Как рассчитать h параметры транзистора по графику

1.2. Методика графического определения h –параметров транзистора

Располагая вольт–амперными характеристиками транзистора, можно графическим путем определить низкочастотные значения h-параметров.

Параметры h_11э и h_12э находят по входной характеристики U_бэ =₁(I_б)|_Uкэ=const. Для определения h -параметров необходимо задать рабочую точку, например А₁ (I_бА, U_бэА) _U₌_const , в которой требуется найти параметры.

Определим входное сопротивление транзистора h_11э для заданной рабочей точки А₁ (I_б1 =d , ) при U_кэ=5B рис.8.3.

Рис.8.3. Входная характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Вблизи рабочей точки А₁ выбираем вспомогательную точку А₂ с координатами по току I_б2 =c = d+I_б и по напряжения U_бэ2=b=a+U_бэ рис.8.3. Отсюда следует, что ΔI_б = cd, a U_бэ = ab_, тогда входное дифференциальное сопротивление h_11э, рассчитаем по формуле:

Приращения U_бэ и I_б выбирают так, чтобы не выходить за пределы линейного участка, их можно примерно принять за (10-20)% от значения U_бэ = а рабочей точки.

Графическое определение коэффициента обратной связи по напряжению

h_12э = U_бэ /U_кэI_б =const на входной характеристике (рис.8.3.) осуществляется по формуле

Рис.8.4. Выходная характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Параметры коэффициента усиления транзистора по току h_21э и выходной проводимости h_22э определяются из семейства выходных характеристик транзистора I_к=₁ (U_кэ) (рис.8.4).

Приращение тока базы I_б следует брать, как I_б=I_б2 – I_б1=cd, где I_б2 и I_б1 определены как токи базы в точках А₂ и А₁. Этому приращению I_б соответствует приращение коллекторного тока I_к = I_к2 – I_к1=ef , где I_к2 и I_к1 определены в точках А₂ и А₁ рис. 8.4.

Параметр h_22э=(I_к/U_кэ)_Iб=const определяется по наклону выходной характеристики в заданной рабочей точке А₁ (I_бА, U_кэА), при постоянном токе базы I_б. Для нахождения приращений выбирают две вспомогательные точки, в примере они выбраны для напряжений 5В и 15В. Для этих точек определяют U_эк|_Iб=с_onst=15B-5B – приращение коллекторного напряжения, и приращение коллекторного тока I_к = gf. При этом из семейства выходных характеристик следует выбирать ту характеристику, которая снята при выбранном значение тока базы I_б1 .

Если рабочая точка не совпадает ни с одной траекторией приведенной на графике, то такую траекторию надо провести самостоятельно, между и по аналогии с соседними значения тока базы которых известно, и присвоить ей свое значение тока базы равное I_бА .

2. Задания на теоретические расчеты

2.1. Ознакомьтесь со схемами включения биполярного транзистора, с методикой исследования и снятия статических вольт-амперных характеристик с ОЭ; с методикой графического определения h–параметров транзистора.

2.2. Рассчитайте по формуле (8.5) и постройте нагрузочную характеристику I_к= ₃ (U_кэ) биполярного транзистора для следующих исходных данных R_к=1кОм, 3кОм; Е_к=10B;

3. Задания на экспериментальное исследование и порядок их выполнения

Задание 1. Исследование статических вольтамперных характеристик (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с ОЭ (с помощью амперметра-вольметра).

Рис.8.4. Схема измерения входной ВАХ биполярного транзистора, с помощью амперметра-вольтметра.

2.1. Снимите входную ВАХ – I_б=F(U_бэ)|_Uкэ=const для транзистора тип которого указан Вам преподавателем. Соберите схему (рис.8.4). Измерения проводите устанавливая значения I_б с помощью источника тока в мкА, при Uкэ=0 и +12В. При выполнении исследований следует учитывать, что параметры транзисторов могут существенно отличаться друг от друга, поэтому исходные данные тока I_б могут быть изменены студентом для того чтобы вид входной характеристики был примерно подобен графику представленному на рис. 8.3. Данные занесите в таблицу 8.1.

Расчет параметров биполярного транзистора

В соответствии с действующей рабочей программой по дисциплине «Промышленная электроника» студенты специальности ЭПП должны выполнить 4 самостоятельных расчетно-графические работы под контролем преподавателя. В настоящих методических указаниях изложены материалы по первой работе «Расчет параметров биполярного транзистора.

В основных положениях указаний изложен минимальный объем информации, позволяющий студенту выполнить предлагаемое задание. Предполагается, что студент в процессе подготовки к непосредственному расчету должен изучить в полном объеме необходимый материал по рекомендуемым ниже учебникам и пособиям. При этом следует обратить внимание на физические явления, лежащие в основе работы транзистора, разобраться во взаимосвязи между его электрическими параметрами , хорошо представлять порядок величин параметров.

При сдаче работы со студентом проводится собеседование. Приведенные контрольные вопросы помогут студенту не только определить степень его готовности к выполнению расчетов, но и подготовиться к собеседованию.

Кроме формулировки задания, методические указания содержат справочные сведения по транзисторам, которыми студент обязан пользоваться.

Оформление выполненного задания в тетради должно быть аккуратным, с полной записью его условия. Графики выполняются с помощью графических принадлежностей.

Рекомендуются следующие учебники и пособия:

Забродин Ю.С. Промышленная электроника.-М.:Высшая школа, 1982 /стр. 42-64/.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, 1988 /стр. 20-28/.
Основы промышленной электроники. / Под ред. проф. В.Г.Герасимова.-М.: Высшая школа, 1986 /стр. 28-34/.

1. Основные положения

1.1. Биполярный транзистор и схемы его включения Биполярный транзистор представляет собой кристалл проводника, состоящий из трех слоев с различной проводимостью, как условно показано на Рис.1. Каждый из слоев снабжён электродами, необходимыми для подключения к внешней цепи, которые называются эмиттер, база и коллектор. Возможны два типа транзисторов и в соответствии с основными носителями заряда в полупроводниковых материалах, используемых в крайних эмиттерном и коллекторном слоях, и в среднем-базовом слое. Как видно из Рис.1., в биполярном транзисторе два перехода, которые называются эмиттерным и коллекторным. Рис.1 Назначением эмиттерного слоя является формирование рабочих носителей заряда транзистора. Тип этих носителей определяется типом основного носителя эмиттерного слоя. Следовательно, в транзисторе типа рабочими носителями заряда являются дырки, а в транзисторе типа – электроны. В коллекторном слое осуществляется сбор рабочих носителей заряда, которые в своем дрейфе от эмиттера к коллектору проходят базовый слой. В базовом слое часть рабочих носителей заряда нейтрализуется основными зарядами материала базового слоя. Биполярные транзисторы изготовлены так, что концентрация основных носителей заряда в эмиттерном слое много больше концентрации основных носителей заряда базового слоя, поэтому в базовом слое нейтрализуется лишь малая часть носителей, поступающая из эмиттера, а 90-99 % рабочих носителей заряда доходят до коллектора. Для обеспечения описанного выше процесса дрейфа рабочих носителей заряда в биполярном транзисторе необходимо между его электродами подать напряжение от источников ЭДС. Одна из схем включения транзистора типа приведена на Рис.2. Рис.2 Чтобы поток рабочих носителей заряда (электронов) из эмиттерного слоя поступал в базовый, эмиттерный переход должен быть открыт, т.е. к эмиттерному электроду должен быть подан «минус», а к базовому -«плюс». С увеличением напряжения эмиттер — база увеличивается поток носителей заряда, а поэтому и ток эмиттера. Восполнение дырок в базовом слое, которые нейтрализуют электроны, поступающие из эмиттерного слоя, осуществляется за счет источника внешней цепи. Это обуславливает протекание тока базы, величина которого значительно меньше тока эмиттера, вследствие малой доли потока рабочих носителей заряда, которая нейтрализуется в базовом слое. Малая величина тока базы определяет функцию базового электрода как управляющего. Действительно, эффективное управление транзистором может быть только такое, которое потребляет малый уровень мощности. Для достижения коллектора электронами эмиттера вошедшими в базовый слой, необходимо, чтобы источник ЭДС, включенный между коллекторным и базовым электродами, обеспечивал подачу на коллектор положительного потенциала относительно базы. Это иллюстрируется на Рис.2. На Рис.2 представлено включение транзистора по схеме с общей базой. Наряду с такой схемой, на Рис.3. представлены еще две возможные схемы включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Как видно из этого рисунка, схемы содержат две внешних цепи с соответствующими источниками ЭДС: входная (левые части схемы) и выходная (правые части). Наименование схемы Рис.3 включения транзистора определяется электродом, который является общим для двух этих цепей. Во всех трех схемах базовый электрод входит в состав входной цепи, поскольку по базе происходит управление работой транзистора, и в эту цепь включается источник входного сигнала. Нагрузка включается в выходную цепь. Входные и выходные токи в представленных схемах включения транзистора, а также напряжения между электродами транзистора, определяемые источниками ЭДС, различны и приведены в таблице 1. Таблица 1 Токи и напряжения во входной и выходной цепях схем включения транзистора

Схема включения	Входной ток	Входное напряжение	Выходной ток	Выходное напряжение
ОБ	I_Э	U_ЭБ	I_К	U_КБ
ОЭ	I_Б	U_БЭ	I_К	U_КЭ
ОК	I_Б	U_БК	I_Э	U_ЭК

Полярность напряжений источников ЭДС, показанная на Рис.3. соответствует транзистору типа . При использовании транзистора типа в связи с изменением типа рабочего носителя заряда полярности напряжений источников должны быть изменены. 1.2. Характеристики и параметры транзистора в схеме ОЭ Сведения о конкретном типе транзистора, необходимые для правильного выбора режима его работы, обычно приводятся в виде характеристик и систем параметров. Транзистор, описывается, в первую очередь, семейством входных и выходных характеристик. Входными называется семейство вольтамперных характеристик входной цепи схемы включения транзистора, построенных для ряда фиксированных значений напряжения выходной цепи. Выходными называется семейство вольтамперных характеристик выходной цепи транзистора, построенных для ряда фиксированных значений входного тока. Как видно из таблицы 1 каждой схеме включения транзистора соответствует определенное сочетание входных и выходных токов и напряжений. Поэтому и входные и выходные характеристики транзистора будут определяться схемой его включения. Ниже будут рассматриваться характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ. Эта схема включения нашла наибольшее распространение. Типичные входная и выходная статические характеристики транзистора типа представлены на рис.4 и 5*. Входная характеристика — это семейство вольтамперных характеристик I_Б (U_БЭ), построенных при постоянных значениях напряжения U_КЭ. Обычно, как видно из рис.4, приводятся две характеристики: одна для U_КЭ=0 , а другая для значения напряжения U_КЭ ,соответствующего центру рабочего интервала значений данного параметра. Это связано с тем, что вольтамперные характеристики входной цепи для рабочего интервала значений U_КЭ практически не отличаются друг от друга. Выходная статистическая характеристика транзистора, как показано на Рис.5 – это семейство вольтамперных характеристик I_К(U_КЭ), построенных для ряда значений тока I_Б. На выходной характеристике обычно строится рабочая область, т.е. область значений выходных параметров, при которых допускается эксплуатация транзистора. Границы этой области представленной на Рис.5. связаны с тремя факторами: ____________ */ Для транзисторов типа напряжения U_БЭи U_КЭ— отрицательной полярности. Рис.4 Рис.5 — максимальным значением напряжения U_КЭмах , превышение которого приводит к электрическому пробою в коллекторном переходе транзистора; — максимальным значением коллекторного тока I_Кмах , превышение которого может приводить к перегреву эмиттерного перехода; — максимальным значением мощности, рассеиваемой в коллекторном переходе, превышение которого приводит к перегреву этого перехода, Р_Кмах_. На выходной характеристике, Рис.5., последнему фактору соответствует гипербола (1) Как видно из Рис.4 и 5, транзистор представляет собой нелинейный элемент, поскольку его входные и выходные вольтамперные характеристики нелинейные, а следовательно, величины входного и выходного сопротивлений зависят от соответствующих токов и напряжений. Однако на входных и выходных характеристиках транзистора можно выделить участки, где зависимости близки к линейным. В частности , линейными можно считать зависимости в рабочей области Рис.5 , если исключить малые значения напряжения коллектор – эмиттер. Область малых значений U_КЭ , где происходит резкое увеличение тока, не используются при работе транзистора в линейном режиме усилителей и генераторов. Известно из ТОЭ, что на участках, где вольтамперные характеристики нелинейных элементов могут быть аппроксимированные отрезками прямых, эти элементы могут рассматриваться как линейные. Поэтому транзистор в рабочей области часто заменяется эквивалентным четырехполюсником, характеризующимся определенными значениями h параметров, которые являются коэффициентами в соотношениях, связывающих не величины токов и напряжений, а величины их приращений, т.е ∆I_Б,∆I_K, ∆U_БЭ, ∆U_КЭ. (2) Из первого соотношения системы (2) при ∆U_КЭ=0 (или U_КЭ=const) следует (3) Из этого же соотношения при ∆I_Б=0 (или I_Б =const) следует (4) Аналогичным образом второе соотношение системы (2) позволяет записать: (5) (6) Физический смысл h –параметров согласно соотношениям (3) – (6) следующий: h₁₁– входное сопротивление транзистора, при постоянном значении напряжения U_КЭ; h₁₂ – коэффициент обратной связи по напряжению; h₂₁– коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, характеризующий усилительные свойства транзистора при постоянном значении напряжения U_КЭи часто обозначаемый через β; h₂₂— выходная проводимость транзистора при постоянном токе базы. 1.3. Определение h параметров транзистора Расчет значений h параметров производится для электрического режима транзистора, соответствующего рабочей точке (точке покоя) на его статических характеристиках. При работе в линейном режиме эта точка обычно располагается в центре рабочей области. Поэтому расчету значений h — параметров должно предшествовать определение рабочей области на выходной характеристике и выбор электрических параметров (I_БП , I_КП , U_БЭП , U_КЭП ), соответствующих рабочей точке. Значения h— параметров определяются с помощью построений на выходной или входной статической характеристике и с использованием соотношений (3) – (6). При этом обозначения параметров транзистора, входящих в соответствующее соотношение, показывают, какую именно характеристику следует использовать для определения конкретного h— параметра. Величины приращений электрических параметров транзистора в соотношениях (3) – (6) вычисляется как разность между двумя крайними значениями соответствующих параметров. Величина же параметра в рабочей точке должна располагаться в центре интервала между крайними значениями. Расчет величины параметра h₁₁ проводится по соотношению (3), где приращения значений тока базы и напряжения база-эмиттер определяются как разность соответствующих координат двух точек (крайних) на зависимости I_Б(U_БЭ) входной характеристики, показанной на Рис.6. Напряжение U_КЭ , для которого приводятся построения, должно совпадать с рабочей точкой транзистора. Рис.6 Построения для расчета величины параметра h₂₂ с помощью соотношения (6) проводится аналогичным образом (см .Рис. 7) на выходной характеристике. Вольтамперная характеристика, на которой выполняются построения, должна соответствовать току базы рабочей точки. Рис.7 Расчет величины параметра h₂₁ (или β) проводится в два этапа. Сначала по выходным характеристикам строится зависимость I_К (I_Б) для значения напряжения коллектор-эмиттер в рабочей точке. Фиксированные значения I_Кэтой зависимости, как видно из построения на Рис.8, определяются ординатами точек пересечения вертикальной прямой, проведенной через точку U_КЭП, с вольтамперными характеристиками для фиксированных значений I_Б. Затем по построенной кривой зависимости I_К (I_Б) (см. Рис.9) определяются приращения токов коллектора и базы для подстановки в соотношение (4). Величина параметра h₁₂ близка к нулю. Об этом свидетельствует тот факт, что в рабочем интервале значений напряжения U_КЭ вольтамперных характеристики I_Б(U_БЭ) транзисторов практически не отличаются друг от друга. Обычно величина параметра h₁₂не определяется. 1.4. Схема замещения транзистора и определении значений ее параметров Рассмотренные выше h -параметры транзистора вводятся, в известной степени, формально. Поэтому для расчетов электрических схем на транзисторах предпочтительнее использовать схему Рис.8 Рис.9 замещения полупроводникового прибора. Под схемой замещения понимают электрическую схему, составленную из линейных элементов (сопротивлений, ёмкостей, индуктивностей, генераторов тока или напряжений), по своим свойствам отличающихся от реального объекта (в данном случае — транзистора). В соответствии с Рис.3 схему замещения транзистора целесообразно представить в виде Т-образной схемы. Такая простейшая схема приведена на Рис.10. Очевидно, схема замещения справедлива для тех участков статических характеристик транзистора, где вольтамперные характеристики можно считать линейными, т.е. для тех участков, для которых выше определялись значения h –параметров. В связи с этим на Рис.10 токи и напряжения, обозначенные прописными буквами, являются малыми величинами (по сравнению со значениями параметров в рабочей точке) и соответствуют приращениям токов и напряжений, которые использовались при расчете h –параметров. Рис.10 Схема замещения Рис.10 справедлива для области низких частот к включает в себя три активных сопротивления, величины которых можно определить как отношение приращений напряжений в цепях транзистора к соответствующим им приращениям токов: дифференциальное сопротивление эмиттерного p—n перехода, численные значения которого обычно лежат в пределах от единиц до десятков Ом; объёмное сопротивление базы, величина которого в зависимости от типа транзистора составляет 100 — 400 Ом: дифференциальное сопротивление коллекторного p—n перехода, величина которого при включении транзистора по схеме ОЭ составляет несколько кОм и выше. Кроме того, схема замещения включает генератор тока в цепи коллектора, указывающий на то, что транзистор является активным элементом. Значение тока этого генератора пропорционально значению тока базы (βiб). С целью учета частотных свойств транзистора в схеме замещения обычно предусматривается емкость коллекторного p—n перехода, шунтирующая источник тока. В связи с тем, что при низких частотах влияние этой емкости незначительно, определение величины этого параметра ниже не предусматривается. Поэтому на схеме Рис.10 присоединение емкости коллекторного перехода обозначено пунктиром. Как видно из Рис.10 в схему замещения транзистора входят четыре элемента. Величину электрических параметров этих элементов можно связать с величинами четырех h –параметров. Для этого можно использовать законы Кирхгофа, рассмотрев схему замещения транзистора при тех же условиях, при которых были получены соотношения (3) – (6), т.е. при или . При условии , т.е при коротком замыкании выходных клейм схемы 10 выходной ток, по существу, определяется только величиной тока источника, поскольку сопротивление весьма велико, а , т.е. (7) Так как i_k и i_б эквивалентны приращениям соотвествующих токов и (8) Таким образом, параметры h₂₁ и β эквивалентны, о чем отмечалось выше. С учетом эквивалентности параметров и второй закон Кирхгофа, записанный для входного контура схемы Рис.10, дает (9) Поскольку токи, протекающие через электроды транзистора, связаны между собой первым законом Кирхгофа , (10) а также в соответствии с соотношением (7) (11) После замены и эквивалентными им приращениями параметров соотношение (11) представляется в виде (12) Откуда (13) Условие I_Б=const эквивалентно режиму, при котором I_Б=0 . Для этого режима второй закон Кирхгофа для выходной цепи позволяет записать соотношение (14) С учетом того, что r_К(Э)>>r_Э , а величины и эквивалентны величинам приращений параметров и , из соотношения (14) следует (15) Второй закон Кирхгофа для входной цепи схемы Рис.10 в режиме с I_Б=const позволяет записать (16) Откуда вследствие соотношения (14) и эквивалентности и соответственно и получается (17) Из соотношений (8), (13), (15), (17) нетрудно получить выражения для определения параметров схемы замещения транзистора через его h—параметры (18) (19) (20) (21)

H-параметры транзистора

Биполярный транзистор является нелинейным элементом, так как характеризуется нелинейными зависимостями U = f(I) входных и выходных ВАХ. Но при работе транзистора в режиме малого сигнала, т.е. при относительно небольших амплитудах переменных составляющих входных и выходных величин, он может быть представлен в виде активного линейного четырехполюсника (рис. 4.7), предполагающего линейные зависимости между токами и напряжениями. Возможно шесть вариантов выбора независимых и зависимых переменных для описания связи токов и напряжений в данном четырехполюснике.

В силу специфики входных и выходных ВАХ транзистора для его описания обычно выбирают в качестве независимых переменных входной ток (i₁) и выходное напряжение (u₂), а зависимыми являются: входное напряжение (u₁) и выходной ток (i₂). При таком выборе четырехполюсник описывается системой уравнений на основе h-параметров:

Указанный выбор зависимых и независимых переменных приводит к преобразованию данной системы к виду:

Тогда физический смысл h-параметров определяется как:

–	входное сопротивление при коротком замыкании на выходе по переменному сигналу;
–	коэффициент обратной связи по напряжению в режиме холостого хода на входе по переменному сигналу;
–	коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе по переменному сигналу;
–	выходная проводимость при холостом ходе на выходе по переменному сигналу.

H-параметры измеряются в различных единицах: h₁₁ измеряется в Омах, h₂₂ – в Сименсах, h₂₁ и h₁₂ – безразмерны. Так как физические единицы параметров неодинаковые, то такую систему называют гибридной. В схеме замещения транзистора на основе h-параметров (рис. 4.8) генератор ЭДС h₁₂u₂ учитывает наличие напряжения обратной связи во входной цепи, когда на выходе действует напряжение u₂, а входная цепь разомкнута. Сам генератор считается идеальным, т.е. не имеющим внутреннего сопротивления. Идеальный генератор тока h₂₁i₁ учитывает взаимосвязь выходного и входного токов.

Для каждой схемы включения транзистора существует свой набор h—параметров, идентифицируемый соответствующим индексом, но между этими наборами существует однозначная связь, представленная в табл. 4.1.

Связь между h-параметрами для различных схем включения транзисторов

h_11э	h_11б
h₁_2э	h_12б
h_21э	h_21б
h_22э	h_22б

Применительно к схеме включения с ОЭ вместо обозначения h_21э широко используется обозначение b, а в схеме с ОБ – вместо обозначения h_21б обозначение a. Так как в в схеме с ОБ направление тока i_к противоположно базовому направлению тока i₂ исходного четырехполюсника, то h_21б < 0.

H-параметры обычно измеряются специальными техническими средствами, что упрощает процесс измерения и повышает его точность. При практических расчетах значения этих параметров могут быть определены и графо-аналитическим методом по статическим входным и выходным ВАХ. Так как переменные составляющие токов и напряжений транзистора представляют приращения постоянных составляющих этих величин, система уравнений (4.1) может быть представлена в виде:

На рис. 4.9 показан процесс определения h-параметров по входной ВАХ транзистора, а на рис. 4.10 – по выходной. Из рисунков видно, что значения h-параметров не являются постоянными и зависят от режима по постоянному току (рабочей точки транзистора) – значений постоянных составляющих токов и напряжений на входе и выходе транзистора. Поэтому в справочной литературе при указании h-параметров обязательно указывается и режим, при котором произведены измерения.

Значения h-параметров также зависят от частоты переменного сигнала и температуры окружающей среды.

Дата добавления: 2016-05-28 ; просмотров: 3112 ;

H-параметры транзистора, включенного по схеме с ОЭ.

h-параметры транзистора, включенного по схеме с ОЭ, могут быть измерены с помощью схемы для снятия статических характеристик тиристора с ОЭ.

— выходное дифференциальное сопротивление транзистора в заданной точке.

— коэффициент ОС по напряжению.

— коэффициент усиления по току (= ).

— выходная проводимость.

При любой схеме включения h-параметры связаны с собственными параметрами транзистора. Например, для схемы ОБ:

Из этих формул можно определить собственные параметры, если известны h-параметры.

В табл.2 для схем ОЭ и ОБ указаны значения h-параметров, причем вместо дано выходное сопротивление .

Параметр	Схема ОЭ	Схема ОБ
	Сотни Ом – единицы кОм	Единицы – десятки Ом

	Десятки – сотни
	Единицы – десятки кОм	Сотни кОм – единицы МОм

Формулы, связывающие h-параметры для всех трех схем включения транзистора, даны в табл.3.

Схема ОБ	Схема ОЭ	Схема ОК

а)

Рис.21.Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ.

Находятся h-параметры транзистора по его статическим характеристикам для заданной точки в соответствии с формулами, приведенными выше. Причем необходимы не менее двух входных и двух выходных характеристик. В справочниках обычно приводятся две входные характеристики, например, и , а также семейство выходных характеристик. В качестве примера найдем h-параметры транзистора для схемы ОЭ.

Из выходных характеристик ( рис. 21,б) можно найти для заданной точки Т параметры и . По приращениям и между точками А и Б при постоянном напряжении получим:

Отношение приращений и между точками В и Г при постоянном токе базы дает возможность определить:

, что соответствует выходному сопротивлению 40 кОм.

На входной характеристике (рис.21, а) указана точка Т для того же режима, что и на выходных характеристиках. По приращениям и между точками А и Б при постоянном напряжении находим:

Для определения необходимо иметь не менее двух входных характеристик, снятых при разных . Для нашего случая:

При определении h-параметров для схемы с ОБ следует учитывать, что определение параметров и по семейству выходных характеристик дает большую погрешность из-за наклона последних и как следствие невозможностью точно определить величину , соответствующую выбранному значению при расчете и прироста при изменении при определении .