкость разделительных конденсаторов выбирается из расчёта, чтобы их реактивное сопротивления ХСр самым низким рабочим частотам FН было хотя бы на порядок меньше эквивалентного сопротивления последующих нагрузочных цепей RЭКВ. ХСр = 1 ⁄(2πFН СР) 0,1 RЭКВ |
Емкость межкаскадного разделительного конденсатора в усилителях звуковых частот УЗЧ достигают десятки и сотни микрофарад (мкФ), а выходного разделительного конденсатора, перед громкоговорителем – тысячи мкФ. В высокочастотных цепях ёмкость СР уменьшается обратно пропорционально рабочей частоте. При использовании полевого транзистора с большим входным сопротивлением, СР составляет доли мкФ (например 0,1 мкФ).
2. Принцип работы усилительного каскада(Рис.22)
В режиме покоя (при отсутствие сигнала) постоянная составляющая коллекторного тока I0К протекает от +ЕК через RК, переход ЭКVT1, RЭ, — ЕК. Постоянная составляющая коллекторного напряжения, если считать I0Э ≈ I0К, равна:
В усилительном режиме, при подаче сигнала на вход каскада переменная составляющая тока коллекторной цепи ImК протекает по нескольким параллельным цепям:
Таким образом, полным сопротивлением нагрузки для переменного тока сигнала Rн~ является эквивалентное сопротивление параллельно включённых RК, RБ1, RБ2, RВХ.V2,
RН~ = (RК ∙ RВХ.СЛ.) ⁄(RК +RВХ.СЛ.),
где RВХ.СЛ = (RВХ.V2~ ∙ RБ1 ∙ RБ2) ⁄(RВХ.V2~ ∙ RБ1 + RВХ.V2~ ∙ RБ2 + RБ1 ∙ RБ2)
Рис.22 Схема усилительного каскада с ОЭ.
Полезной является только составляющая выходного тока усиленного сигнала ImБ2, протекающая по первой из перечисленных ветвей, так как только она будет усиливаться в следующем усилительном каскаде. Остальные постоянные и переменные токи, протекая через элементы обвязки транзистора, приведут к рассеиванию энергии источника питания и сигнала, снижая к.п.д каскада.
Прохождение и обработка сигнала в цепях усилительного каскада наглядно видно по осциллограммам в характерных точках схемы, приведённых на Рис.22.
При подаче на вход каскада сигнала Um.ВХ ранее постоянные напряжения в схеме U0Б, U0К, U0Э станут пульсирующими UmБ, UmК, UmЭ, изменяясь синхронно амплитуде входного сигнала. На осциллограммах видно, что напряжения сигналов UmБ, UmК, UmЭ, буду смещены по отношению оси времени в положительную или отрицательную область на величину постоянных потенциалов в этих точках U0Б, U0К, U0Э, в зависимости от полярности источника питания “+ ЕК” или “- ЕК”.
Только при единственном включении транзистора по схеме с ОЭ фаза выходного сигнала (осциллограммы UmК и как следствие Um.ВЫХ), снимаемого с коллектора изменится на 180º. Поэтому каскад с включением транзистора по схеме с ОЭ называется инверсным. При других включениях транзистора с ОК и ОБ выходной и входной сигналы всегда совпадают по фазе.
Для определения схемы включения транзистора с ОЭ, ОК, ОБ необходимо пользоваться следующим правилом (пример для ОЭ):
Если входной сигнал подаётся в базовую цепь транзистора, а выходной снимается с коллектора, то третий электрод – эмиттер, является общим для входного и выходного сигнала независимо от того, как он включён в схему.
На Рис.23 и Рис.24 представлены схемы с включением транзисторов с общим коллектором ОК и общей базой ОБ и приведены их особенности.
Рис.23 Схема усилительного каскада с ОК.
Важными свойствам усилительного каскада с транзистором, включенным с ОК являются:
1. Большое входное RВХ (десятки кОм) и малое выходное (десятки Ом) сопротивления, что улучшает согласование с предыдущими и последующими каскадами.
2. Входной сигнал не инвертируется, т.е. входной UВХ и выходной UВЫХ сигналы совпадают по фазе (φ = 0).
3. Коэффициент усиления по напряжению меньше единицы (КU < 1, но КI >> 1).
Рис.24 Схема усилительного каскада с ОБ.
Свойство транзисторного усилительного каскада с ОБ противоположные свойствам каскада с ОК. Каскады с включением транзистора по схеме с ОБ в низкочастотных усилителях УНЧ (звуковых частот УЗЧ) практически не используются.
Дата добавления: 2016-07-05 ; просмотров: 28642 ;