Как образуется ток базы

У вас большие запросы!

Точнее, от вашего браузера их поступает слишком много, и сервер VK забил тревогу.

Эта страница была загружена по HTTP, вместо безопасного HTTPS, а значит телепортации обратно не будет.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы отключили сохранение Cookies, а они нужны, чтобы решить проблему.

Почему-то страница не получила всех данных, а без них она не работает.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы вернётесь на предыдущую страницу через 5 секунд.
Вернуться назад

У вас большие запросы!

Точнее, от вашего браузера их поступает слишком много, и сервер VK забил тревогу.

Эта страница была загружена по HTTP, вместо безопасного HTTPS, а значит телепортации обратно не будет.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы отключили сохранение Cookies, а они нужны, чтобы решить проблему.

Почему-то страница не получила всех данных, а без них она не работает.
Обратитесь в поддержку сервиса.

Вы вернётесь на предыдущую страницу через 5 секунд.
Вернуться назад

6.2. Принцип действия биполярного транзистора

Рассмотрим физические процессы, происходящие в транзисторе, как в системе двух взаимодействующих p—n– переходов. Выберем для анализа транзистор структурыp—n—p.

Биполярному транзистору присущи некоторые конструктивные особенности: p—n-переходы сформированы очень близко друг к другу на расстоянии меньше длины диффузионного пробега носителей зарядов, поэтому заряды, прошедшие через один переход, могут достичь другого перехода и проникнуть через него; эмиттерную и коллекторную области легируют примесями значительно больше, чем область базы, поэтому концентрация основных носителей (дырок) в эмиттере и коллекторе гораздо выше, чем электронов в базе. Из-за этого областиp—n– переходов эмиттер-база (Х_ЭБ) и коллектор-база (Х_КБ) смещены в область базы, что дополнительно уменьшает ширину базы. Схематичное изображение транзистора с такими конструктивными особенностями представлено на рис. 6.2.

Рис. 6.2. Схематичное изображение транзистора структуры p-n-p

Подключение к электродам транзистора внешних источников питания Е_ЭБплюсом к эмиттеру открывает переход эмиттер-база, а Е_КБминусом к коллектору закрывает переход коллектор-база.

Через открытый переход эмиттер-база начинает протекать ток эмиттера I_Э– ток основных носителей зарядов: дырки из эмиттера проходят в базу, а электроны из базы – в эмиттер. Поскольку концентрация электронов в базе мала, то в базу проникает больше дырок, чем уходит из неё электронов. Происходит инжекция (проникновение) в базу не основных для неё носителей зарядов – дырок. Инжектированные в базу дырки перемещаются в ней и частично рекомбинируют (соединяются, взаимно уничтожаются) с малым числом электронов, образуя ток базыI_Б. Но ширина базы меньше длины диффузионного пробега дырок, поэтому большая часть дырок избегает рекомбинации и подходит к переходу коллектор-база.

Переход коллектор-база закрыт для электронов (основных носителей зарядов в базе), но для не основных носителей он не представляет препятствия. Наоборот, электрическое поле от Е_КБв области перехода коллектор-база ускоряет дырки, которые свободно проходят в коллектор, создавая ток коллектораI_К.

Токи в транзисторе связаны соотношением:

. (6.1)

Это – основное уравнение токов в транзисторе.

Основным показателем качества транзистора является коэффициент передачи тока. Различаюткоэффициент передачи тока эмиттера:

статический и динамический (дифференциальный). (6.2)

Поскольку ток коллектора всегда меньше тока эмиттера на величину тока базы, коэффициент передачи тока эмиттера всегда меньше единицы. Обычно .

Коэффициент передачи тока базы:

статический и динамический (дифференциальный). (6.3)

Поскольку ток коллектора всегда больше тока базы, коэффициент передачи тока базы всегда больше единицы. Обычно .

Коэффициенты передачи тока можно выразить один через другой:

;. (6.4)

Коэффициенты передачи тока зависят от режима работы транзистора. Особенно сильно они зависят от тока эмиттера. График зависимости отI_Эпредставлен на рис. 6.3.

Рис. 6.3. Зависимость коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттераI_Э

В области 1 малых токов эмиттера  0, так как слишком мало дырок проникает из эмиттера в базу, и они почти все рекомбинируют, не достигая коллектора.

В области 2 средних токов эмиттера =const, транзистор работает так, как было рассмотрено выше.

В области 3 больших токов эмиттера в базе образуется избыточный заряд не основных носителей, снижается длина диффузионного пробега, растёт количество рекомбинаций, и  снижается.

Дополнительно на работу транзистора влияет величина напряжения на коллекторе. При увеличении U_КБувеличивается толщина перехода коллектор-базаХ_КБза счёт области базы. Толщина базы уменьшается. Это явление носит названиемодуляции ширины базы(эффект Эрли). Из-за эффекта Эрли:

1. Уменьшается число рекомбинаций в базе и время пролёта не основных носителей через область базы, из-за чего уменьшается ток базы и возрастает ток коллектора, что приводит к увеличению коэффициентов передачи тока и.

2. При некоторой достаточно большой величине U_КБширина базыХ_Б0, эмиттерный и коллекторный переходы смыкаются, и транзистор переходит в режим лавинного пробоя. Обычно это заканчивается электрическим пробоем цепи коллектор-эмиттер и выходом транзистора из строя.

3. Незначительно возрастает ток эмиттера, так как снижается напряжение U_ЭБи входное сопротивлениеr_ЭБ. Это называется обратной связью по напряжению. Численное значение обратной связи определяется как коэффициент.

Более подробные сведения об h-параметрах транзистора можно прочитать в [20].

Что такое дрейфовый бт и почему он лучше диффузионного бт?

При равномерном распределении примеси в базе внутреннее электрическое поле в ней отсутствует, и неосновные носители движутся вследствие процесса диффузии. Такие транзисторы называют диффузионными или бездрейфовыми. При неравномерном распределении примесей в базе имеется внутреннее электрическое поле, и неосновные носители движутся в ней в результате дрейфа и диффузии. Такие транзисторы называют дрейфовыми. Собственное поле в такой базе – ускоряющее для неосновных носителей и сила Кулона FK заставляет их дрейфовать к КП и в результате пересекать базу быстрее (дрейфовый транзистор). Поэтому время пребывания в такой базе (время пролёта) меньше, вероятность рекомбинации и потери из-за неё меньше, частотные и импульсные свойства – лучше.

Как возникает ток базы и какие он имеет составляющие?

Ток базы имеет две составляющие – рекомбинационную, связанную с рекомбинацией носителей заряда в базе и обратный ток КП, связанный с приложенным к нему обратным напряжением.

Почему усиление бт по мощности может достигать тысяч раз?

В схеме с ОБ, коэффициент усиления по мощности определяется по формуле , где: α – Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ (незначительно меньше 1), R_н – Сопротивление нагрузки, r_э – Собственное сопротивление ЭП (достаточно мало).

Таким образом, при достаточном R_н, достигается большой коэффициент усиления по мощности. Правда, достигается он только в том случае, если входной сигнал имеет крайне малую мощность – в случае с уже достаточно мощным входным сигналом, для достижения такого же K_P (что требует такого же R_н), как и в случае с маломощным сигналом, потребуется повышение напряжения питания усилителя, иначе невозможно будет развить требуемую мощность (мощность определяется как , а напряжение питания транзисторных схем ограничено сверху).