Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок с сортировкой по типу корпуса
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
PQFN 2×2 мм
20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable
25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg
30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
PQFN 3×3 мм
20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg
30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg
30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg
30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg
30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg
30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
SO-8 или TSOP-6
20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8
25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8
20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6
30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8
30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8
30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8
60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8
80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8
80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8
100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8
100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8
150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8
200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
PQFN 5×6 мм
20
—
25 В
20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6
25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
30 В
30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6
30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6
40 В
40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6
55 — 60 В
60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6
75 — 80 В
75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
100 В
100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
150 В
150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
200 В
200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
250 В
250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
25 В
25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can
25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can
25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can
25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can
25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can
25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can
25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can
30 В
30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can
30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 56A, 7.7 mOhm, 11 nC Qg, Med Can
30V, 58A, 7.3 mOhm, 11 nC Qg, Small Can
30V, 60A, 7.3 mOhm, 11.7 nC Qg, Small Can
30V, 140A, 2.5 mOhm, 28 nC Qg, Med Can
30V, 150A, 2.5 mOhm, 33 nC Qg, Med Can
30V, 170A, 2.2 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 51 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 49 nC Qg, Med Can
30V, 190A, 1.8 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40 В
40V, 55A, 8.3 mOhm, 19 nC Qg, Small Can
40V, 106A, 5.0 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
40V, 150A, 3.4 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40V, 270A, 1.0 mOhm, 220 nC Qg, Large Can
55 — 60 В
60V, 67A, 11.2 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
60V, 86A, 7.0 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
60V, 108A, 1.3mohms, 220nC, Large Can
75 — 80 В
80V, 55A, 15 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
80V, 68A, 9.5 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
75V, 83.8, 2.2 mohms, 220nC, Large Can
100 В
100V, 19A, 62 mOhm, 8.7 nC Qg, Small Can
100V, 14.7A, 60 mOhm, 8.3 nC Qg, Small Can
100V, 25A, 35 mOhm, 14 nC Qg, Small Can
100V, 47A, 22 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
100V, 60A, 13 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
100V, 124A, 3.5 mOhm, 200 nC Qg, Large Can
150 В
150V, 28A, 47 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
150V, 35A, 35 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
150V, 67A, 11 mOhm, 97 nC Qg, Large Can
200 В
200V, 15A, 100 mOhm, 26 nC Qg, Med Can
200V, 26A, 60 mOhm, 34 nC Qg, Med Can
250 В
250 В, 35A, 38 mOhm, 110 nC Qg, Large Can
Зарубежные полевые транзисторы и их аналоги.
Наиболее популярные зарубежные полевые транзисторы и их аналоги.
В таблице, расположенной ниже вы можете найти наиболее распространенные типы зарубежных полевых транзисторов, соответствующие комплиментарные им типы, а так же и их аналоги (эквиваленты), в т. ч. и отечественные.
| Тип прибора. |
Отече- ственый аналог. |
Техно- логия. |
Тип ка-/ нала. |
Экви- валент. |
| 2SJ50 | — | МДП | p | 2SJ56 |
| 2SJ56 | — | МДП | p | 2SJ50 |
| 2SK135 | — | МДП | n | 2SK176 |
| 2SK176 | — | МДП | n | 2SK135 |
| 2N3819 | КП307Б | p-n | n | — |
| 2N3820 | — | p-n | p | — |
| 2N4092 | КП902А | p-n | n | — |
| 2N4118 | — | p-n | n | — |
| 2N4220 | КП329Б | p-n | n | — |
| 2N4351 | КП331А | p-n | n | — |
| 2N4391 | КП914 | p-n | n | 2N4392 |
| 2N4392 | КП914 | p-n | n | 2N4391 |
| 2N4393 | КП333 | p-n | n | 2N4392 |
| 2N4416 | КП329А | p-n | n | — |
| 2N4858 | — | p-n | n | — |
| 2N4861 | — | p-n | n | — |
| 2N5457 | КП307Е | p-n | n | — |
| 2N5460 | — | p-n | p | 2N5461 |
| 2N5461 | — | p-n | p | 2N5460 |
| 2N5486 | — | p-n | n | — |
| 2N7000 | — | МДП | n | — |
| 2N7007 | — | МДП | n | — |
| 2N7010 | — | МДП | n | — |
| 2N7014 | — | МДП | n | — |
| 2N7054 | — | МДП | n | — |
| 2N7055 | — | МДП | n | — |
| 2N7058 | — | МДП | n | — |
| BF244A | КП307Ж | p-n | n | BF245A |
| BF245A | КП329А | p-n | n | BF244A |
| BUZ11 | — | МДП | n | — |
| IRF120 | КП922Б | МДП | n | — |
| IRF130 | КП912 | МДП | n | — |
| IRF330 | — | МДП | n | — |
| IRF510 | КП510 | МДП | n | IRF511 |
| IRF511 | — | МДП | n | IRF510 |
| IRF520 | КП520 | МДП | n | — |
| IRF530 | КП530 | МДП | n | IRF531 |
| IRF531 | — | МДП | n | IRF530 |
| IRF540 | КП540 | МДП | n | — |
| IRF610 | КП610 | МДП | n | — |
| IRF620 | КП620 | МДП | n | IRF621 |
| IRF621 | — | МДП | n | IRF620 |
| IRF640 | КП640 | МДП | n | — |
| IRF710 | КП710 | МДП | n | — |
| IRF720 | КП720 | МДП | n | — |
| IRF730 | КП730 | МДП | n | IRF720 |
| IRF830 | — | МДП | n | IRF831 |
| IRF831 | — | МДП | n | IRF830 |
| IRF840 | — | МДП | n | — |
| J309 | — | p-n | n | J310 |
| J310 | — | p-n | n | J309 |
| VN10LM | — | МДП | n | VN10KM |
| VN10KM | — | МДП | n | VN10LM |
| VN46AF | — | МДП | n | — |
| VN66AF | — | МДП | n | — |
| VN88AF | — | МДП | n | — |
Мощные полевые транзисторы (Power MOSFET)
TO-220AB
N-канал
N-канал управление логическим уровнем
P-канал управление логическим уровнем
N-канальные MOSFET серия BUZ
Улучшенные Power MOSFET
| RLP1N06CLE |
Опубликовать
Вам также могут понравиться
1 Комментарий
Максим говорит 1 год тому назад
60F30 MW9B0E нужен аналог
Оставьте ответ
Alex Янв 5, 2013 45
Окт 9, 2015
Апр 24, 2014
Мар 10, 2013
Alex Мар 9, 2013 0
Апр 27, 2013
Май 10, 2013
Мар 8, 2013
Alex Янв 2, 2017 0
Апр 21, 2018
Авг 6, 2013
Июн 26, 2014
Alex Янв 31, 2012 0
Янв 28, 2012
Июн 26, 2014
Апр 23, 2014
Alex Июл 31, 2014 0
Апр 25, 2014
Июл 31, 2014
Дек 21, 2016
Популярные категории
- 3-pin 3703
- Аудио усилители 1532
- Транзисторы 628
- Калькуляторы 174
- Схемы электрические 155
- Cydia iphone & ipad 77
- Apple iPhone прошивка и разблок. 57
- Тиристоры 54
- Apple iPhone обои 49
- Разное 42
- Цифровое ТВ 40
- SMD справочник 2 37
- Доменные имена 35
- Отделка 31
- Техническая информация 28
- iOS Приложения 27
- Кабель 26
- Маркировка 22
- Новости электроники 21
- Алгебра 20
- Математика 20
- Жизнь и Быт 20
- Справочник 20
- Усилители 20
- Отопление 18
- Apple iPad Jailbreak 17
- Диоды 17
- Конструкция 16
- Красота и Здоровье 16
- Схемы аппаратуры 15
- HD TV статьи 15
- Продвижение сайта 15
- Аудио / Видео разъемы 13
- Компьютерные разъемы 11
- Контрольные работы 11
- История 11
- Металлопрокат 10
- Мультиметры 10
- Беременность 9
- Стабилизаторы напряжения 9
- Стабилизаторы 9
- Apple настройка и помощь 8
- Doogee 8
- Светодиоды 8
- Стабилитрон 7
- Симисторы 7
- Нумерология 6
- Транспорт 6
- МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ 6
- Трубопровод 6
Какой марки бывают полевые транзисторы
Внимание! Для транзисторов с несколькими модификациями (несколько букв, например КП707А, КП707Б, КП707В) в таблице приведены наилучшие значения параметров из всего семейства, и для конкретного прибора какой-то параметр может быть хуже — смотрите PDF.
В танзистора и сопротивлением его канала, т.е., при выборе высоковольтного транзистора нужно быть готовым к тому, что потери проводимости будут значительными аблице справа приведено наименование транзистора, аналог (если известен), ссылка на PDF файл , тип проводимости и основные характеристики транзистора: максимальный ток , максимальное допустимое напряжение сток-исток, минимальное сопротивление канала. Подробные параметры и графики содержатся в pdf файле.
Полевой транзистор КП302, параметры, характеристики
Полевой транзистор КП364 , характеристики, аналоги
Полевой транзистор КП402 , параметры, аналоги
Полевой транзистор КП403, параметры, аналог
Полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода КП601
Мощный полевой транзистор КП704, характеристики
Характеристики МДП транзистора КП705
Параметры полевого транзистора КП707
МОП транзистор КП707, цоколевка, аналог
Схема полевого транзистора КП733, характеристики, параметры
Схема мощного полевого транзистора КП767, аналоги, характеристики
Схема мощного полевого транзистора КП768, аналоги, параметры
Схема мощного полевого транзистора КП769, аналоги, параметры
Схема полевого транзистора КП770, характеристики
Полевой транзистор КП801 для усилителей звуковой частоты с затвором на основе p-n перехода
Полевой транзистор КП802 с затвором на основе p-n перехода
Полевой транзистор КП804, применение, аналоги
МДП транзистор КП805, параметры, характеристики
МДП транзистор КП809, параметры, аналог
Полевой транзистор КП810, описание, аналог
Полевой транзистор КП812, область применения, аналог
Мощный полевой транзистор КП813, типовое применение, характеристики
Полевые транзисторы , по сравнению с биполярными обладают следующими достоинствами:
-малая мощность в цепи управления (по сути, она затрачивается лишь на заряд суммарной емкости затвора)
-высокие скорости переключения (при правильном выборе схемы управления транзистором)
-отсутствие вторичного пробоя
К основным недостаткам можно отнести:
— типичная взаимосвязь между максимальным допустимым напряжением полевого тр
— неприятная связь между сопротивлением открытого MOSFET транзистора и его температурой, типично при 150 градусах на кристалле сопротивление (и потери проводимости соответственно) будут в два с лишним раза больше, чем при 25 градусах. Сопротивление же обычно указывают именно при нормальных условиях
| © PavKo, 2007-2018 Обратная связь Ссылки |