3dd200 транзистор где применяется

3dd200 транзистор где применяется

Биполярный транзистор 3DD200 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DD200

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

3DD200 Datasheet (PDF)

..1. Size:207K inchange semiconductor
3dd200.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD200DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 30~120(Min.)@I = 2AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 3ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV

0.1. Size:205K inchange semiconductor
3dd200d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD200DDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-h =15(Min)@I = 8AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.4V(Max)@ I = 8ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high power audio ,disk head positioners andother linear

9.1. Size:353K jilin sino
3dd209l.pdf

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORR3DD209L MAIN CHARACTERISTICS Package IC 12AVCEO 400VPC 120W APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply Hi

9.2. Size:146K china
3dd2028ll.pdf

3DD2028LL NPN A B C D PCM Tc=75 50 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 1100 1400 1600 1800 V V(BR)CEO ICE=5mA 500 600 800 1000 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 8.0 V ICBO VCB=1000V 0.3 mA VBEsat

9.3. Size:151K china
3dd203.pdf

3DD203 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 80 150 200 250 350 450 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=50V 0.1 mA

9.4. Size:144K china
3dd2073.pdf

3DD2073 NPN PCM Tc=25 25 W ICM 1.5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.8A V(BR)CBO ICB=1mA 150 V V(BR)CEO ICE=1mA 150 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=120V 10 mA IEBO VEB=5V 10 mA VBEsat 3.0 Ic=0.5A V IB=0.05

9.5. Size:151K china
3dd204.pdf

3DD204 NPN A B C D E F PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=0.6A V(BR)CBO ICE=1mA 100 150 200 250 300 350 V V(BR)CEO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=50V 0.1 mA

9.6. Size:192K inchange semiconductor
3dd202b.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD202BDESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

9.7. Size:202K inchange semiconductor
3dd208.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD208DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 30~250(Min.)@I = 0.5AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 2.0V(Max)@ I = 1ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and powe

9.8. Size:193K inchange semiconductor
3dd207.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD207DESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorFor audio amplifier applications

9.9. Size:212K inchange semiconductor
3dd209l.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD209LDESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lightElectronic ballastsHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

9.10. Size:204K inchange semiconductor
3dd201.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD201DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 40~120(Min.)@I = 2AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output applicati

9.11. Size:192K inchange semiconductor
3dd202a.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD202ADESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Транзисторы 3DD207 и 3DD200

Транзисторы 3DD207 и 3DD200
В tv Jinlipu 3508E полетели транзисторы 3DD207 и 3DD200. Подскажите, пожалуйста: Чья это маркировка? Какими их можно заменить?

• 25 Сен 2007

Fadeevich сказал(а):
Чья это маркировка?
Китайская.
ссылка скрыта от публикации

Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

• Маркировку
• Тип корпуса
• Логотип производителя
• Используемый узел
• Схему включения

Какая маркировка электронных компонентов ?

Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).

Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.

Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента.
Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения.
Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.

Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

Какие типы корпусов электронных компонентов?

Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента.
На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)

• Корпуса электронных компонентов
• SOP-8 150-mil
• SOP-8 208-mil
• SOT23-6
• SOT89-5

Корпус	Краткое описание
DIP	(Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
SOT-89	Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23	Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOP	(SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
TO-220	Корпус для монтажа (пайки) в отверстия
TSOP	(Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
BGA	(Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

Где скачать справочник ?

Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:

• Справочник по транзисторам
• ТДКС — распиновка, ремонт, прочее
• Сервисный режим телевизоров
• Справочники по микросхемам

Где применяется транзистор 3dd200?

3dd200 транзистор — это полевой транзистор с усиленным P-каналом, который обладает широким спектром применения. 3dd200 имеет высокую стабильность и надежность работы, что делает его привлекательным решением для различных электронных устройств.

Этот транзистор обеспечивает высокую производительность в силовых схемах, где требуется эффективное управление током. Он может использоваться для усиления, коммутации и регулирования сигналов в различных устройствах, включая телевизоры, радиоприемники, аудиоусилители, преобразователи электроэнергии и другие электронные устройства.

Основные характеристики 3dd200 транзистора включают высокий коэффициент усиления, низкое значение внутреннего сопротивления, низкий уровень шума и высокую помехоустойчивость. Это делает его идеальным выбором для приложений, где необходимо обеспечить надежную передачу и усиление сигнала, особенно в условиях повышенных помех.

3dd200 транзистор является незаменимым компонентом в современной электронике. Благодаря своим отличным характеристикам и универсальности, он находит применение в широком спектре устройств и обеспечивает их стабильную и эффективную работу.

Применение 3dd200 транзистора в электронике

1. Телекоммуникации: в телефонах, радиостанциях, мобильных устройствах, планшетах и других коммуникационных устройствах 3dd200 транзистор используется для усиления сигнала и выполнения других функций, связанных с передачей и приемом информации.
2. Компьютеры и ноутбуки: этот транзистор применяется в центральных процессорах, графических картaх, и других компонентaх компьютерной системы для выполнения высокоскоростных вычислений и обработки данных.
3. Источники питания: 3dd200 транзистор используется в стабилизаторах напряжения и источниках тока для обеспечения стабильных выходных характеристик и защиты устройства от перегрузок.
4. Радиоэлектроника: в радиоприемниках, телевизорах и других радиоэлектронных устройствах 3dd200 транзистор применяется для усиления и модуляции радиочастотного сигнала.
5. Электроэнергетика: транзистор 3dd200 используется в системах управления и защиты электрической энергии для регулирования напряжения, контроля тока и обеспечения безопасной работы электросетей.

Это лишь некоторые примеры применения 3dd200 транзистора. Благодаря своим характеристикам и надежности, этот транзистор находит широкое применение во многих сферах электроники и технологий.

Основные особенности 3dd200 транзистора

Основные характеристики 3dd200 транзистора включают:

• Высокая мощность и эффективность. 3dd200 транзистор обладает высоким коэффициентом усиления тока, что позволяет ему обрабатывать большие объемы энергии и обеспечивать высокую эффективность.
• Широкий диапазон рабочих температур. 3dd200 транзистор способен работать в широком диапазоне температур, что делает его подходящим для использования в различных условиях и средах.
• Низкое потребление энергии. Благодаря своей конструкции и особенностям, 3dd200 транзистор потребляет небольшое количество энергии, что позволяет экономить ресурсы и уменьшить затраты.
• Высокая надежность и долговечность. 3dd200 транзистор прошел сертификацию и соответствует высоким стандартам качества, что гарантирует его надежную работу и долгий срок службы.

3dd200 транзистор имеет широкий спектр применения в различных отраслях, включая электронику, телекоммуникации, промышленность, энергетику и другие.

Благодаря своим особенностям и характеристикам, 3dd200 транзистор позволяет повысить эффективность и производительность систем, сократить потребление энергии и улучшить качество сигнала, что делает его незаменимым компонентом для современных технологий и разработок.

dd200 транзистор для радиосвязи и телекоммуникаций

dd200 транзистор применяется в различных областях радиосвязи и телекоммуникаций благодаря своим основным характеристикам.

Одной из основных характеристик dd200 транзистора является высокая производительность, что позволяет использовать его в сложных схемах и устройствах связи. Также dd200 обладает низкими потерями мощности и хорошей линейностью передачи, что позволяет использовать его в высокочастотных системах связи.

dd200 транзистор имеет широкий диапазон рабочих частот, что позволяет использовать его в различных приложениях, включая радиолюбительские устройства, радиостанции и системы телекоммуникаций.

Также dd200 транзистор обладает высокой надежностью и стабильной характеристикой работы в различных условиях. Он устойчив к перегрузкам и имеет защиту от перегрева, что делает его надежным компонентом для использования в продуктах связи и коммуникации.

В заключение, dd200 транзистор является идеальным выбором для радиосвязи и телекоммуникаций благодаря своим высоким характеристикам, надежности и стабильности работы. Он находит применение в различных устройствах и системах связи, обеспечивая высокое качество при передаче сигналов.

3dd200 транзистор в автопроме и электротранспорте

Этот транзистор используется в системах управления электродвигателями, начиная от электрокаров и заканчивая электрическими мотоциклами. Он отличается высокой мощностью и способностью выдерживать большие токи, что делает его идеальным выбором для применения в электротранспорте.

В автомобильной промышленности транзистор 3dd200 используется в системах электронного контроля и управления автомобилем. Он может быть включен в систему управления двигателем, системы блокировки зажигания и прочие системы, где требуется эффективная работа транзистора для обеспечения оптимальной производительности автомобиля.

Свои характеристики этот транзистор проявляет и в таких областях применения, как системы стабилизации напряжения и тока. Он может использоваться в устройствах, где необходимо точное и стабильное управление электрическими параметрами. Транзистор 3dd200 обладает высокой точностью и надежностью, что позволяет использовать его в критических ситуациях.

Применение 3dd200 транзистора в промышленности

3dd200 транзистор широко используется в промышленности благодаря своим высоким характеристикам и надежности. Он позволяет эффективно регулировать и управлять электрическими схемами и системами, обеспечивая стабильное и точное функционирование различных устройств и механизмов.

Основное применение 3dd200 транзистора в промышленности:

Применение	Описание
Силовые источники питания	3dd200 транзистор обеспечивает эффективное управление и регулирование электроэнергией, что позволяет создавать стабильные и надежные силовые источники питания для различных промышленных устройств и систем.
Промышленные электродвигатели	Транзистор 3dd200 обеспечивает точное управление и мощность при работе с промышленными электродвигателями. Он позволяет регулировать скорость и обеспечивать безопасную и эффективную работу электродвигателя.
Автоматизированные системы	Благодаря высоким техническим характеристикам и надежности, 3dd200 транзистор используется в автоматизированных системах для управления и контроля различных процессов, таких как производство, управление температурой и давлением, а также в системах безопасности и защиты.
Телекоммуникационное оборудование	В сфере телекоммуникаций 3dd200 транзистор используется для усиления и стабилизации сигналов в различных устройствах и системах связи. Он позволяет обеспечить высокое качество передачи данных и устойчивость сигнала при передаче по длинным расстояниям.

В целом, благодаря своим характеристикам и прочности, транзистор 3dd200 является незаменимым элементом в промышленности, обеспечивающим стабильную и эффективную работу различных систем и устройств.

DD200 транзистор в энергетике и альтернативных источниках энергии

Одной из основных областей применения DD200 транзистора в энергетике является преобразование и усиление электрической энергии. Он широко применяется в конвертерах постоянного тока, инверторах и регулировщиках преобразователей, где он обеспечивает управление потоком энергии, позволяя регулировать напряжение и ток в соответствии с требуемыми параметрами.

DD200 транзистор также находит применение в солнечных батареях и ветрогенераторах, где он выполняет функцию переключения и управления электрическим током. Он позволяет эффективно использовать полученную от солнечных панелей или ветрогенераторов энергию, преобразуя ее в электрический ток, который может быть использован для питания различных устройств и систем.

Кроме того, DD200 транзистор часто применяется в аккумуляторных системах, где он обеспечивает контроль и защиту аккумуляторов от перегрузки и короткого замыкания. Благодаря своим особым характеристикам, DD200 транзисторы могут обеспечивать стабильность и надежность работы аккумуляторных систем, что делает их незаменимыми для поддержания энергоснабжения в различных приложениях.

В заключение, DD200 транзистор играет важную роль в энергетике и альтернативных источниках энергии. Его уникальные характеристики позволяют эффективно использовать и контролировать электрическую энергию, обеспечивая надежное и стабильное энергоснабжение в различных системах.

3dd200 транзистор в медицине и биотехнологиях

Одной из областей применения 3dd200 транзистора в медицине является создание биомедицинских приборов. Благодаря своей маленькой размерности и низкому потреблению энергии, этот транзистор обеспечивает возможность создания компактных приборов для мониторинга и контроля различных параметров организма, таких как кровяное давление, температура тела, пульс и другие. Биомедицинские приборы, работающие на основе 3dd200 транзистора, позволяют не только эффективно контролировать состояние пациента, но и определять ранние признаки заболеваний и реагировать на них вовремя.

Еще одной областью применения 3dd200 транзистора является генетическая и клеточная инженерия. Этот транзистор обеспечивает точное и эффективное управление процессами, происходящими на молекулярном уровне. Благодаря своей высокой скорости работы, 3dd200 транзистор позволяет проводить манипуляции с генетическим материалом и клетками, контролировать и изменять их поведение и функции. Такие возможности применяются, например, при исследовании генетических болезней, разработке новых лекарственных препаратов, а также в терапии рака и других заболеваний.

3dd200 транзистор играет важную роль в современной медицине и биотехнологиях, обеспечивая эффективное и точное управление системами и устройствами. Благодаря своим характеристикам и применению в медицине и биотехнологиях, этот транзистор является неотъемлемым компонентом в различных областях науки и промышленности.

Экономическая значимость 3dd200 транзистора

3dd200 транзистор имеет высокую экономическую значимость в современной технике и электронике. Он широко используется в различных областях промышленности и науки благодаря своим основным характеристикам.

Одной из основных применений 3dd200 транзистора является его использование в производстве и разработке многофункциональных электронных устройств. Транзисторы этой серии обладают высокой надежностью и долговечностью, что позволяет им успешно функционировать в условиях повышенной нагрузки и экстремальных температурных режимов. Это делает их незаменимыми элементами для создания сложных схем и микроконтроллеров.

3dd200 транзистор также находит свое применение в электроэнергетике. Он используется в силовых устройствах и электрических системах для регулирования потока электричества. Благодаря своим высоким энергоэффективным характеристикам, транзисторы 3dd200 способны обеспечить стабильную и эффективную работу электроустановок, что позволяет снизить затраты на электроэнергию.

Еще одной областью применения 3dd200 транзистора является телекоммуникационная индустрия. Он используется в устройствах связи для передачи и обработки сигналов. Благодаря своим характеристикам, транзисторы данной серии обеспечивают высокую скорость передачи данных и стабильное функционирование сетей связи. В результате этого, затраты на поддержание и обслуживание сетей снижаются, а качество передаваемой информации улучшается.

Таким образом, 3dd200 транзистор является важным и неотъемлемым компонентом в современной электронике. Его применение в различных отраслях экономики позволяет повысить эффективность работы систем, сократить затраты и обеспечить стабильное функционирование технических устройств.

3DD200 | Inchange

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 3DD200 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~120(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 3A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for B&W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 250 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation@TC=75℃ 30 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case MAX UNIT 1.5 ℃/W isc website： www.iscsemi.com 1 isc & iscsemi is registered trademark isc Silicon NPN Power Transistors INCHANGE Semiconductor 3DD200 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 5mA; IB= 0 V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 5mA; IE= 0 V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.3A VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.3A ICBO Collector Cutoff Current VCB= 150V; IE=0 hFE DC Current Gain IC= 2A; VCE= 5V tf Fall Time IC= 3A; IB1= 0.2A,.

@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)