Bcp56 16 чем заменить
09/05/2019 22:10
майн: MSD309B-T9B
БП: K-PL-OA1
ПАНЕЛЬ: V400HJ6-ME2 REV C1
Изначально клиент сдал ТВ с проблемой нет подсветки в один СЦ, там сказали что поменяли диоды и отдали. Спустя два месяца дефект повторился. Клиент принес ТВ мне на ремонт. Увидел что у БП в уголь сгорел текстолит под двумя BCP56-16. И в прошлом СЦ похоже что их просто поменяли.
Я вскрыл панель, половина диодов сгорело..
Заказал подсветку целиком (в этом ТВ она идет боковая одной планкой) Поменял, ограничил ток выпаяв два резистора. И после прогона выдал клиенту. Спустя неделю клиент принес ТВ, с проблемой что по центру нет подсветки. Вскрыл, проверил подсветку LED тестером, всего 4 канала, у всех потребление одинаковое от LED тестера. И все светятся по одиночке.
С блока питания на 3 канала идет 42V , на один канал который не горит идет 33V.
4 транзистора BCP56-16 я заменил, не помогло. Два транзистора под которыми был сгоревший текстолит, я перенес по краям.
Не работает получается один и тот же канал, так как если проводки на каналы по менять местами, то не горит то верхняя часть, то нижняя. Тобишь подсветка живая..
НЕ могу понять в чем дело. ПОчему 33V только идет на подсветку ? и куда смотреть?

Желтым отметил транизсторы под которыми сгорел текстолит. Я их перенес по краям вместе с резисторами.
10/05/2019 06:46
10/05/2019 08:24
10/05/2019 08:34
| Евгений373 писал: |
| ограничивал ток, а они всё равно сгорали, в итоге вернул деньги и отказался от него. |
Беда с этим DEXP-ом
10/05/2019 13:14
10/05/2019 14:09
11/05/2019 10:16
11/05/2019 10:42
| Иван Зенин писал: |
| 12sasha12, какие резисторы выпаивал для ограничения тока? |
11/05/2019 13:07
| Иван Зенин писал: |
| 12sasha12, какие резисторы выпаивал для ограничения тока? |

на одном форуме (https://kenotrontv.ru/topic/5577-dexp-40a7100-net-podsvetki/) человек писал про ограничение тока. Выпаивал два резистора 3r3 -2шт отметил красным:
20/05/2019 16:10
ВЫпаял два транзистора маленьких
и вместо них кинул перемычку. НА фото красным отметил..

03/12/2019 20:47
18/04/2020 21:56
23/09/2020 15:02
23/09/2020 15:33
Чем заменить транзистор BCP5616
![]()
![]()
Ниже представлены аналоги с техническими характеристиками.
Биполярный транзистор BCP5616
- Наименование производителя: BCP5616
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор BCP5616Q
- Наименование производителя: BCP5616Q
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор BTD2195L3
- Наименование производителя: BTD2195L3
- Маркировка: DP
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
- Корпус транзистора: SOT-223
Биполярный транзистор CZT853
- Наименование производителя: CZT853
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор FZT600
- Наименование производителя: FZT600
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор FZT603
- Наименование производителя: FZT603
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор ZXTN19100CG
- Наименование производителя: ZXTN19100CG
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор ZXTN25100DG
- Наименование производителя: ZXTN25100DG
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
- Корпус транзистора: SOT223
Bcp56 16 чем заменить
Биполярный транзистор BCP56-16 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCP56-16
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
BCP56-16 Datasheet (PDF)
..1. Size:147K st
bcp56-16.pdf

BCP56-16Low power NPN TransistorGeneral features Silicon epitaxial planar NPN medium voltage transistor2 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits3 Available in tape & reel packing 21 In compliance with the 2002/93/EC European DirectiveSOT-223 The PNP complementary type is BCP53-16Applications Medium voltage load switch transistor
..2. Size:1257K nxp
bcp56 bcp56-10 bcp56-16 bcx56 bcx56-10 bcx56-16 bc56pa bc56-10pa bc56-16pa.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
..3. Size:42K diodes
bcp56 bcp56-10 bcp56-16.pdf

SOT223 NPN SILICON PLANARBCP56MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 3 AUGUST 1995 T i I i C i II V T T EC T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I V I II i V 8 V I V I
..4. Size:821K infineon
bcp54 bcp54-16 bcp55 bcp55-16 bcp56-10 bcp56-16.pdf

BCP54. -BCP56. NPN Silicon AF Transistors For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP51. BCP53 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageBCP54 * 1=B 2=C 3=E 4=C — — SOT223 BCP54-16 * 1=B 2=C 3=E 4=C — — SOT223 BCP5
..5. Size:783K mcc
bcp56-10 bcp56-16.pdf

BCP56-10,BCP56-16Features Complementary Types: BCP53 (PNP) Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix «-HF»NPN Moisture Sensitivity Level 1 Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingPlastic-Encapsulate Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)TransistorsMaximum Ratings @ 25C Unless Otherwise
..6. Size:4128K msksemi
bcp54-10 bcp55-10 bcp56-10 bcp54-16 bcp55-16 bcp56-16.pdf

www.msksemi.comBCP54 BCP55 BCP56Semiconductor CompianceSemiconductor Compiance BCP54,55,56 TRANSISTOR (NPN) SOT-223 FEATURES For AF driver and output stages 11. BASE High collector current 22. COLLECTOR Low collector-emitter saturation voltage 33. EMITTER Complementary types: BCP51 . BCP53 (PNP) MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Sym
..7. Size:624K cn shikues
bcp56-10 bcp56-16.pdf

0.1. Size:276K nxp
bcp56t bcp56-10t bcp56-16t.pdf

BCP56T series80 V, 1 A NPN medium power transistorsRev. 3 1 July 2022 Product data sheet1. General descriptionNPN medium power transistors in a medium power SOT223 (SC73) Surface-Mounted Device(SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNexperia JEDECBCP56T SOT223 SC-73 BCP53TBCP56-10T BCP53-10TBCP56-16T BCP53-16T2. Features and b
0.2. Size:1254K nxp
bcp56h bcp56-10h bcp56-16h.pdf

BCP56H series80 V, 1 A NPN medium power transistorsRev. 1 23 November 2016 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN medium power transistors in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNexperia JEITA JEDECBCP56H SOT223 SC-73 — BCP53HBCP56-10H BCP53-10HBC
0.3. Size:702K mcc
bcp54-10he3 bcp55-10he3 bcp56-10he3 bcp54-16he3 bcp55-16h3 bcp56-16he3.pdf

M C CR BCP54-10/16HE3Micro Commercial Components Micro Commercial Components BCP55-10/16HE3130 W Cochran St, Unit BSimi Valley, CA 93065Tel:818-701-4933 BCP56-10/16HE3Features For AF driver and output stagesNPN High collector current Low collector-emitter saturation voltage Plastic-Encapsulate Complementary types: BCP51 . BCP53 (PNP)Transistors L
Параметры транзистора BCP56-16. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.
Высказывания:
Хороший собеседник не даст Вам закрыть рта.
Основные параметры транзистора BCP56-16 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BCP56-16 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 1.5W | 100V | 80V | 5V | 1A | 150°C | 130MHz | — | 100MIN |
Производитель: SIEMENS
Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BCP56-16
| Общий вид транзистора BCP56-16. | Цоколевка транзистора BCP56-16. |
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора BCP56-16.
Разделы справочника:
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Добавьте эту страницу в закладки:
| 2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности. |