Нитрид галлия кто производит

«Микран» совместно с АО «ТВЭЛ» собираются открыть фабрику по производству микроэлектроники на основе нитрида галлия

Компания «Микран» вместе с топливной компанией АО «ТВЭЛ» собираются открыть на так называемой территории опережающего социально-экономического развития (ТОСЭР) «Северск» фабрику по производству микроэлектроники на основе нитрида галлия мощностью 3 млрд изделий в год, заявило информационное агентство ТАСС со ссылкой на генерального директора компании «Микран» Веры Парамоновой. Данное заявление она сделала в ходе заседания отраслевого штаба по промышленности в Администрации Томской области.

По словам Парамоновой, цель проекта — это реализация отечественного производства компонентов на основе нитрида галлия к 2025 году на территории ТОСЭР «Северск», которые в России практически не производят. Также генеральный директор «Микрана» указала, что проект планируется реализовать совместно с топливной компанией «ТВЭЛ» ГК «Росатом».

К 2025 году запланирован выход на мощности, равные примерно 3 млрд изделий в год. На данной фабрике собираются разработать и поставить технологию производства силовых компонентов на основе нитрида галлия, а также технику, с помощью которой их можно будет применять. Например, планируется производить источники высоковольтного питания на литий-ионных аккумуляторах, тяговые батареи и системы накопления энергии.

Общая сумма инвестиций в проект будет составлять около 18 млрд рублей. Также в презентации проекта сказано, где можно применять компоненты на основе нитрида галлия: в беспроводных зарядных устройствах, связи 5G, потребительской электронике, медицине и источниках питания.

Производство и разработка электроники
Финансы в IT
IT-компании

Владимир Ефимов: на базе ОЭЗ «Технополис “Москва”» появится первое в России производство транзисторов на основе нитрида галлия

Резидент особой экономической зоны (ОЭЗ) «Технополис “Москва”» – «Зеленоградский нанотехнологический центр» (АО «ЗНТЦ») – запустит первую в России экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия. Эти радиоэлектронные компоненты используются при производстве мощных источников питания, модулей систем связи 5G, оборудования для серверов и дата-центров, беспроводных зарядных станций для электротранспорта, сообщил заместитель мэра Москвы по вопросам экономической политики и имущественно-земельных отношений Владимир Ефимов

Владимир Ефимов

Владимир Ефимов
Заместитель Мэра Москвы по вопросам экономической политики и имущественно-земельных отношений

Компания «ЗНТЦ», расположенная на площадке «МИЭТ» особой экономической зоны Москвы, завершила очередной этап подготовки инфраструктуры для выпуска кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия – строительство и ввод в эксплуатацию участка для экспериментального производства. Предприятие вложило в проект около одного миллиарда рублей. Это первое подобное производство в России

Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Развитие технологий на основе этого полупроводника имеет стратегическое значение для таких отраслей, как телекоммуникации, автомобильная промышленность, промышленная автоматика и энергетика.

Владислав Овчинский

Владислав Овчинский
Руководитель Департамента инвестиционной и промышленной политики города Москвы

По прогнозам ведущих аналитиков отрасли, среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на нитриде галлия в ближайшие два года составит 85 процентов. Важными преимуществами транзисторов на основе этого полупроводника являются быстродействие в сравнении с изделиями, созданными по другим технологиям – Mosfet и IGBT, а также возможность работы при сильном напряжении и высокая надежность. «ЗНТЦ» планирует начать мелкосерийное производство микроэлектроники на нитриде галлия по базовым технологиям в 2023 году

«Зеленоградский нанотехнологический центр» специализируется на разработке и производстве ЭКБ-датчиков и сенсоров для систем промышленной автоматики, энергетики, нефтегазовой промышленности, интеллектуальных систем управления.

Анатолий Ковалев

Анатолий Ковалев
Генеральный директор АО «ЗНТЦ»

В настоящее время «Зеленоградский наноцентр» совместно с технологическими и индустриальными партнерами работает над созданием полностью локализованной в России технологии производства электронной компонентной базы на основе нитрида галлия. Существенным преимуществом для компании является возможность минимизации инвестиционных затрат за счет использования инфраструктуры, сформированной в ОЭЗ «Технополис “Москва”»

Генеральный директор ОЭЗ «Технополис “Москва”» Геннадий Дегтев отметил, что на данный момент в кластер микроэлектроники столичной особой экономической зоны входят более 30 резидентов.

В Новосибирске запущено первое в России производство нитригаллиевых пластин для микроэлектроники

Новосибирский завод «Экран-оптические системы» (входит в «РАТМ-холдинг»), производящий электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения, запустил производство нитригаллиевых пластин, применяемых при изготовлении мобильных телефонов и телекоммуникационных систем. Такое производство в России первое.

В мае 2018 года завод, в рамках модернизации производства, совместно с Институтом физики полупроводников (ИФП) им А. В. Ржанова Сибирского отделения (СО) РАН, анонсировал проект по созданию полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида и нитрида галлия (материалы, широко применяемые для создания элементов электроники). Такие структуры в будущем станут составными компонентами мощных транзисторов, используемых для создания устройств связи. Стоимость проекта оценивалась в 30 млн евро (более 2 млрд рублей).

Завод «Экран-оптические системы» первый в России запустил производство компонентов на основе нитрида галлия для пассивных и активных устройств электроннокомпонентной плазмы. Проект реализован совместно с ИФП СО РАН.

Выпускаемая на заводе продукция на основе пластин арсенида галлия и нитрида галлия, сейчас активно используется в приборах квантовой электроники, в СВЧ-технике, в телефонах, в технике для систем связи и светотехнике. Как сообщал научный сотрудник ИФП СО РАН Константин Журавлев, переговоры института с предприятием длились около полутора лет. Изначально разработкой полупроводников занимались специалисты института. Позднее для реализации проекта на завод было закуплено зарубежное оборудование из Франции, проводилось обучение персонала.

Хочешь всегда знать и никогда не пропускать лучшие новости о развитии России? У проекта «Сделано у нас» есть Телеграм-канал @sdelanounas_ru. Подпишись, и у тебя всегда будет повод для гордости за Россию.

Вступай в наши группы и добавляй нас в друзья 🙂

Поделись позитивом в своих соцсетях

Другие публикации по теме

Сибирская мощь: рассказываем о заводе «ЭЛСИБ» — партнере Большой стройки СГК
Ученые Новосибирска и Красноярска разработали из коры березы материалы для борьбы с раком
Продление автотрассы М12 через Новосибирск до Монголии и Китая

VV Axntv
10.02.20 13:56:40

Не прошло и десяти лет, как Китай завалил весь мир нитрид-галлиевыми светодиодами и лампочками на них.

Roman Wyrzykowski
10.02.20 15:15:59

Тут дело не в лампочках, а в сложных и наукоёмких приборах различного применения. И поэтому очень важно иметь свои пластины.

Дмитрий Жуков
10.02.20 17:57:51

Тяжёлое наследие 90-х. Тяжелейший, острейший кадровый голод в управлении, решение конкурентных вопросов исключительно через Иван Иваныча привели в результате к тому, что стоимость запуска нитрид-галлиевых приборов, оказывается, как две крупных свинофермы, но реализован он только в 20-м году. Добавленная стоимость. Зла не хватает.

Отредактировано: Дмитрий Жуков~17:58 10.02.20
Roman Wyrzykowski
10.02.20 19:19:46

Сам запуск и его стоимость этого только верхушка айсберга. Прежде всего нужны технология производства — знания, люди, да еще нужны потребители, которые созрели до применения таких именно пластин и приборов.

Отредактировано: Roman Wyrzykowski~19:25 10.02.20
Чиполлино
10.02.20 19:40:47

Из этого материала изготавливаются твердотельные приёмопередающие модули АФАР РЛС? Поправьте меня если я не прав.

АО «ЭОС» запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия

АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия.

Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные.

Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

В настоящее время «ЭОС» — единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) — сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др.

Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A₃B₅** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы — до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений — примерно 1 млрд рублей, — сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин .

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа — до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего — до 3 млрд рублей.

АО «Экран-оптические системы» — один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в России. Приборы под брендом «ЭОС» работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с ноля до 95%.