Транзистор j3y smd чем заменить

Характеристики транзистора S8050

По своим техническим характеристикам кремниевый биполярный транзистор S8050 предназначен для использования в двухтактном УНЧ класса В и других усилителях общего назначения. Также он используется в различных модулях, построенных на Arduino, схемах управления светодиодными, источниками света и в другой электронике. Его структура n-p-n.

Цоколевка

S8050 выпускают в корпусе для дырочного монтажа ТО-92 и для навесного SOT-23. Во втором случае его маркируют как J3Y. На рисунке можно увидеть, как расположены ножки рассматриваемого устройства в обеих исполнениях.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно возможных, превышение значений этих параметров недопустимо и ведёт к выходу транзистора из строя. Все максимальные характеристики S8050 были измерены при температуре окружающего воздуха +25 О С, вот они:

• напряжение между К-Б V_CBO (U_{кб max}) — 40 В;
• напряжение между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) — 25 В;
• напряжение между Э-Б V_EBO (U_{эб max}) — 5 В;
• ток через коллектор I_C (I_{к max})
• в корпусе SOT-23 I_C (I_{к max}) – 500 мА;
• в корпусе ТО-92 I_C (I_{к max}) – 700 мА.
• мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе
• в корпусе SOT-23 Р_к 300 мВт;
• в корпусе ТО-92 1 Вт
• допустимая температура кристалла +150 О С;
• рабочая температура от -55 до +150 О С.

Также важными параметрами, на которые стоит обратить внимание, являются электрические характеристики. Они были измерены при температуре +25 О С. Остальные значения приведены в отдельном столбце таблице, который называется «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора S8050 (при Т = +25 о C)
Название параметра	Условия измерения	Обоз	мин	тип	мах	Ед. изм
Пробивная разность потенциалов К-Б	IC = 100мкA, IЕ = 0В	V(BR)CВO	40	В
Пробивная разность потенциалов К-Э	IC=10мA, IВ= 0 В	V(BR)CEО	25	В
Пробивная разность потенциалов Э-Б	IВ= 0 В, IC= 0 В	V(BR)EBO	5	В
Ток К-Б (обратный)	VCВ= 40В, IЕ = 0	ICВO	0,1	мкА
Ток К-Э (обратный)	VCE= 20В, IВ= 0	ICEО	0,1	мкА
Ток через эмиттер (обратный)	VEB = 6В, IC = 0	IEBO	0,1	мкА
Статический к-т усиления тока	VCE=1 В,IC= 50 мA

В зависимости от к-та передачи тока транзисторы S8050 в SMD корпусе J3Y делятся на три типа:

• L от 120 до 200;
• H от 200 до 350;
• J от 300 до 400.

Аналоги

• Транзистор S8050 можно заменить на аналоги: 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, , KSC1008, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, S9013, SS8050, ZTX457.
• Существуют Российские аналоги: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.
• Комплементарна парой для рассматриваемого устройства – это S8550. В корпусе SMD он маркируется 2TY.

Производители

Перечислим производителей S8050:

• Daya Electric;
• Diode Semiconductor Korea;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
• Shenzhen Yixinwei Technology;
• SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
• SUNMATE electronic;
• Tiger Electronic;
• Unisonic Technologies;
• Weitron Technology;
• Wing Shing Computer Components.

В магазинах можно встретить продукцию следующих компаний:

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
• Nanjing International;
• SeCoS Halbleitertechnologie.

Скачать datasheet на транзистор S8050 можно кликнув на нужного производителя.

Характеристики транзистора J3Y

Характеристики транзистора J3Y идентичны с S8050, так как это одно и тоже устройство только в разных корпусах. Он может использоваться в выходном каскаде двухтактного усилителя. Кроме этого его часто используют в схемах разработанных на основе Arduino, системах управления источниками освещения, работающих на светодиодах и других устройствах. Он имеет n-p-n структуру.

Цоколевка

Транзистор J3Y выполнен в SMD корпусе, предназначенном для навесного монтажа. С одной стороны, у него расположены выводы базы и эмиттера, а с другой, коллектор. Внешний вид, размеры и главные технические характеристики приведены на следующем рисунке.

Технические характеристики

Как и все производители, в первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические параметры. Именно они являются наиболее важные при выборе устройства для замены вышедшего из строя, а также при конструировании новых электронных устройств. Их превышение приведёт к выходу J3Y из строя. Также нежелательна эксплуатация этого транзистора в течении длительного времени при значениях близких к предельных. Тестирование данных характеристик происходит при стандартной температуре, равной +25 О С. В нашем случае они равны:

• напряжение между К-Б V_CBO (U_{кб max}) — 40 В;
• напряжение между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) — 25 В;
• напряжение между Э-Б V_EBO (U_{эб max}) — 5 В;
• ток через коллектор I_C (I_{к max}) — 500 мА;
• мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе – 300 мВт;
• температура кристалла от -55 до +150 О С.

Кроме предельных следует рассмотреть и электрические величины. Их также следует учитывать, так как от них зависят возможности J3Y и сфера его применения. Они измеряются при той же температуре +25 О С. Другие важные для измерения параметры приведены в отдельной колонке следующей таблицы.

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Разность потенциалов при пробое К-Б	IC = 100мкA, IЕ = 0В	V(BR)CВO	40	В
Разность потенциалов при пробое К-Э	IC=10мA, IВ= 0 В	V(BR)CEО	25	В
Разность потенциалов при пробое Э-Б	IВ= 0 В, IC= 0 В	V(BR)EBO	5	В
Ток через К-Б (текущий в обратном направлении)	VCВ= 40В, IЕ = 0	ICВO	0,1	мкА
Ток через К-Э (текущий в обратном направлении)	VCE= 20В, IВ= 0	ICEХ	0,1	мкА
Ток через эмиттер (текущий в обратном направлении)	VEB = 6В, IC = 0	IEBO	0,1	мкА
Статический к-т усиления	VCE=1 В,IC= 50 мA VCE=1 В, IC=500 мA	hFE1 hFE2	120 50	350
Разность потенциалов К-Э (насыщения)	IC= 500мA, IB = 50мA	V CE(sat)	0,6	В
Разность потенциалов Б-Э (насыщения)	IC= 500мA, IB = 50мA	V ВE(sat)	1,2	В
Граничная частота к-та усиления	VCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГц	fT	150	МГц

Транзисторы J3Y делятся на две группы в зависимости от коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером:

• L в диапазоне 120 … 200;
• H в диапазоне 200 …350.

Аналоги

Среди зарубежных транзисторов, с идентичными параметрами можно назвать следующие: MPS650, MPSA42, KSP06, MPS8050, KSP43, SS8050, 2SC1008, KSP42, S9013, MPS651, MPSA43, KSC1008, 2SD471A. Можно найти также отечественные аналоги для J3Y, это КТ6114(от А до В) и КТ968В. Имеется также комплементарная пара, это 2TY, который является устройством S8550 в SMD корпусе.

Производители

Среди зарубежных производителей отметим крупнейшие из них:

• Daya Electric;
• Diode Semiconductor Korea;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
• Shenzhen Yixinwei Technology;
• SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
• SUNMATE electronic;
• Tiger Electronic;
• Unisonic Technologies;
• Weitron Technology;
• Wing Shing Computer Components.

В отечественных магазинах можно встретить J3Y изготовленный такими компаниями:

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
• Nanjing International;
• SeCoS Halbleitertechnologie.

Транзистор C1815 (2SC1815)

C1815 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор общего применения. Конструктивное исполнение TO-92, SOT-23 (SMD).

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Разработан для применения в схемах усилителей звуковой частоты общего назначения и предоконечных каскадов усилителей мощности.

Характерные особенности

• Относительно большие коллекторные напряжения и токи: U_CEO ≥ 50 В, I_C = 0,15 А.
• Отличная линейность параметра h_FE при изменении нагрузки транзистора: h_FE (при I_C = 0,1 мА) / h_FE (при I_C = 2 мА) = 0,95.
• Низкий уровень шума: NF = 1 дБ при f = 1 кГц.
• Комплементарная пара: 2SA1015 (по группам O, Y, GR).

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристики		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		60
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	50
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	5
Ток коллектора постоянный, А		IC	0,15
Ток базы постоянный, А		IB	0,05
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	TO-92	PC	0,4
	SOT-23	PC	0,2
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	125
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, В	≥ 60
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 100 мкА, IB = 0	≥ 50
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 60 В, IE = 0	≤ 0,1
Ток коллектора выключения, мкА	ICEO	UCE = 50 В, IB = 0	≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 5 В, IC = 0	≤ 0,1
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 100 мА, IB = 10 мА	≤ 0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 100 мА, IB = 10 мА	≤ 1,0
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 6,0 В, IC = 2,0 мА
	hFE (2)	UCE = 6,0 В, IC = 150,0 мА	≥ 25
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 1,0 мА, UCE = 10 В	≥ 80
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	≤ 3,5
Коэффициент шума	NF	IC = 0,1 мА, UCE = 6 В, RG = 10 кОм, f = 1,0 кГц	1…10

Классификация по величине hFE

Группа по величине hFE	O	Y	GR	BL
Величина hFE	70…140	120…240	200…400	350…700

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Примечание
C1815	60	50	5	0,15	125	≤ 3	—	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130. 400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	Группы по hFE: L/H
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	125	130. 400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группа L по hFE: маркировка: HFL.
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25. 700	≥ 80	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L)	0,4	60	50	5	0,15	125	25. 700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 6	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT1	0,225	60	50	5	0,15	150	70. 700	—	—	—	≤ 0,3	SOT-23
2SC1815M (BR3DG1815M)	0,3	60	50	5	0,15	150	25. 700	≥ 80	≤ 3,5	1. 10	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M	0,3	45	40	5	0,1	125	70. 700	≥ 80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	TO-92B	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130. 400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/H
C1815T	0,4	60	50	5	0,15	125	70. 700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR
CSC1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25. 700	≥ 80	≤ 3	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
FTC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	70. 700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
KSC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25. 700	≥ 80	≤ 3	1	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/L
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	25. 700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: Y/GR

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	3,5	—	SOT-23
КТ3102А	50	50	5	0,1	—	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ3102Б	0,25	50	50	5	0,1	—	200…500	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ602А/Б	0,85	120	100	5	150	20…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0
КТ602В/Г	0,85	80	70	5	0,075	150	15…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ611А/Б	0,8	200	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ611В/Г	0,8	180	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ660А	0,5	50	45	5	0,8	150	110…220	—	≤ 0,5	ТО-92

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Маркировка
2SC1815	0,4	60	50	5	150	80	0,25	TO-92	—
CSC3114/R	0,4	—	50	—	0,15	—	100	100	≤ 3,5	≤ 100	TO-92	—
CSC3114S	0,4	—	50	—	0,15	—	140	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3114V	0,4	—	50	—	0,15	—	280	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3199	0,4	—	50	—	0,15	—	70. 700	80	—	—	—	TO-92	—
CSC3331/R/S/T	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
CSC3331TU/U/V	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	—	—	0,25	HF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150	100	≤ 6	≤ 8	≤ 0,5	SOT-23	ZFC
2PD601BRL	0,25	60	50	6	0,2	150	210	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	ML٭
2PD601BSL	0,25	60	50	6	0,2	150	290	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	MM٭
2PD602ASL	0,25	60	50	5	0,5	150	170	180	≤ 15	—	≤ 0,6	SOT-23	SF
2SC2412-R	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
2SC2412-S	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BS
2SC945LT1	0,23	60	50	5	0,15	150	200	150	≤ 3,5	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
2STR1160	0,5	60	50	5	1	150	250	150	≤ 3,5	—	≤ 0,43	SOT-23	160
BCV47	0,36	80	60	10	0,5	150	10000	170	≤ 3,5	—	≤ 1,0	SOT-23	DK, FG, FGp, FGs, FGt, W
BTC2412N3	60	50	7	0,2	150	180	80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	C4
BTD2150N3	0,225	80	50	6	4	150	270	175	14	—	≤ 0,32	SOT-23	CF
BTN6427N3	0,225	100	60	12	0,5	150	10000	≤ 7	—	≤ 1,5	SOT-23	1N
CMPT3820	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,28	SOT-23	38C
CMPT491E	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,4	SOT-23	C49
INC5001AC1	0,2	80	60	5	1	150	130	240	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	XY
INC5006AC1	0,2	100	50	7	3	150	400	250	13	—	≤ 0,2	SOT-23	CER
KMMT619	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 20	—	≤ 0,5	SOT-23	619, 619H
KST6428	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	—	SOT-23	1K
L2SC1623RLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	180	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
L2SC1623SLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	270	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L7
L2SC2412KRLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
L2SC2412KSLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	G1F
L2SC5343RLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	180	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7R
L2SC5343SLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	270	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7S
LMBT6428LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	≤ 0,5	SOT-23	1KM
MMBT5343-G/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	5343
MMBT6428	0,3	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1K, 1KM
MMBT6428L/LT1/LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1KM
MMBT945-H/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200/130	150	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	CR
MMBTA28	0,35	80	80	12	0,8	150	10000	125	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	3SS K6R
NXP3875G	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	٭JF
PBSS4041NT	0,3	60	60	5	3,8	150	300	175	17	—	≤ 0,3	SOT-23	٭BK
PBSS4160T	0,3	80	60	5	1	150	250	150	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	٭U5
PBSS8110T	0,3	120	100	5	1	150	150	100	≤ 7,5	—	≤ 0,2	SOT-23	٭U8
SSTA28	0,2	80	80	12	0,3	150	10000	200	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23 SST3	RAT
TMPS1654N7	0,225	80	160	5	0,15	150	150	100	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	N7
TMPT6428	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,2	SOT-23	1K

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления I_B.

Зависимость снята при температуре внешней среды T_a = 25°C (Надпись на поле рисунка).

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения U_CE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения U_CE = 1 В (надпись на поле рисунка).

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды T_a и при соотношении токов I_C/I_B = 10.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов I_C/I_B = 10 и температуре внешней среды T_a = 25°C (надпись на поле рисунка).

Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) I_B от напряжения управления U_BE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 6 В.

Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) f_T от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при температуре среды T_a = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В (надпись на поле рисунка).

Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора P_C при нарастании температуры внешней среды T_a.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса T_C = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).

Ограничение по величине коллекторного тока: I_C = 150 мА.

Ограничение по величине коллекторного напряжения: U_CEO = 50 В.

Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.

Транзистор S8050 (J3Y)

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности

• Высокий коллекторный ток: I_C до 1,5 А.
• Высокая рассеиваемая мощность: P_C до 2 Вт при T_C = 25°C.
• Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды T_a=25°C

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	25
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	6
Ток коллектора, А	IC	1,5
Рассеиваемая мощность, Вт	PC	1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-65…+150

Электрические параметры (при T_a = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 35 В В, IE = 0	≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6 В, IC = 0	≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА, IE = 0	≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 2 мА, IB = 0	≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В	UEBO	IE = 100 мкА, IC = 0	≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 1 В, IC = 0,005 мА	135
	hFE (2)	UCE = 1 В, IC = 0,1 мА	160
	hFE (3)	UCE = 1 В, IC = 0,8 мА	110
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 0,05 мА	190
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Классификация	B	C	D
hFE (2)	85…160	120…200	160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	PC Ta = 25°C	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.