Как узнать memory type ryzen calculator

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Альтернативные варианты

Установите WSL и Ubuntu.
В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
Далее: sudo apt-get install stressapptest
Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Примечание: Известно, что Thaiphoon не определяет чип, а лишь пытается угадать, поэтому ему не следует полностью доверять. Настоятельно рекомендуется обращать внимание на информацию, указанную в наклейке на модуле, если это возможно.

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

3 = Micron
4 = Samsung
5 = Hynix
8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

1 = 2 Гб
2 = 4 Гб
3 = 8 Гб
4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
И следующие 2 цифры – год изготовления.
Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
* Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как ~DDR4-3333 CL14 при 1,40 В, ~DDR4-3533 CL14 при 1,45 В и DDR4-3733 CL14 при 1,50 В.

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип	Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR	3600
Hynix 8 Гб CJR	4133*
Hynix 8 Гб DJR	5000+
Nanya 8 Гб B-die	4000+
Micron 8 Гб Rev. B	3600
Micron 8 Гб Rev. E	5000+
Micron 16 Гб Rev. B	5000+
Samsung 4 Гб E-die	4200+
Samsung 8 Гб B-die	5000+
Samsung 8 Гб D-die	4200+

* – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка	Чипы	Описание
S	Samsung 8 Гб B-Die	Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A	Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B	Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B	Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die	Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C	Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die	Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D	Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die	Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F	Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die	Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.

Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон ~30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте DDR4-3466 и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC =< 1.10 В.
Источник: The Stilt

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

Большинство вольтажей cLDO регулируются с двух главных шин питания процессора. В случае cLDO_VDDG и cLDO_VDDP они регулируются через VDDCR_SoC. Поэтому есть пара правил. Например, если вы установите VDDG на 1,10 В, а фактическое напряжение SoC под нагрузкой у вас составляет 1,05 В, VDDG будет оставаться максимум на ~1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen	Ожидаемая частота (МГц)
1000	3000-3600
2000	3400-3800*
3000	3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
* – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
* – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
Asus: VDDCR SOC;
Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

«Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на ~20%. При охвате тестирования (coverage) 6400% показатель обнаружения ошибок составляет 99,41%, а при длительности 1 час – 98,43% (Источник — раздел Kahru FAQ).
TM5 с anta777 Extreme: 3 цикла. Время зависит от тестируемого объёма. Для 16 Гб RAM обычно требуется 1,5-2 часа. Если у вас 32 Гб, можно в 12-й строке конфиг-файла (Time(%)) сократить значение на половину, и у вас получится примерно такое же время выполнения, как и для 16 ГБ.
OCCT Memory: по полчаса на тест SSE и на тест AVX.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Частота (МГц)	Максимальная пропускная способность в двухканальном режиме (Мб/с)
3000	48000
3200	51200
3400	54440
3466	55456
3600	57600
3733	59728
3800	60800
4000	64000

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Чип

tRFC (нс)

Изучаем калькулятор для настройки памяти на AMD Ryzen. DRAM Calculator for Ryzen by 1usmus

Рассмотрим с вами один из инструментов для помощи в разгоне оперативной памяти на Ryzen — DRAM Calculator for Ryzen от 1usmus. Он поможет вам с минимумом знаний разогнать либо выставить лучшие тайминги в сравнении с XMP профилем. В данной статье будет собрана информация, предоставленная 1usmus и его материалами, а также из других источников, соединена воедино и использована в некоторых частях статьи для описания параметров, с которыми мы работаем при использовании DRAM Calculator for Ryzen.

Это только инструмент, который поможет вам улучшить свои тайминги в сравнении с XMP профилем на системах с процессорами Ryzen.
Никто не сможет вам гарантировать, что выбранные вами тайминги запустят вашу систему или на ней не будет ошибок. Да, очень много тестов было произведено при разработке программы, но на данный момент существует довольно большое количество чипов памяти от разных производителей с разным качеством и зачастую бывают такие, что дальше XMP профиля вы сдвинуться никуда не сможете.
Вы должны знать или хорошо ориентироваться в BIOS вашей материнской платы, потому как DRAM Calculator выдаёт настройки таймингов, напряжений, значения терминации сигналов памяти, шины памяти — это повышает ваш шанс на успешный запуск вашей системы и, возможно, даже работы вашей системы без ошибок.
Кроме этого, если вы используете 2 модуля памяти, то обратите внимание на руководство пользователя вашей материнской платы — в нём указывается, в какие слоты необходимо ставить оперативную память. Обычно это слоты A2 и B2, начиная от процессора, или для лёгкого понимания — 2 и 4 слот при наличии у вас четырёх слотов, когда слотов всего два, то ставите просто в два слота.
Рассматривать софт мы будем на примере архитектуры Zen 2, а именно процессоре Ryzen 9 3900x. На Zen 2 разгон оперативной памяти стал более простым занятием в сравнении с Zen или Zen+. Вы же в программе выбирайте то, что соответствует вашей конфигурации ПК.
Вы должны знать, как сбросить ваш BIOS на первоначальные настройки в случае неудачи. Да, такое может быть и такое бывает, бояться здесь нечего. В некоторых платах есть специальные кнопки на задней панели, например, MSI MEG x570 UNIFY (CLEAR CMOS):

ASRock x570 TAICHI (CLR CMOS):

GIGABYTE X570 AORUS XTREME (CLEAR CMOS):

ASUS ROG Crosshair VIII Hero (CLEAR CMOS):

Как вы видите, это в основном дорогие платы. Обычно кнопки есть в некоторых платах среднего сегмента и во всех платах — флагманах того или иного производителя. Если ваша материнская плата не относится к таковым, то у вас должен быть джампер/jumper/перемычка на материнской плате для сброса CMOS, который вы сможете найти либо внимательно посмотрев на материнскую плату, либо изучив инструкцию на вашу материнскую плату. Так, например, у ASUS ROG STRIX X570-E GAMING указана информация в инструкции:

Для сброса вам необходимо будет воспользоваться какой-либо небольшой пластинкой или маленькой отвёрткой. При этом помните, что данную операцию необходимо проводить на выключенном компьютере. Вы также можете подключить нормально разомкнутую кнопку на корпус вашего компьютера и сбрасывать биос уже через кнопку на компьютере для удобства, особенно если вы планируете плотно заниматься вашим ПК. Совсем на крайний случай вы можете вытащить на насколько секунд батарейку CMOS и затем установить её обратно также на выключенном ПК. Хочется ещё уточнить, почему везде указано CMOS, а не BIOS, т.к. CMOS — Complementary Metal-Oxide-Semiconductor — комплементарный металлооксидный полупроводник или КМОП, иначе говоря, микросхема, в которой содержатся настройки BIOS. Тем самым вы просто очищаете данные на микросхеме и приводите настройки BIOS к первоначальным, установленным на заводе.

Если вы всё же не знаете, как и что нажимать, то я бы не рекомендовал вам ничего трогать в BIOS и закончить прочтение статьи; если же есть желание, то рекомендую продолжить чтение. Сам софт вы можете скачать по ссылке.

Итак, начнём с того, что текста достаточно много. Как ориентироваться? Кому интересно описание, то я бы рекомендовал прочитать статью полностью. Кто не хочет читать и кого интересует процесс, то для вас интересны только два раздела — алгоритм работы №1 и алгоритм работы №2. Второй будет отличаться более быстрым результатом, меньшим количеством шагов, но в некоторых случаях окажется более сложным.

Почему так? Предлагаю ознакомиться самим:

Описание программы
Алгоритм работы №1
Алгоритм работы №2

Описание программы

При первом запуске нас встречает окно:

Довольно много окон, но давайте разбираться поэтапно и начнём с основной вкладки Main.

Main

Самым первым пунктом у нас идёт графа Processor; здесь нам необходимо выбрать поколение нашего с вами процессора.

Если говорить конкретнее, то:

ZEN 1 AM4 (поколение и сокет) — Ryzen 1xxx серии, а также Ryzen 5 2200G, 2400G, Athlon 3000G, Athlon 200GE и их PRO версии.
ZEN + AM4 — Ryzen 2xxx серии, а также Ryzen 5 3200G, 3400G, Athlon 300GE, Athlon 320GE и их PRO версии.
Threadripper 1 gen — Ryzen Threadripper 1xxx серии.
Threadripper + gen — Threadripper 2920X, Threadripper 2950X, а также к этому поколению относятся Threadripper 2970WX, Threadripper 2990WX, но в калькуляторе им отведён отдельный пункт.
ZEN 2 AM4 / sTRX4 — Ryzen 3xxx серии и их PRO версии, Threadripper 3xxx серии и Ryzen PRO 4xxx с некоторыми оговорками. Выше частоты 3800 в случае с Ryzen PRO 4xxx вам скорее всего придётся бороться самим. Да, процессоры построены на архитектуре Zen 2, но потолок по частоте оперативной памяти без ущерба общей производительности значительно выше и в калькуляторе пока нет поддержки таких частот.
Остаётся один животрепещущий вопрос: а как быть с ZEN 3 — Ryzen 5xxx серии? Судя по таймингам, частотам и напряжениям на оперативной памяти, вы можете пользоваться калькулятором, выбирая пункт ZEN 2 AM4 / sTRX4.

В моём случае я выбираю ZEN 2.

Переходим к следующему пункту Memory Type. Здесь всё несколько сложнее, мы должны выбрать тип чипов нашей оперативной памяти.

В списке вы можете видеть несколько типов Samsung, Hynix, Micron. Будет хорошо, если вы купите память с заранее известными чипами памяти, например, crucial ballistix с маркировкой в названии AES или U4. С такой памятью у вас с большой вероятностью не будет проблем в разгоне. Также попасть на Samsung B-die, которые можно увидеть в G.Skill 3200 cl14 или G.Skill cl14, тоже будет достаточно неплохо, но такие чипы стоят достаточно дорого, и готовы ли вы переплатить за более хорошие тайминги, чуть меньшую задержку, которую не всегда можно увидеть в играх, но всегда можно показать сильно ужатые тайминги другим людям, которые в этом разбираются? Решать вам. Хорошо, а что делать, если у вас уже есть память и вы не знаете, какие в ней чипы? Для начала перейдите на сайт производителя и посмотрите, указана ли данная информация на сайте. Если нет, то вы можете воспользоваться программой Thaiphoon Burner — это большая база с чипами памяти, но т.к. это — база, если вам попадутся специфические чипы, то она покажет вам что-то не совпадающее с действительностью. Кроме этого у программы есть большой минус: для пользователей из России к ней закрыт доступ. Можно было не упоминать её в рамках данной статьи, но я думаю, что нас читают не только пользователи из России. Ещё один вариант, как я считаю, более надёжный — общение с технической поддержкой производителя. Пишите им код своей оперативной памяти и спрашивайте, какие чипы памяти у вас установлены. К сожалению, здесь тоже есть свой нюанс: не всегда техподдержка пойдёт вам навстречу и может случиться так, что она уйдёт от ответа. Это ещё не всё, недавно появилась информативная картинка по маркировки оперативной памяти от G.Skill, Corsair и Patriot.

Она поможет вам определить тип чипов памяти, как тех, которые у вас есть, так и при покупке новых. Ориентируйтесь на Samsung B-die или Micron Rev.E — будут наиболее удачные варианты с точки зрения разгона с большой долей вероятности. И самое последнее решение, когда ни один из способов вам не помог — то просто искать по вашей маркировке информацию в интернете, возможно, в зарубежных источниках будет какая-либо информация по вашей оперативной памяти. Конечно, есть ещё один способ — снятие радиаторов и определение чипов по маркировке, но такой способ подходит не всем и пробовать таким образом определить чипы на вашем месте, я бы не стал. Хорошо, а что делать, если вообще ни один способ вам не помог найти производителя ваших чипов памяти. Можно обратиться за помощью в настройке в нашем Discord — канале i2HARD или же достаточно косвенно ориентироваться на первоначальные тайминги XMP профиля вашей частоты, настройками частоты в DRAM Calculator и уже тогда смотреть, есть ли у вас возможно поднять частоту выше, либо ваша оперативная память ограничена профилем XMP, и в лучшем случае вы сможете немного улучшить тайминги относительно первоначального профиля.

DRAM PCB revision. Выбор ревизии PCB (печатной платы) вашей оперативной памяти.

Как её определить? Необходимо воспользоваться картинкой ниже и посмотреть на чипы памяти, а именно как они установлены, либо если у вас приклеены радиаторы, то с нижней части, где находится контактная группа, посмотреть на то, как они располагаются на плате.

Чипы на платах А0 располагаются примерно на одинаковом расстоянии друг от друга, а чипы А2 имеют 2 группы по 4 модуля. А1, скорее всего, вы не увидите, т.к. такие чипы обычно используются в ОЕМ-продукции с поддержкой ECC. Такой тип памяти зачастую не поддаётся разгону.

В голове возникает вопрос, а зачем нам нужна ревизия платы? С пунктом Bad bin более-менее всё понятно, т.к. имеется в виду, что отбор чипов на заводе не производился, и, скорее всего, вы не получите либо высоких частот, либо хороших таймингов, либо того и другого на такой памяти. А как же тогда такой бин будет выглядеть? Примерно также, как A0, только A0/B0 — более хорошие чипы памяти, на них вы скорее всего возьмёте более высокие частоты, но по таймингам всё сказать однозначно невозможно: возможно, это будут низкие тайминги на низком напряжении, а может и тайминги выше, но на более высоком напряжении. A3/A2/B2 — зачастую самые отборные чипы, которые показывают достаточно низкие тайминги на низком напряжении. Хотелось бы сказать, что в случае покупки с нуля берём A3/A2/B2 и забываем обо всём, но всё не так просто. Самым главным ограничением становится цена. Стоимость A3/A2/B2 обычно самая большая на рынке, A0/B0 в зависимости от производителя, был ли отбор чипов и были ли какие-либо скидки, стоят на порядок дешевле, Bad bin же стоит обычно всегда очень дёшево; конечно, не стоит забывать и о жадности производителей, использующих тот или иной тип памяти — бывают исключения.

Если вам этот пункт остался непонятен, то выбирайте A0/B0 — среднестатистический вариант. В моём случае такой память и оказалась, при этом не самый плохой вариант из того, что могло попасться. Если после дальнейших тестов у вас всё будет хорошо, то можете попробовать замахнуться на настройку A3/A2/B2, если же, наоборот, будет всё плохо, то на Bad bin. Осталась настройка Manual, на данном этапе, когда для пользователей России Thaiphoon Burner остаётся нерабочим инструментом, этот пункт не используется. Забегая вперёд: пункт Import XMP по этой же причине тоже стал нерабочий. Если говорить вкратце, то вы могли импортировать XMP профиль согласно данным с Thaiphoon Burner и в режиме Manual получить тайминги, которые необходимо установить, а также данные по вашей оперативной памяти в первой колонке.

Memory Rank. Здесь мы должны выбрать ранг нашей оперативной памяти.

Самый лучший способ будет узнать информацию в техподдержке вашего производителя. Если немного проще подходить к этой проблеме, то скорее всего модуль с 4 и 8 гб будет одноранговым, а 16 гб и более — двуранговым. В случае с Crucial (micron) 16 гб не всегда будут показателем, т.к. производитель даже в случае 16 гб может использовать одноранговую память. В моём случае одноранговая, поэтому я выбираю цифру 1.

Frequency (MT/s). Необходимо выбрать нужную нам частоту памяти, MT/s — передача данных в секунду.

Сразу скажу, что потолок частот для каждого поколения разный. Ориентироваться по потолку и некоторым рекордам вы можете по таблице.

Конечно, если есть потолок, то это не значит, что вы сможете легко его покорить и не всегда он так нужен. Для каждого поколения процессоров есть свои рекомендованные частоты памяти: Zen 1 — 2666, Zen + — 2933, Zen 2 — 3200, Zen 3 — 3200.

По Zen 2 я бы метил сразу на 3800 по возможности или 3733, на крайний случай — 3600. По остальным поколениям дать рекомендаций я не могу. Ориентируйтесь так: если ваша оперативная память, к примеру, берёт 3200 на 14 таймингах и нормальном напряжении от 1.35 до 1.45 В, а 3333 уже на 16 и требует 1.5 В, то лучше закрепиться на 3200. Или как в моём случае: на напряжении 1.4 В и 16 таймингах на частотах 3600, 3733, 3800 я выбрал последние, т.к. 3733 и 3800 по таймингам и напряжениям почти не отличались, а 3600 на cl14 взять при невысоких напряжениях не вышло.

BCLK (100-104.8). Частота тактового генератора BCLK, которая через множители определяет частоту работы процессора, памяти, шин.

По умолчанию на всех материнских платах установлено 100. Изменять данную величину можно во многих платах, различие в том, с каким шагом вы сможете это делать целыми, десятыми или может даже сотыми значениями. По умолчанию рекомендую оставить 100, проверить вашу частоту полностью на стабильность и только тогда, если есть желание, пробовать изменять данный параметр, т.к. чем больше величин вы изменяете, тем сложнее затем в дальнейшем искать причину нестабильности в вашей системе.

DIMM Modules. Необходимо выбрать, сколько модулей установлено в материнской плате.

Для платформы AM4 Ryzen 3, 5, 7, 9 выбираем конкретное значение, где 1 — один модуль оперативной памяти, 2 — два модуля и 4 — четыре. Для Ryzen Threadripper логика работы несколько другая: 2 ставим, когда у вас 4 модуля и 4 ставим, когда у вас установлено 8 модулей. В моём случае используется Ryzen 9 3900x и два модуля оперативной памяти, поэтому я выбираю 2.

Motherboard. Выбор чипсета, на основе которого построена материнская плата.

На выбор у нас чипсеты B350 / X370, B450 / X470, платы с двумя слотами под оперативную плату Dual Slot, X399 и X570 / sTRX4. По моим наблюдениям в софте разница заключается в значениях терминации сигналов памяти. Вы же выбирайте тот пункт, который вам подходит. В основном на всех материнских платах указан чипсет, на котором они построены, прямо в названии. Например, ASRock X570 Taichi, MSI B450 Tomahawk MAX и др. Если же вы не знаете названия, то всегда можно посмотреть на коробке от материнской платы. Если же коробки нет, то зачастую производитель пишет это на самой материнской плате большими буквами с лицевой стороны. Надпись может быть где угодно, на усмотрение производителя.

Т.к. у меня материнская плата, построенная на чипсете x570, а именно плата, изображённая выше, то я выбираю вариант x570 / sTRX4.

А что делать владельцам b550 новых материнских плат? Я бы выбирал x570 / sTRX4, т.к. они более близки по VRM, количеству слоёв платы к x570.

На этом мы закончили рассмотрение всех необходимых пунктов, которые нужно выбрать перед использованием программы.

Далее перейдём к основным кнопкам. Как вы могли заметить, я зачеркнул 2 кнопки. Import XMP, который производился с помощью программы Thaiphoon Burner, недоступной пользователем из России, а также New Version?, т.к. при переходе по кнопке New Version? мы переходим на сайт, на котором нет программы для скачивания. Ссылка для скачивания есть вверху статьи. По заверению автора 1usmus, он уберёт данные кнопки, а пока остаётся пользоваться так, как есть. В данный момент все основные силы уходят на другой его проект, о котором многие из вас уже знают.

Теперь по действующим кнопкам.

Screenshot — кнопка скриншота окна программы. Как только вы нажмёте на него, то сможете сохранить изображение окна программы на интересующий вас диск и выложить там, где вы хотите.

Reset — сброс всех значений полей в программе, т.е. если вы хотите, чтобы все поля стали пустыми, то можете нажать на эту кнопку.

Далее, говоря о таймингах, я акцентирую внимание на том, что программа не выставляет сама настройки по памяти, она только даёт вам значения таймингов для ваших настроек. Это означает, что вы сами должны зайти в BIOS, ввести все полученные вами настройки, сохраниться и загрузиться в вашу операционную систему.

Calculate SAFE — кнопка, позволяющая показать наиболее безопасные значения таймингов, напряжений, блоков терминаций и вспомогательных параметров для ваших настроек, которые с большей долей вероятности позволят вам загрузиться в вашу операционную систему и, возможно, даже работать без особых проблем.

Calculate FAST — аналогично SAFE, но по сравнению с прошлой кнопкой нам предлагаются уже более ужатые тайминги, напряжения, а также меняется значение вспомогательного параметра Gear Down Mode, но об этом немного позже.

Выглядеть это будет следующим образом при выставленных основных настройках и нажатии кнопки Calculate FAST:

Теперь пройдёмся по основным полям вкладки Main.

Voltage Block (voltage range) — блок напряжений (диапазон напряжений) с минимальным, рекомендуемым и максимальным значениями.
DRAM Voltage — напряжение оперативной памяти. SOC Voltage — напряжение контроллера память VDDG Voltage — напряжение шины Infinity Fabric для CCD (чиплетов процессора) и IOD (дословно, кристалл ввода-вывода). Актуально для Zen 2 и Zen 3. cLDO VDDP Voltage — напряжение DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY — интерфейс физического уровня DDR4, который преобразует информацию из контроллера памяти в вид, с которым работают модули оперативной памяти.
Misc items — вспомогательные параметры.
Power Down Mode — экономит энергию системы за счёт увеличения задержки DRAM во время режима бездействия (Enabled — включено, Disabled — выключено). В выключенном состояние в большинстве случаев снижает задержки при работе оперативной памяти.
Gear Down Mode — позволяет уменьшать эффективную скорость передачи данных в оперативной памяти (Enabled — включено, Disabled — выключено). Как правило, выключенное состояние позволяет получить нечётные значения таймингов. Command rate — задержка между этапами работы оперативной памяти, основные режиме 1Т и 2Т (1 такт и 2 такта), также может называться в BIOS, как Cmd2T.
BGS и BGS Alt. — изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель заключается в оптимизации выполнения запросов к оперативной памяти с учётом архитектуры и таймингов.
FCLK — частота шины Infinity Fabric (актуально для Zen 2 и Zen 3)
Termination block — значения терминации сигналов памяти с рекомендуемыми и двумя вариантами альтернативных настроек.
procODT — сопротивление, значение которого задаётся в Ом, необходимо для определения терминации завершённого сигнала в оперативной памяти.
RTT_NOM, RTT_WR, RTT_PARK — значения сопротивлений, которые необходимы для оптимального целостного отклика между рангами. Текущая архитектура оперативной памяти может делить общую ёмкость на несколько рангов и для оптимальной работы между рангами с высокой скоростью, чтением и записью используются данные параметры. Параметры могут быть как выключены OFF, так и иметь необходимые значения в зависимости от того, какие параметры вы выберите в первом столбце, исходя из конфигурации вашего ПК.
CAD_BUS Block — значения терминации сигналов шины с рекомендуемыми и тремя вариантами альтернативных настроек.
ClkDrv — регулирует мощность сигнала (с помощью сопротивления), который управляет частотой памяти.
AddrCmdDrv — сопротивление на пинах: адрес, RAS, CAS, WE, банк, чётность. CsOdtDrv — регулирует мощность сигналов (с помощью сопротивления), управляющих выбором микросхемы и ODT (связано с состоянием отключения питания СКЕ и DRAM).
CkeDrv — регулирует мощность СКЕ (включение частоты) сигнала (с помощью сопротивления).

В программе используются одни из самых низких значений, более высокие значения ClkDrv и AddrCmdDrv могут помочь с взятием более высоких частот по памяти (актуально, если вы решитесь покорять те частоты, которые не предусмотрены программой)

Я умышленно пропустил кнопку Compare timings (ON/OFF), потому как на ней остановимся немного подробнее. Она позволяет сравнить ваши тайминги с таймингами, которые предлагаются в программе. Рассмотрим на примере:

Красным я выделил зону, в которой появились мои тайминги после нажатия на кнопку. Дальнейшее описание только для чипов памяти Samsung B-die, в связи с тем что автор реализовал полный функционал только для данного типа. Как вы видите, тайминги показаны разными цветами. Всего цветов цифр, которыми будут показаны ваши тайминги, 4: бирюзовый, зелёный, оранжевый и красный.

Бирюзовый — состояние, когда тайминг находится далеко в безопасной зоне.
Зелёный — всё ещё безопасное состояние, но находящаяся в нескольких шагах от возможно нестабильного варианта.
Оранжевый — состояние ужатого тайминга, но при этом есть ещё куда двигаться.
Красный — максимально ужатый тайминг или пережатый тайминг, дальше уже двигаться бессмысленно.

Такая характеристика дана автором 1usmus. Как по ней ориентироваться? В связи с тем, что характеристика дана автором, то могут быть ситуации, что цвета не будут совпадать с вашей ситуацией. Если смотреть на моём примере, то тайминги оранжевого цвета можно ужать сильнее, но напряжение необходимо поднять выше, чем указано в графе Max. Voltage Block. В вашем же случае всё может быть по-другому, и в случае, если вы верно выставите DRAM PCB revision, то скорее всего цвета будут максимально приближены по текущему состоянию к вашей оперативной памяти.

Advanced

Следующая вкладка, которая может помочь стабилизировать работу вашей оперативной памяти. Лично у меня на Zen 2 половины настроек нет, а половина стоит в Auto и это никак не влияет на стабильность, но это всё достаточно индивидуально. Все настройки данной вкладки заполняются только после того, как вы нажмёте в вкладке Main Calculate SAFE или Calculate FAST.

Самая простая кнопка для объяснения Screenshot позволяет вам сделать снимок данной вкладки и сохранить у себя на ПК.

Начнём с первого блока Main Voltages — основные напряжения. В нём вы видите два столбца с Rec. — рекомендуемыми и Alt. — альтернативными значениями каждого из видов напряжений:

VTT DDR Voltage min — минимальное значение напряжения, которое используется для управления сопротивлением шины для достижения высокой скорости и поддержания целостности сигнала с использованием резистора параллельного прерывания.
VTT DDR Voltage min — максимальное значение напряжения, которое используется для управления сопротивлением шины для достижения высокой скорости и поддержания целостности сигнала с использованием резистора параллельного прерывания.
Boot DRAM Voltage — напряжение тренировки оперативной памяти при запуске системы. Согласно информации от 1usmus, лимит — 1.45-1.50 В.
Vref — опорное напряжение оперативной памяти. Обычно оно составляет ½ от напряжения DRAM.

Следующий блок Debug Voltages — отладочные напряжения:

VDDP Voltage — напряжение транзистора, определяющее надёжность доступа к содержимому DRAM.
VPP (VPPM) Voltage — напряжение для доступа к строке DRAM.
PLL Voltage — напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop), актуальна при разгоне системы с использованием BCLK. Согласно информации от 1usmus, лимит — 1.9 В.

Блок Overclocking potential DRAM недоступен по той же причине, что и кнопка Import XMP.

Блок CAD_BUS Timings — задержка трансивера, является аналогом блока RTL/IOL Intel, только реализация от AMD. Данные значения влияют на тренировку оперативной памяти. Также содержит два столбца с Rec. — рекомендуемыми и Alt. — альтернативными значениями.

CAD_BUS AddrCmd — время установки адреса/команды. Данная настройка нужна, чтобы подготовить выводы адресов и команд за долю от частоты памяти перед отправкой команд чтения или записи. Если установлено значение 0, то будет отправлен сигнал, равный ½ перед тем, как отправить команду CR=1T или 1, тогда сигнал также равен ½, но уже перед тем, как отправить команду CR=2T. Если установлено значение 1, то количество тактов будет равно вашей настройки command rate (cmd2T).
CAD_BUS CsOdt — время установки CS/ODT. Время установки CS и ODT по отношению к частоте оперативной памяти. Если установлен 0, то будет установлено значение равное 1/2 от частоты перед отправкой команд чтения и записи. Если установлена 1, то они будут равны 1 частоте перед отправкой соответствующих команд.
CAD_BUS Cke — время установки CKE. Поведение аналогично CsOdt.

Блок Memory Interleaving + tweaks — чередование блоков оперативной памяти + настройки. Данные значения могут помочь вам повысить стабильность вашей оперативной памяти, но не все настройки могут присутствовать в BIOS. Также значения, выдаваемые калькулятором, могут быть для вашего случая не оптимальными.

Memory Interleaving Size — управление размером чередования блоков памяти. Изменяет значение бита, с которого начинается чередование. Обычно существуют режимы Auto, 256B, 512B, 1KB, 2KB.
Memory Interleaving — управление режимом чередования блоков памяти. Чередование в памяти — метод увеличения пропускной способности памяти с помощью организации блоков памяти по нескольким банкам памяти для предотвращения так называемого “заикания” при доступе к памяти. Обычно существуют режимы Auto, None, Channel, Die, Socket.
Channel Interleaving Hash — управление хешированием битов адресов, когда включён режим чередования блоков памяти Memory Interleaving установлен в режим Channel.
DRAM R1-R4 Tune — позволяет улучшить стабильность системы для Crosshair IV Hero / Extreme. Рекомендация от 1usmus: 40, 63 — базовое значение.
L1 и L2 Stream HW Prefetcher — определяет, будет ли ЦПУ выполнять предварительную выборку данных из памяти, которая может появиться в ближайшее время. Данные настройки были замечены на Crosshair VI Hero и Crosshair VI Extreme. Если у вас в BIOS они присутствуют, тогда выставьте их так, как указано в калькуляторе.
Super I/O Clock Skew — сдвиг тактовой частоты контроллера ввода/вывода. Если верить названию, точное описание отсутствует.
Opcache — контроль за сохранением инструкций, которые были недавно декодированы ЦПУ, чтобы предотвратить их повторное декодирование. Служит для экономии энергии, а также для предотвращения выполнения лишней работы средствами ЦПУ. В некоторых случаях данная настройка может улучшить эффективность и производительность ЦПУ в определённых задачах.
Spread Spectrum — настройка для снижения электромагнитных помех (EMI), создаваемых вашим VRM. Служит для расширения спектра частот, при которых работает ваша оперативная память, тем самым ваша память работает с более высоким диапазоном частот. В моём случае при включении данной настройки появляется нестабильность в системе, поэтому дать однозначную рекомендацию невозможно.
Memory clear — очистка оперативной памяти. В большей степени помогает при использовании ECC памяти, как аварийная функция, в случае если в оперативной памяти остались какие-либо конфиденциальные данные и их необходимо очистить. В обычных ПК в этом нет необходимости.

Блок PMU Training связан с тренировкой памяти, если у вас есть проблемы при загрузке ПК, то пробуйте изменять данные настройки. К сожалению, подробного описания, связанного с этими настройками, нет.

Additional calculators

В данной вкладке вы можете посчитать сами нужные для вас значения.

На данной вкладке также присутствует кнопка Screenshot для получения снимка программы данной вкладки. Также вы можете видеть кнопки Calculate для выполнения расчёта для соответствующих значений блоков, в которые вы внесли свои данные, и кнопки Clear для очистки получившихся значений. Также вы можете видеть интересный блок, который подойдёт для оперативной памяти, запущенной на системах с процессором Intel, а именно RTL IO-L Calculator. Ниже, для примера, я внесу необходимые значения в соответствующие поля. Вы также можете внести свои значения, на основе данных, которые у вас есть в BIOS, или данных, которые вы хотите установить. Описание большинства настроек есть в статье выше.

Как вы видите, получились необходимые нам значения. Касательно tRFC ns — минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации, либо другой командой обновления, если вы знаете значение времени, то вы можете получить значения тайминга tRFC, которое вам необходимо выставить в BIOS.

Power Supply System

Вкладка настроек системы питания. Данные настройки служат для подачи стабильного питания на SOC, CPU и DRAM, и, соответственно, их стабильного режима работы.

Здесь вы можете увидеть два основных столбца: Best DRAM Stability — лучшая стабильность оперативной памяти и Best CPU/DRAM Stability — лучшая стабильность процессора и оперативной памяти. Данные рекомендации даны разработчиком программы 1usmus. Большинство данных настроек есть на материнских платах ASUS. В моём же случае, на ASRock, я могу выставить только Load-Line Calibration для CPU и VDDSOC, остальные настройки у меня отсутствуют.

Load-Line Calibration — калибровка цепей питания. Используется для компенсации падения напряжения при повышении нагрузки на процессор/DRAM. Оптимальные настройки указаны в программе, если у вас нет цифр, то либо оставляйте в Auto, либо используйте средний или выше среднего, в зависимости от компенсации напряжения. Например, у Gigabyte можно выставить Medium или High. Если вы будете подбирать сами, то учитывайте, что падение напряжения при нагрузке — нормальное явление, и не стоит выставлять значение LLC так, чтобы она отсутствовала, что может впоследствии негативно сказаться на работе процессора.

Current Capability — ограничения по току. Помогает сдвинуть порог срабатывания защиты по току.

VRM Switching Frequency / Switching Frequency — частота переключений. Данными настройками задаётся ручное или автоматическое управление частотой. Также аналогичными настройками может задаваться и сама частота переключений. Например, в VDDSOC вы можете видеть частоту переключений в kHz и рекомендуемое значение 300/400. Чем больше частота, тем более стабильно напряжение на выходе, но также растёт нагрузка на VRM, что способствует повышению температуры на VRM, а также снижению общей эффективности. Поэтому, если вы будете всё же сами подбирать значения, то необходимо находить баланс между эффективностью и стабильностью выходных напряжений.

Voltage Frequency — частота напряжения, настройка аналогична той, о которой было сказано выше.

Power Phase Control / Phase Control — управление фазами питания / управление фазами. Управляет количеством фаз в зависимости от нагрузки. Обычно при настройке Extreme отключения фаз не происходит, тем самым мы получаем более хорошие переходные и температурные характеристики.

Power Duty Control — управление мощностью. Позволяет управлять компонентами каждой фазы питания процессора (VRM). Рекомендуемая настройка T.Probe направлена на оптимальную температуру VRM.

Power Thermal Control — тепловое управление питанием. Позволяет увеличить температурный порог защиты VRM. Если у вас на стандартных настройках наблюдается перегрев, то лучше обеспокоиться обдувом VRM, чем сдвигом порога.

Manual Adjustment — дословно ручная регулировка. Пвсевдорегулировка количества фаз. Достаточной информации по данной настройке нет.

MEMbench

Одна из самых интересных вкладок для тех пользователей, которые любит сравнить результаты с другими людьми. Да, это бенчмарк для оперативной памяти на основе MEMbench 0.8 beta 4.

Условно вкладка делится на 8 блоков, а также 9 кнопок. Начнём по порядку.

Блок Settings — основные настройки:

RAM size (Mb) — объём оперативной памяти, который доступен вам для бенчмарка.
MEMbench mode — режим бенчмарка.

На выбор нам доступны:

Easy — режим, подходящий в большинстве случаев, который и заносится пользователями в таблицу Statistics.
Default — аналогично режиму Easy, но требует определённого объёма свободной оперативной памяти, поэтому если у вас будет недостаточно, то тест даже не запустится.
Custom — режим, в котором вы можете выбрать и вписать объем оперативной памяти (RAM size (Mb)), количество потоков (Number of threads) процессора, объем задачи в процентах (Task Scope (%)), которое будет использоваться при тесте, а также выбрать режим, при котором тест будет завершён (Stop at (task mode)), а именно Single при достижения одним из потоков вашего объёма задачи или Total при достижении необходимого объёма задачи в целом.
Memtest — режим тестирования вашей оперативной памяти. В этом режиме по умолчанию установлен доступный в данный момент объем оперативной памяти, максимальное количество потоков, объем задачи 100 процентов и остановка при достижении всеми ядрами величины в 100 процентов. При этом остановка также будет происходить при наличии ошибок (Stop on error), но данную отметку при необходимости вы можете снять. В таком случае вы отследите суммарное количество ошибок в вашей памяти посредством блока, по центру; конечно, необходимость в этом есть только в том случае, если вы готовы с какой-то единичной ошибкой работать в системе, иначе данную отметку лучше оставить.
Latency — режим для получения значения задержек.

Блок Current Timings выводит значения ваших таймингов. На данный момент отображение работает для процессоров с архитектурами вплоть до Zen 2.

Центральный блок — основной блок, в котором вы можете увидеть количество выставленных вами потоков (Threads); в случае с режимом Custom — объем задачи в процентах (Task scope (%)) и количество ошибок на каждом из потоков (Errors). Когда вы отстроили всё верно, то ни при каком сценарии у вас не будет ошибок в столбце Errors и значения всегда будут равны 0.
Блок Results отображает результаты для выбранного вами режима в MEMbench mode. В случае с Easy в нём отображается время прохождения бенчмарка (Time), лучшее время для оперативной памяти (Best time), ваш результат может отличаться как в лучшую сторону, так и в худшую, в зависимости от вашей оперативной памяти и таймингов, которые вы получили.

Custom и Random latency — пользовательская (аналог теста в AIDA64) и случайная задержка. По заверению разработчика 1usmus определение задержек более точное, чем в AIDA64.

Блок Core Latency Results — результаты межъядерных задержек. В каждом поколении процессоров Zen результаты будут различаться, поэтому имеет смысл сравнивать только в рамках одного поколения.

Inner-CCX latency — задержки внутри CCX (Core Compute Complex, рекомендую ознакомиться с архитектурой вашего процессора, если вас интересует данный вид задержек).
Inter-CCX latency — задержка между CCX.

Блок с графиками — здесь вы можете увидеть график в виде столбцов при запуске в режиме Easy Mode или в виде графика при нажатии на кнопку Draw Latency Graph.

Блок System Info — информация о вашей системе.
Блок Memory Status — информация о размере файла подкачки (PageFile), доступной виртуальной (Free Virtual) и физической (Free Physical) памяти, а также суммарном количестве оперативной памяти (Total RAM), все значения приведены в MB.

Теперь перейдём к кнопкам.

Run — запуск бенчмарка в любом из выбранных вам режимов.
Stop — остановка бенчмарка.
Draw Latency Graph позволяет отобразить график задержки для ваших настроек таймингов. Ниже вы можете увидеть, как выглядит сам график.

Max RAM — расчёт максимально доступной памяти для бенчмарка.
Clear Standby — очистка памяти. Рекомендуется к нажатию при отсутствии свободного места в оперативной памяти.
Save Result 1 и 2 — сохранить результат в виде графика в соответствующих полях Saved Result 1 и Saved Result 2. Ниже вы можете увидеть пример сохранённых значений.

Statistics — ссылка на статистику бенчмарков других людей, там вы можете разместить свой результат, если есть желание, или же сравнить свой сдругими аналогичными, особенно, если у вас одинаковый комплект оперативной памяти.

Screenshot позволяет сделать снимок окна текущей вкладки и сохранить в виде картинка у вас на ПК.

FreezKiller

Как вы можете видеть из названия, данная функция позволяет улучшить плавность игр на любом процессоре, работает только на Windows 7 и 10. Разработка от автора. Мне ещё не попадалась настолько плохая ситуация, чтобы приходилось пользоваться данной функции. Судя по отзывам, результат может быть как положительный, так его может и не быть, так что использовать её или нет, решать вам. Программа при этом должна быть запущена.

Help and my reviews

Содержит ссылки на ресурсы, где вы можете получить поддержку, таблицы с разгонами процессорами и результатами тестов для каждого поколения, а также обзоры и материалы автора, которые рекомендую к прочтению. Кроме этого, помощь вы можете получить в нашем канале Discord i2Hard https://discord.gg/y73hRk4

About

Вкладка о программе. Здесь вы можете увидеть основных разработчиков, помощников, а также поддерживаемые AGESA. Кроме этого, есть кнопка для связи с разработчиком 1usmus (Write me in Twitter), а также вы можете почитать там его ленту.

Алгоритм работы №1

Вы выставили все необходимые настройки (раздел «описание программы — Main»), как действовать дальше? Прежде чем действовать дальше, хотелось бы напомнить про пункт (6) в начале статьи. Не забывайте про него, он может пригодиться. Нажимаем кнопку Calculate SAFE. Таким образом программа нам отобразит более щадящие настройки. После этого рекомендую выставить следующие настройки в BIOS:

Остальные настройки оставить в авто. Зелёным цветом я выделил значение FCLK, потому как это актуально для ZEN 2. Если вы выставляете Frequency больше, чем 3600, то вам необходимо будет выставить FCLK вручную. Остальные настройки оставляем в Auto. Также обращаю ваше внимание на то, что если настроек, которые вы нашли, в программе нет, то они не требуют изменения. Вы также можете обратить внимание, что в DRAM Voltage выбрано максимальное значение, а в SOC Voltage — рекомендуемое, потому что в большинстве случаев рекомендуемого значения для SOC достаточно, а в случае с напряжением оперативной памяти может не хватать. Возникает самый сложный вопрос: а где всё это найти в BIOS? Я постараюсь вас направить, но учтите, производители материнских плат в разных версиях BIOS могут менять положение настроек, поэтому, если по тому пути, который я укажу, вы не сможете их найти, то ищите по названию, которое я выделю, т.к. положение может меняться, а наименование основного меню, которое нам необходимо, как правило, остаётся неизменным. При установке значения напряжений SOC зачастую требуется выбирать Fixed Mode или постоянный режим, или фиксированный режим.

Для ASUS: переходим в режим Advanced Mode, вкладка Ai Tweaker в настройке Memory Frequency, соответствующей настройке Frequency в программе (т.е. если вы в программе выбрали 3600, то и в BIOS ставите 3600), FCLK Frequency соответствующей FCLK в программе (если у вас Zen 2 или Zen 3 и частота памяти выше 3600), далее выбираем DRAM Timing Control, где заносим выделенные по центру красным цветом тайминги, остальные оставляем в Auto. После этого возвращаемся в Ai Tweaker, листаем вниз, находим VDDCR SOC Voltage выставляем рекомендуемое значение из соответствующего блока программы SOC Voltage и аналогично DRAM Voltage.

Для MSI: переходим в режим Advanced, нажимаем на блок OC в списке по центру, меняем настройку OC Explore Mode на Expert. Ниже в списке выставляем Memory Frequency и FCLK Frequency (FCLK, если у вас Zen 2 или Zen 3 и частота памяти выше 3600), значения которых указаны в программе. После этого переходим в Advanced DRAM Configuration и выставляем тайминги непосредственно в этом разделе. Возвращаемся в предыдущее меню и листаем ниже, находим CPU NB/SOC Voltage и выставляем соответствующее значение SOC Voltage, а также аналогично DRAM Voltage.

Для Gigabyte: переходим в режим Advanced Mode и выбираем вкладку Tweaker в ней находим VCORE SOC и выставляем согласно пункта SOC Voltage в программе, DRAM Voltage выставляем аналогично пункта в софте. В пункте System Memory Multiplier выставляем значение множителя. Его получаем следующим образом: берём частоту из программы Frequency и делим её на 100, т.е. если вы поставили 3600, то множитель будет 36. Далее переходим в вкладку Settings, выбираем Amd Overclocking, находим DDR and Infinity Fabric и выставляем Infinity Fabric Frequency согласно поля FCLK в программе (если у вас Zen 2 или Zen 3 и частота памяти выше 3600).

Для Asrock: переходим во вкладку OC Tweaker, в ней выставляем DRAM Frequency, DRAM Voltage, аналогично тем значениям, что есть в программе. Infinity Fabric Frequency and Dividers согласно значению FCLK в программе (если у вас Zen 2 или Zen 3 и частота памяти выше 3600). Далее в DRAM Timing Configuration выставляются тайминги с программы. После этого возвращаемся назад, переходим в External Voltage Settings and Load-Line Calibration и находим CPU VDCCR_SOC Voltage, и выставляем согласно программе SOC Voltage.

Все настройки Termination Block вы также можете найти в вкладке с таймингами BIOS любого производителя, какие-то находятся на поверхности, какие-то, как, например, у ASRock могут быть в подменю таймингах Data Bus Configuration, а у MSI и ASUS просто находится наравне с таймингами без необходимости нажатия на дополнительное подменю.

После изменения всех значений, вы можете сохранить настройки BIOS и загрузиться в Windows. Будьте готовы, что, возможно, вам понадобится знание пункта 6, о котором я рассказывал вначале статьи. Если система загрузилась, то это успех, но только наполовину, теперь вам необходимо воспользоваться тестовым пакетом программ. Я использую TM5 с конфигом v3 от 1usmus. Ставите 3 цикла (количество циклов можно проверить по пути программы TM5\bin\MT.cfg, открываем с помощью блокнота и находим строку Cycles=3, где 3 и означает количество циклов) и если ошибок у вас не появляется за время тестирования, то можно переходить дальше; если же у вас находятся ошибки, то скорее всего вы неверно выбрали первоначальные настройки в первом столбце. Если у вас чипы памяти Micron E-die, процессор Zen 2 и всё равно не загружается или есть ошибки, то вы также можете воспользоваться таймингами по ссылке. Если снова есть ошибки или не включается, тогда подбираем значения procOdt, лично у меня выставлено аналогично программе для Zen 2, для Zen + это обычно значения 43-68, для двурангов 60-68, 43-48 одноранговые Micron E-die, 48-53 Samsung B-die, для частот 3667+ 53-60. Кроме этого поднимаем значение tRTP на +1 за шаг, если не помогает, то увеличиваем tRFC на +20 за шаг, если всё равно не помогает, то увеличиваем tCL, tRCDWR, tRCDRD, tRP, tRAS, tRC на +1 за шаг. Как только у вас исчезают проблемы, то пробуйте по одному из этих таймингов уменьшать на -1 за шаг, т.е. tCL уменьшили, пробуем загрузиться и так по каждому таймингу.

Если вы проверили и всё верно, то пытаемся выставлять следующую группу напряжений и настроек, как выделено ниже.

VDDG и VDDP ставим из колонки Max. При этом если нет возможности выставить тысячные доли, т.е. 1.075 не ставится, то достаточно поставить 1.07. Если и в этом случае не идёт, то ставим значения из колонки Rec. Есть ещё и колонка Min., но с ней необходимо быть аккуратнее. Например, в моём случае я смог выставить VDDG 0.950, а VDDP только 0.900, при значении 0.700 моя система становится нестабильной. В целом необходимости в выставлении минимальных значений нет, если у вас запускается с значением Rec. или Max., то на этом можно закрепить результат. Снова не помогает? Выставляем значения CAD_BUS, хочу обратить ваше внимание, что есть ещё и значения CAD_BUS timings, но это немного другое и об этом мы поговорим позже. В этом блоке начинаем с колонки Rec., затем, если есть ошибки или нет загрузки, перебираем альтернативные варианты. К, примеру, у меня на всех значениях система загружается, но ошибок нет только при значениях 24 20 20 24 или 40 20 20 24. Если всё равно у вас нет стабильности и тест ТМ5 выдаёт ошибки, то ставьте две настройки вручную из вспомогательных настроек. Бывает, что BIOS в режиме Auto выставляют не то, что нам хотелось бы.

Хорошо, а если у вас всё отлично, все выставленные ранее параметры работают, при тестировании TM5 v3 1usmus на 3 цикла нет проблем, тогда измените в файле TM5\bin\MT.cfg, с помощью блокнота строку Cycles=3 на Cycles=9. Тем самым мы нагреем память, увеличим время тестирования, убедимся, есть ли случайные ошибки или проблема связана с нагревом оперативной памяти. В случае с нагревом хорошо, если в вашей памяти есть датчик температуры, и вы будете знать, на каком значении у вас появляется ошибка. Например, в HWINFO можно посмотреть значения температур датчиков, если он у вас есть, если же в памяти датчиков нет, то и температур в программе не будет.

Если нет датчика температуры, то вы можете навешать какой-либо вентилятор сверху и проверить с ним, есть ли ошибки, если ошибок нет, то проблема с нагревом. В таком случае либо вы оставляете вентилятор, либо поднимаете значение Voltage DRAM или снова пытаетесь поднимать тайминги так, как описано выше.

Что касается напряжения Voltage DRAM для чипов Samsung B-die или Micron E-die можно выставить вплоть до 1.5 В, а в случае с остальными старайтесь не ставить выше 1.45 В.

Если всё отлично и вы прошли тесты выше, то необходимо вписать оставшиеся тайминги.

Если вы загрузились, то запускаем сразу TM5 v3 1usmus на 9 циклов. Если у вас при тесте появились ошибки, то пробуйте поднимать значения tFAW, tWR по +2, после изменения каждого проверять наличие ошибок. Если ошибок не будет, то можно попробовать опускать по -1. Или поступить иначе, поднять напряжение на оперативную память выше. Если и это не помогает и есть ошибки при тесте оперативной памяти, тогда необходимо выставить настройки из вкладок Advanced и Power Supply System. Если после прохода такого большого пути вы всё равно не можете загрузиться или у вас есть ошибки, то попробуйте выставить частоту поменьше с аналогичными таймингами. В случае если у вас всё сложилось удачно, вы можете выбрать 2 варианта:

нажать кнопку Calculate FAST и, постепенно меняя тайминги один за другим, там где есть изменения также тестировать на стабильность с количеством циклов 3, после удачного применения всех таймингов запустить на 9 циклов.
выставить более высокую частоту и стабилизировать память уже на более высокой частоте.

Конечно, всё равно после долгого тестирования вы можете получить ошибки, они могут появиться и в простое, ваш ПК просто будет перезагружаться, такое зачастую тоже вызвано сильно ужатыми таймингами. В моём случае был виноват тайминг tWTRL, но значений, которые я уже выставлял, не было ни в одном варианте калькулятора, значение было на -2 ниже.

Алгоритм работы №2

А теперь перейдём к самому быстрому и самому небезопасному варианту работы с программой. Заранее хочу сказать, что небезопасный вариант заключается в том, что вы либо не загрузитесь в систему, либо у вас будут ошибки при тестировании памяти, либо всё пройдёт сразу гладко, что тоже может быть. В случае отсутствии загрузки системы не забывайте пользоваться пунктом (6) в самом начале статьи, он поможет вам сбросить все настройки на настройки по умолчанию. Итак, начнём.

1. Выбираем поколения процессора (информация в описании программы — Main).
2. Выбираем тип чипов памяти (информация в описании программы — Main).
3. Выбираем ревизию платы оперативной памяти (информация в описании программы — Main).
4. Выбираем ранг памяти (информация в описании программы — Main).
5. Выбираем нужную нам частоту (информация в описании программы — Main).
6. Выбираем количество модулей. В случае с Ryzen 1 к 1. В случае с Threadripper 2 к 1 (4 модуля — 2, 8 модулей — 4).
7. Выбираем чипсет материнской платы (информация в описании программы — Main).
8. BCLK не трогаем нигде, оставляем как есть.
9. Нажимаем кнопку Calculate SAFE.
10. Вписываем все настройки в BIOS вашей материнской платы. Voltage Block — значения Rec. Misc Items — все значения, BGS, если найдёте. Termination Block значения Rec. CAD_BUS Block значения Rec.
10а. Если ваша система загрузилась, то используем для теста памяти TM5 с конфигом v3 от 1usmus. Ставите 9 циклов (количество циклов можно проверить по пути программы TM5\bin\MT.cfg.)
10б. Если не работает, то проверяем пункты 2, 3, 4 верно ли они выбраны согласно вашей оперативной памяти. Если верно, то:
11. Меняем в BIOS значения, которые найдёте из Advanced. Если всё равно не работает, то:
12. Меняем в BIOS значения, которые найдёте из Power Supply System. Если всё равно не работает, то:
13. снижаем выбранную вами частоту на 1 или 2 шага и повторяем пункт 9-12. Если вы не добились результата лучше, тогда выставляем профиль XMP, выставляем частоту согласно её в программе и повторяем пункты 9-12. Если и так у вас не работает, то действуйте поэтапно из Алгоритма работы №1.
Если все тесты пройдены, то пробуем улучшить ситуацию с таймингами, нажимаем кнопку Calculate FAST
Повторяем пункт 10-10а., если есть проблемы, то идём по пунктам 10б-12. Если всё равно не работает, то переходите в Алгоритм №1, либо возвращайтесь к последним удачным таймингам и сами, если хотите добиться результат поэтапно, начиная с первого тайминга понижайте их значения на -1 и тестируйте с помощью TM5 с конфигом v3 от 1usmus хотя бы на 3 цикла. В случае с tRFC можно отнимать значения на -10 при стабильности и прибавлять +20 при нестабильности.

В конечном итоге хочется вспомнить свою ситуацию с данной программой на первых BIOS. Только после того, как я выставил из блоков напряжений рекомендуемые значения, я смог загрузиться на 3900x Zen2 с частотой 3600, после этого я попробовал поменять только частоту на 3800 в режиме SAFE и у меня также всё продолжало работать. После этого я перешёл на FAST выставил рекомендуемые настройки и уже с этого момента вместе с небольшим поднятием напряжения на оперативную память сам начинал ужимать тайминги на оперативной памяти. Сейчас у меня тайминги переходят из BIOS в BIOS и пока проблем нет. Конечно, бывают моменты с неудачными версиями BIOS, но, скорее всего, вы сами сразу определите в таком случае либо повторяйте все шаги заново, либо откатывайте BIOS на более удачный. Ещё раз напомню, что это только инструмент, при правильном применении которого вы можете немного облегчить себе настройку оперативной памяти и в некоторых ситуациях получить свой прирост производительности. Если же вам интересно изучить всё самому и каждый шаг пройти без использования калькулятора, то не забывайте, что на сайте есть интересная статья.

Всем удачного разгона и подбора наиболее оптимальных таймингов!

DRAM Calculator for Ryzen

DRAM Calculator for Ryzen – бесплатная утилита, с помощью которой можно проводить настройку оперативной памяти на системах с процессорами AMD Ryzen. Данное приложение может стать незаменимым помощником оверклокера в разгоне оперативной памяти на Ryzen, и позволит пользователю даже с минимумом знаний добиться неплохих результатов при разгоне или выставлении оптимальных таймингов.

Ключевые особенности DRAM Calculator:

Функция сравнения текущих таймингов системы с рекомендованными.
Возможность выбора топологии материнской платы.
Наличие пресетов для каждого типа памяти.
Поддержка конфигураций систем, состоящих из 4 DIMM.
Поддержка процессоров с количеством потоков от 4 до 64.
Погрешность в пределах 0,5%.
Мультипоточность.
Три режима тестирования ОЗУ – «Easy mode», «Default mode» и «Custom mode».
Вывод информации тестирования ОЗУ в диаграмму.
Окно-таблица с информацией о текущем состоянии бенчинга или проверки памяти.
Защита от ситуаций нехватки памяти в системе.

Иструкция использования DRAM Calculator:

Интерфейс DRAM Calculator

После запуска программы перед вами откроется такой интерфейс:

Окно программы можно разделить условно на четыре части:

Главное меню — несколько вкладок с помощью которых вы можете перемещаться по меню программы;
Поля для данных — данные о вашей оперативной памяти, которые нужно заполнить;
Результаты расчета — результаты, которые вам нужно будет вручную ввести в BIOS;
Кнопки управления — кнопки с помощью которых выполняется расчет параметров разгона.

Заполнение данных

Прежде чем программа сможет рассчитать новые настройки для вашей памяти нужно заполнить старые. Для этого воспользуемся утилитой Thaiphoon Burner. Запустите утилиту и нажмите кнопку Read:

Здесь, на вкладке Dram Components вы можете посмотреть производителя вашего чипа ОЗУ, его версию и оценку *-Die.

Например, у меня производитель Hynix, версия AFR, а оценка A-Die. Теперь нужно заполнить все эти данные в Ryzen Dram Calculator:

Proccessor — для Ryzen 1000 выбираем Ryzen 1 gen, для Ryzen 2000 — Ryzen + gen;
Memory type — это производитель и версия вашего чипа памяти, которую вы посмотрели в Taiphoon Burner;
Profile version — версия профиля XMR откуда будут загружены недостающие данные;
Memory rank — ранг памяти. Для большинство планок делают одноранговыми;
Frequency — это частота памяти. Здесь нужно писать ту частоту, до которой вы хотите разогнать память;
BCLK — базовая частота материнской платы. Подробнее о ней читайте в статье как разгонать Ryzen. Если вы ничего не меняли, то, скорее всего, она у вас равна 100 МГц;
DIMM Modules — количество планок оперативной памяти, установленных в ваш компьютер;

Все эти параметры нужно заполнить.

Загрузка данных из XMP

Недостающие данные, такие как тайминги и другие параметры нужно загрузить из XMP профиля. Для этого нажмите кнопку R-XMP:

Расчет параметров разгона

Когда все заполнено вы можете рассчитать параметры для разгона вашей памяти. Для этого можно использовать одну из кнопок: Calculate SAFE, Calculate FAST, Calculate EXTEREME:

Вы можете нажать их все и посмотреть как изменяется результат. Отличаться будет, в основном, только напряжение. Теперь вам осталось только сфотографировать полученные данные и заполнить их в вашем BIOS. Более подробно про работу с BIOS от MSI я писал в статье разгон оперативной памяти для Ryzen. Особое внимание при переносе вам нужно обратить на параметры таймингов:

А также на параметры напряжения:

DRAM Voltage — напряжение планок памяти;
SoC Voltage — напряжение чипсета;
procODT — минимальный сигнал, необходимый для взаимодействия с памятью.

Это все основные параметры, о которых рассказывает наша инструкция Ryzen Dram Calculator.

Скачать DRAM Calculator

История обновления:

версия v1.7.3

Некоторые исправления для пресетов Micron E-die и Hynix CJR / DJR
Исправлены ошибки

версия v1.7.2

Поддержка OC assist для Micron E-die (A2) и CJR /DJR (A0 и A2)
Некоторые исправления для OC assist (Samsung B-die)
Дополнительные пресеты для Hynix CJR / DJR (теперь A0 и A2)
Исправлена ошибка: “Анализ данных“
Незначительное исправление: напряжение для Samsung B-die
Незначительное исправление: некоторые тайминги для Micron E-die
Незначительное исправление: tWRRD для конфигурации 4 DIMM
Другие исправления ошибок

версия v1.7.1

Переработаны все предустановки для Samsung b-die, Micron e-die и Hynix CJR (DJR). Улучшена поддержка конфигураций с 4 или 8 модулями оперативной памяти.
Удалены кнопки R-XMP и Calculate EXTREME.
Добавлен новый раздел “Справка” и “Мои обзоры“, в котором в дополнение к справочной информации приведены ссылки на мои материалы.
Версия печатной платы DRAM – выберите оперативную память печатной платы для более точного расчета таймингов. В большинстве случаев рекомендуется использовать “A0” для лучшей совместимости.
Кнопка “Сравнить тайминги (ВКЛ. /выкл.)” получила обновленную функциональность. Она может не только считывать тайминги, но и отображать состояние таймингов в цвете. Ваш личный помощник для создания индивидуальных настроек.
Добавлена “Новая версия?” кнопка, которая позволяет вам посетить домашнюю страницу продукта и прочитать материалы, касающиеся DRAM Calculator для Ryzen, проверить наличие обновлений или задать любой вопрос.
Исправлены ошибки и внесены некоторые графические корректировки.
Тайминги указывают на поддержку всех процессоров семейства Ryzen (включая будущие процессоры Zen 3).

версия v1.7.0

Добавлена функция считывания текущего времени работы памяти для Zen 2 (AM4).
Добавлен тест пропускной способности памяти (чтение и запись).
Добавлен тест межъядерной задержки (AM4).
Улучшена точность случайных и пользовательских тестов задержки.
Некоторые изменения в предлагаемых настройках CAD_BUS. Это может обеспечить значительное улучшение стабильности для конфигураций с двумя или более модулями оперативной памяти.
Настройка VDDG теперь разделена на две независимые настройки: VDDG IOD и VDDG CCD voltage (как в bioses AGESA 1004B).
“Сравнить тайминги” теперь работает для Zen 2 (AM4).
Добавлена поддержка процессоров Threadripper 3000 серии (Castle Peak).
Незначительные изменения в графическом интерфейсе пользователя.
Добавлена поддержка Hynix DJR (новой версии CJR, которая имеет обратную совместимость с классическим CJR).
Незначительные исправлени

DRAM Calculator for Ryzen

DRAM Calculator for Ryzen is a free utility that can be used to configure RAM on systems with AMD Ryzen processors. This application can become an overclocker’s indispensable assistant in overclocking RAM onRyzen, and will allow the user, even with a minimum of knowledge, to achieve good results when overclocking or setting optimal timings.

Key features of DRAM Calculator:

Function for comparing current system timings with recommended ones.
Ability to select motherboard topology.
Availability of presets for each type of memory.
Supports system configurations consisting of 4 DIMM.
Supports processors with the number of threads from 4 to 64.
The error is within 0.5%.
Multi-threading.
Three RAM testing modes – “Easy mode”, “Default mode” and “Custom mode”.
Output of RAM testing information into a diagram.
Table window with information about the current state of benching or memory testing.
Protection against low memory situations in the system.

Instructions for using DRAM Calculator:

Before the program can calculate new settings for your memory, you need to fill in the old ones. To do this, we will use the Thaiphoon Burner utility. Run the utility and click the Read button:

Here, on the Dram Components tab, you can see the manufacturer of your RAM chip, its version and its *-Die rating.

For example, I have a manufacturerHynix, versionAFR, and ratingA-Die. Now you need to fill in all this data in the Ryzen Dram Calculator:

Proccessor – for Ryzen 1000 we select Ryzen 1 gen, for Ryzen 2000 – Ryzen< /strong>+gen;
Memory type is the manufacturer and version of your memory chip that you looked at in Taiphoon Burner;
Profile version – profile version XMR from which the missing data will be loaded;
Memory rank—memory rank. Most planks are made peer-to-peer;
Frequency is the memory frequency. Here you need to write the frequency to which you want to overclock the memory;
BCLK is the base frequency of the motherboard. Read more about it in the article on how to overclock Ryzen. If you haven’t changed anything, then most likely your speed is 100 MHz;
DIMM Modules – the number of RAM sticks installed in your computer;

All these parameters must be filled out.

Loading data from XMP

Missing data, such as timings and other parameters, must be loaded from the XMP profile. To do this, press the R-XMP button:

Calculation of overclocking parameters

When everything is full you can calculate the parameters for overclocking your memory. To do this, you can use one of the buttons:Calculate SAFE,Calculate FAST,Calculate EXTEREME:

You can click them all and see how the result changes. Mainly only the voltage will differ. Now all you have to do is take a photo of the received data and fill it in your BIOS. I wrote in more detail about working with BIOS from MSI in the article “Overclocking RAM for Ryzen. When transferring, you need to pay special attention to the timing parameters:

And also on voltage parameters:

DRAM Voltage – voltage of memory strips;
SoC Voltage – chipset voltage;
procODT is the minimum signal required to interact with memory.

These are all the main parameters that our instructions for Ryzen Dram Calculator talk about.

Как узнать memory type ryzen calculator

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

Подготовка

Утилиты тестирования памяти

Не рекомендуется

Рекомендуется

Альтернативные варианты

Сравнение

Работа и настройка таймингов

Бенчмарки (тест производительности)

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Ожидания и ограничения

Материнская плата

Чипы памяти

Отчёты Thaiphoon Burner

Наклейки на модулях

Corsair: код номера версии (Version Number)

G.Skill: код «042»

Kingston

О рангах и объёме

Масштабирование напряжения

Ожидаемая максимальная частота

Биннинг

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Ранговость

Температура и её влияние на стабильность

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

AMD: AM4

Разгон

Нахождение максимальной частот

Пробуем повысить частоты

Оптимизация таймингов

Изучаем калькулятор для настройки памяти на AMD Ryzen. DRAM Calculator for Ryzen by 1usmus

Описание программы

Main

Advanced

Additional calculators

Power Supply System

MEMbench

FreezKiller

Help and my reviews

About

Алгоритм работы №1

Алгоритм работы №2

DRAM Calculator for Ryzen

Ключевые особенности DRAM Calculator:

Иструкция использования DRAM Calculator:

Интерфейс DRAM Calculator

Заполнение данных

Загрузка данных из XMP

Расчет параметров разгона

Скачать DRAM Calculator

История обновления:

версия v1.7.3

версия v1.7.2

версия v1.7.1

версия v1.7.0

DRAM Calculator for Ryzen

Key features of DRAM Calculator:

Instructions for using DRAM Calculator:

Loading data from XMP

Calculation of overclocking parameters

Добавить комментарий Отменить ответ